【技术实现步骤摘要】
本公开涉及但不限于一种芯片状态控制方法、状态控制逻辑电路及存储器。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，人们在制造和使用计算机等设备时，对数据的传输速度提出了越来越高的要求。为了获得更快的数据传输速度，应运而生了一系列数据可以双倍速率(double data rate，ddr)传输的存储器等器件。
2、在动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)芯片中，存在多种工作状态；每种状态可以对应一个状态码。然而，相关技术中，芯片的不同状态在切换过程中，状态码会有出错的风险；从而，使得芯片内部可能出现意想不到的状态，不利于芯片内状态的可靠与准确。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种芯片状态控制方法、状态控制逻辑电路及存储器，能够避免芯片内部出现意想不到的状态，保证芯片内状态的可靠与准确。
2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、本公开实施例提供了一种芯片状态控制方法，所述方法包括：基于当前状态激励信号及前一状态标识信号生成当前状态码；基于所述当前状态码生成用于表征芯片当前状态的当前状态标识信号；响应于所述当前状态标识信号，将所述当前状态码变更为当前状态过渡码；基于下一状态激励信号及所述当前状态过渡码生成下一状态码；其中，所述当前状态码和所述下一状态码之间至少有两位数据不同，所述当前状态过渡码和所述下一状态码之间仅有一位数据不同，且所述当前状态码与所述当前状态过渡码之间仅有一位数据不同；
4、上述方案中，基于所述下一状态激励信号及所述当前状态过渡码生成所述下一状态码，包括：根据所述当前状态过渡码，生成过渡状态标识信号；根据所述过渡状态标识信号和所述下一状态激励信号，生成所述下一状态码。
5、上述方案中，所述状态码由3位数据构成；所述当前状态码为001；所述当前状态过渡码为011；所述下一状态码为010。
6、本公开实施例还提供了一种状态控制逻辑电路，所述状态控制逻辑电路包括：状态码生成电路和状态标识信号生成电路；所述状态码生成电路，连接所述状态码生成电路，被配置为基于当前状态激励信号及前一状态标识信号生成当前状态码；所述状态标识信号生成电路，被配置为基于所述当前状态码生成用于表征芯片当前状态的当前状态标识信号；所述状态码生成电路，还被配置为响应于所述当前状态标识信号，将所述当前状态码变更为当前状态过渡码；以及，基于下一状态激励信号及所述当前状态过渡码生成下一状态码；其中，所述当前状态码和所述下一状态码之间至少有两位数据不同，所述当前状态过渡码和所述下一状态码之间仅有一位数据不同；所述状态标识信号生成电路，还被配置为由所述下一状态码生成用于表征芯片下一状态的下一状态标识信号。
7、上述方案中，所述状态标识信号生成电路，还被配置为根据所述当前状态过渡码，生成过渡状态标识信号；所述状态码生成电路，还被配置为根据所述过渡状态标识信号和所述下一状态激励信号，生成所述下一状态码。
8、上述方案中，所述状态码生成电路包括：3个触发单元；每个所述触发单元对应输出状态码的一位数据；其中，第1个所述触发单元输出第1位数据和第1位反相数据；第2个所述触发单元输出第2位数据和第2位反相数据；第3个所述触发单元输出第3位数据和第3位反相数据。
9、上述方案中，所述状态码生成电路还包括：6个控制码生成单元和1个过渡控制码生成单元；每个所述控制码生成单元，接收对应的状态激励信号和状态标识信号，且对应输出一个控制码；所述过渡控制码生成单元，接收所述当前状态标识信号，输出过渡控制码；6个所述控制码生成单元的输出端和1个所述过渡控制码生成单元的输出端，对应连接至3个所述触发单元的输入端。
10、上述方案中，第1个所述触发单元包括：第一rs触发器、第一延时器和第二延时器；所述第一延时器的输入端接收第4个所述控制码，所述第一延时器的输出端连接所述第一rs触发器的置位端；所述第二延时器的输入端接收第6个所述控制码，所述第二延时器的输出端连接所述第一rs触发器的复位端；所述第一rs触发器的同相输出端输出所述状态码的第1位数据，所述第一rs触发器的反相输出端输出所述状态码的第1位反相数据。
11、上述方案中，第2个所述触发单元包括：第二rs触发器、或门和第三延时器；所述第三延时器的输入端接收所述过渡控制码，所述第三延时器的输出端连接所述第二rs触发器的置位端；所述或门的输入端分别接收第3个和第5个所述控制码，所述或门的输出端连接所述第二rs触发器的复位端；所述第二rs触发器的同相输出端输出所述状态码的第2位数据，所述第二rs触发器的反相输出端输出所述状态码的第2位反相数据。
12、上述方案中，第3个所述触发单元包括：第三rs触发器、第四延时器和第五延时器；所述第四延时器的输入端接收第1个所述控制码，所述第四延时器的输出端连接所述第三rs触发器的置位端；所述第五延时器的输入端接收第2个所述控制码，所述第五延时器的输出端连接所述第三rs触发器的复位端；所述第三rs触发器的同相输出端输出所述状态码的第3位数据，所述第三rs触发器的反相输出端输出所述状态码的第3位反相数据。
