【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体，尤其涉及一种离子注入角度的修正方法。
技术介绍
1、随着半导体技术向大规模集成电路（large scale integration，lsi）以及超大规模集成电路（very large scale integration circuit，vlsi）发展，半导体器件尺寸越来越小，对离子注入的要求也越来越高，尤其是对离子注入的角度要求。
2、半导体制造工艺中离子注入工艺的主要要求包括了均匀性和可重复性、能量纯度、注入角度准确性等等。随着半导体器件尺寸的缩小，超浅结注入、pocket结构注入、halo结构注入、沟道注入和高精度的侧壁注入等对离子注入角度的控制要求非常精准。
3、由于对离子注入角度的高精度要求，在离子注入工艺中需要对离子注入机台的注入角度进行评估或校准，但是，现有的角度校准方法成本较高，同时校准结果的准确性可靠性不高，会产生一定的误差，对于高精度的制造工艺会产生很大的影响。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种离子注入角度的修正方法，有利于更为精准的对离子注入角度进行修正。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种离子注入角度的修正方法，包括：提供测试晶圆；对测试晶圆进行离子注入处理，离子注入处理的离子束为具有预设束散角的束流，以使得在测试晶圆表面的离子注入角度沿第一方向逐渐变化，其中，束散角为发散角或聚焦角，第一方向为离子束发散或聚焦方向；获取离子注入处理在测试晶圆上的理论垂直注入位置；在
3、可选的，对测试晶圆进行离子注入处理的步骤中，离子束在束散角所在平面上对称分布。
4、可选的，对测试晶圆进行离子注入处理的步骤中，离子束在第一方向上始终完全覆盖测试晶圆。
5、可选的，获取离子注入处理在测试晶圆上的离子注入区域在理论垂直注入位置的步骤中，理论垂直注入位置与测试晶圆的圆心重合。
6、可选的，对测试晶圆进行离子注入处理的步骤包括：生成离子束，离子束为在第一方向上发散或聚焦的带状束流；利用离子束沿第二方向对测试晶圆进行匀速往复的多次单程扫描，每次单程扫描包括测试晶圆沿第二方向由一侧进入束流至由另一侧全部走出束流，以完成对测试晶圆的离子注入处理，其中，第二方向垂直于第一方向。
7、可选的，利用离子束沿第二方向对测试晶圆进行匀速往复的多次单程扫描的步骤包括：维持离子束的束流稳定不变；将测试晶圆沿第二方向移动，以完成对测试晶圆的多次单程扫描。
8、可选的，多个采样点在测试晶圆表面关于理论垂直注入位置对称分布。
9、可选的，多个采样点在测试晶圆表面沿第一方向均匀分布。
10、可选的，采样点包括在测试晶圆上的理论垂直注入位置、以及离子注入处理的离子注入区域在第一方向上的两个边缘位置。
11、可选的，获取多个采样点的特征值的步骤中，特征值包括测试晶圆表面的热波值或方块电阻值。
12、可选的，基于特征值获取测试晶圆上离子束的实际垂直注入位置的步骤，包括：获取多个采样点的位置坐标；对多个采样点的位置坐标与对应的特征值进行函数拟合，获得特征值拟合函数；获取特征值拟合函数的最小值所对应的位置坐标作为测试晶圆上离子束的实际垂直注入位置。
13、可选的，基于位置偏离量与束散角，修正离子注入处理的离子注入角度的步骤包括：获取位置偏离量阈值；当位置偏离量小于位置偏离量阈值时，评估离子注入处理的离子注入角度达标，完成对离子注入角度的修正；当位置偏离量大于或等于位置偏离量阈值时，基于位置偏离量，获得离子注入角度的修正角度；根据修正角度修正离子注入处理的离子注入角度。
14、可选的，获取位置偏离量阈值的步骤包括：基于束散角，标定位置偏离量与离子注入角度偏离量的对应关系；根据对应关系，获得束散角下，角度偏离量阈值对应的位置偏离量作为位置偏离量阈值；基于位置偏离量，获得离子注入角度的修正角度的步骤中，根据对应关系，获得位置偏离量对应的离子注入角度偏离量作为修正角度。
15、可选的，基于位置偏离量与束散角，修正离子注入处理的离子注入角度的步骤还包括：基于位置偏离量，获取理论垂直注入位置的离子注入角度，作为角度偏离量；基于角度偏离量，修正离子注入处理的离子注入角度。
16、可选的，对测试晶圆进行离子注入处理的步骤中，还包括：获取测试晶圆上，离子注入处理的离子注入区域在第一方向的长度尺寸；基于位置偏离量，获取理论垂直注入位置的离子注入角度，作为角度偏离量的步骤包括：结合长度尺寸、离子束的束散角、以及位置偏离量，计算理论垂直注入位置的离子注入角度，作为角度偏离量。
17、可选的，利用表达式α=dβ/d计算理论垂直注入位置的离子注入角度，作为角度偏离量，其中，α为理论垂直注入位置的离子注入角度，d为位置偏离量，β为离子束的束散角，d为长度尺寸。
18、可选的，基于角度偏离量，修正离子注入处理的离子注入角度的步骤包括：当角度偏离量小于角度偏离量阈值时，评估离子注入处理的离子注入角度达标，完成对离子注入角度的修正；当角度偏离量大于或等于角度偏离量阈值时，将角度偏离量作为修正角度；根据修正角度修正离子注入处理的离子注入角度。
19、可选的，根据修正角度修正离子注入处理的离子注入角度的步骤包括：根据修正角度校正测试晶圆的位置。
20、可选的，根据修正角度校正测试晶圆的位置后，还包括：返回执行提供测试晶圆的步骤，直至评估离子注入处理的离子注入角度达标，完成对离子注入角度的修正。
21、可选的，提供测试晶圆的步骤中，将测试晶圆固定于晶圆卡盘上；根据修正角度校正测试晶圆的位置的步骤包括：根据修正角度校正晶圆卡盘。