13、上述方案中，每个所述控制码生成单元包括：第一与非门和第一反相器；所述第一与非门的输入端接收对应的所述状态激励信号和所述状态标识信号，所述第一与非门的输出端连接所述第一反相器的输入端；所述第一反相器的输出端输出对应的所述控制码。
14、上述方案中，所述过渡控制码生成单元包括：第二反相器和第三反相器；所述第二反相器的输入端接收所述当前状态标识信号，所述第二反相器的输出端连接所述第三反相器的输入端；所述第三反相器的输出端输出所述过渡控制码。
15、上述方案中，所述状态标识信号生成电路包括：多个状态标识信号生成单元；每个所述状态标识信号生成单元包括：第二与非门和第四反相器；所述第二与非门的第一输入端接收所述状态码的第1位数据或第1位反相数据；所述第二与非门的第二输入端接收所述状态码的第2位数据或第2位反相数据；所述第二与非门的第三输入端接收所述状态码的第3位数据或第3位反相数据；所述第二与非门的输出端连接所述第四反相器的输入端；所述第四反相器的输出端输出对应的所述状态标识信号。
16、上述方案中，多个状态标识信号生成单元包括：第一状态标识信号生成单元、过渡状态标识信号生成单元和第二状态标识信号生成单元；所述当前状态码为001；所述当前状态过渡码为011；所述下一状态码为010；所述第一状态标识信号生成单元，接收所述状态码的第1位反相数据、第2位反相数据和第3位数据，且输出所述当前状态标识信号；所述过渡状态标识信号生成单元，接收所述状态码的第1位反相数据、第2位数据和第3位数据，且输出所述过渡状态标识信号；所述第二状态标识信号生成单元，接收所述状态码的第1位反相数据、第2位数据和第3位反相本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种芯片状态控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的芯片状态控制方法，其特征在于，基于所述下一状态激励信号及所述当前状态过渡码生成所述下一状态码，包括：
3.根据权利要求1或2所述的芯片状态控制方法，其特征在于，所述状态码由3位数据构成；
4.一种状态控制逻辑电路，其特征在于，所述状态控制逻辑电路包括：状态码生成电路和状态标识信号生成电路；
5.根据权利要求4所述的状态控制逻辑电路，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的状态控制逻辑电路，其特征在于，所述状态码生成电路包括：3个触发单元；
7.根据权利要求6所述的状态控制逻辑电路，其特征在于，所述状态码生成电路还包括：6个控制码生成单元和1个过渡控制码生成单元；
8.根据权利要求7所述的状态控制逻辑电路，其特征在于，第1个所述触发单元包括：第一RS触发器、第一延时器和第二延时器；
9.根据权利要求7所述的状态控制逻辑电路，其特征在于，第2个所述触发单元包括：第二RS触发器、或门和第三延时器；
10.
11.根据权利要求7所述的状态控制逻辑电路，其特征在于，每个所述控制码生成单元包括：第一与非门和第一反相器；
12.根据权利要求7所述的状态控制逻辑电路，其特征在于，所述过渡控制码生成单元包括：第二反相器和第三反相器；
13.根据权利要求6所述的状态控制逻辑电路，其特征在于，所述状态标识信号生成电路包括：多个状态标识信号生成单元；每个所述状态标识信号生成单元包括：第二与非门和第四反相器；
14.根据权利要求13所述的状态控制逻辑电路，其特征在于，多个状态标识信号生成单元包括：第一状态标识信号生成单元、过渡状态标识信号生成单元和第二状态标识信号生成单元；
15.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括如权利要求4至14任一项所述的状态控制逻辑电路。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片状态控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的芯片状态控制方法，其特征在于，基于所述下一状态激励信号及所述当前状态过渡码生成所述下一状态码，包括：
3.根据权利要求1或2所述的芯片状态控制方法，其特征在于，所述状态码由3位数据构成；
4.一种状态控制逻辑电路，其特征在于，所述状态控制逻辑电路包括：状态码生成电路和状态标识信号生成电路；
5.根据权利要求4所述的状态控制逻辑电路，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的状态控制逻辑电路，其特征在于，所述状态码生成电路包括：3个触发单元；
7.根据权利要求6所述的状态控制逻辑电路，其特征在于，所述状态码生成电路还包括：6个控制码生成单元和1个过渡控制码生成单元；
8.根据权利要求7所述的状态控制逻辑电路，其特征在于，第1个所述触发单元包括：第一rs触发器、第一延时器和第二延时器；
9.根据权利要求7所述的状态控制逻辑电路，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠来，徐云秀，孙见鹏，高恩鹏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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