22、可选的，根据修正角度校正晶圆卡盘的步骤包括：以第二方向为旋转轴，将晶圆卡盘转动修正角度，第二方向垂直于第一方向，其中，在束散角为发散角的情况下，进行实际垂直注入位置相对于理论垂直注入位置更远离束流源的转动，在束散角为聚焦角的情况下，进行实际垂直注入位置相对于理论垂直注入位置更靠近束流源的转动。
23、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
24、本专利技术实施例提供的离子注入角度的修正方法中，对测试晶圆进行离子注入处理，离子注入处理的离子束为具有预设束散角的束流，以使得在测试晶圆表面的离子注入角度沿第一方向逐渐变化，在测试晶圆表面，沿第一方向选取多个采样点，基于特征值获取测试晶圆上离子束的实际垂直注入位置，获取实际垂直注入位置与理论垂直注入位置在第一方向上的位置偏离量，基于位置偏离量与束散角，修正离子注入处理的离子注入角度；本专利技术实施例中，对测试晶圆进行离子注入处理的步骤中，离本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种离子注入角度的修正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，对所述测试晶圆进行离子注入处理的步骤中，所述离子束在束散角所在平面上对称分布。
3.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，对所述测试晶圆进行离子注入处理的步骤中，所述离子束在第一方向上始终完全覆盖所述测试晶圆。
4.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，获取所述离子注入处理在测试晶圆上的理论垂直注入位置的步骤中，所述理论垂直注入位置与所述测试晶圆的圆心重合。
5.如权利要求3所述的修正方法，其特征在于，对所述测试晶圆进行离子注入处理的步骤包括：生成所述离子束，所述离子束为在所述第一方向上发散或聚焦的带状束流；
6.如权利要求5所述的修正方法，其特征在于，利用所述离子束沿所述第二方向对所述测试晶圆进行匀速往复的多次单程扫描的步骤包括：维持所述离子束的束流稳定不变；
7.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，多个所述采样点在所述测试晶圆表面关于所述理论垂直注入位置对称分布。
8.如权利要求1所述的修正
9.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，所述采样点包括在所述测试晶圆上的所述理论垂直注入位置、以及所述离子注入处理的离子注入区域在所述第一方向上的两个边缘位置。
10.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，获取多个所述采样点的特征值的步骤中，所述特征值包括所述测试晶圆表面的热波值或方块电阻值。
11.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，基于所述特征值获取所述测试晶圆上所述离子束的实际垂直注入位置的步骤，包括：获取多个所述采样点的位置坐标；
12.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，基于所述位置偏离量与所述束散角，修正所述离子注入处理的离子注入角度的步骤包括：获取位置偏离量阈值；
13.如权利要求12所述的修正方法，其特征在于，获取所述位置偏离量阈值的步骤包括：基于所述束散角，标定所述位置偏离量与离子注入角度偏离量的对应关系；
14.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，基于所述位置偏离量与所述束散角，修正所述离子注入处理的离子注入角度的步骤还包括：基于所述位置偏离量，获取所述理论垂直注入位置的离子注入角度，作为角度偏离量；
15.如权利要求14所述的修正方法，其特征在于，对所述测试晶圆进行离子注入处理的步骤中，还包括：获取所述测试晶圆上，所述离子注入处理的离子注入区域在所述第一方向的长度尺寸；
16.如权利要求15所述的修正方法，其特征在于，利用表达式α=dβ/D计算所述理论垂直注入位置的离子注入角度，作为所述角度偏离量，其中，α为所述理论垂直注入位置的离子注入角度，d为所述位置偏离量，β为所述离子束的束散角，D为所述长度尺寸。
17.如权利要求14所述的修正方法，其特征在于，基于所述角度偏离量，修正所述离子注入处理的离子注入角度的步骤包括：当所述角度偏离量小于角度偏离量阈值时，评估所述离子注入处理的离子注入角度达标，完成对所述离子注入角度的修正；
18.如权利要求12或17所述的修正方法，其特征在于，根据所述修正角度修正所述离子注入处理的离子注入角度的步骤包括：根据所述修正角度校正所述测试晶圆的位置。
19.如权利要求18所述的修正方法，其特征在于，根据所述修正角度校正所述测试晶圆的位置后，还包括：返回执行所述提供测试晶圆的步骤，直至评估所述离子注入处理的离子注入角度达标，完成对所述离子注入角度的修正。
20.如权利要求18所述的修正方法，其特征在于，提供所述测试晶圆的步骤中，将所述测试晶圆固定于晶圆卡盘上；
21.如权利要求20所述的修正方法，其特征在于，根据所述修正角度校正所述晶圆卡盘的步骤包括：以第二方向为旋转轴，将所述晶圆卡盘转动所述修正角度，所述第二方向垂直于第一方向，其中，在所述束散角为发散角的情况下，进行所述实际垂直注入位置相对于理论垂直注入位置更远离束流源的转动，在所述束散角为聚焦角的情况下，进行所述实际垂直注入位置相对于理论垂直注入位置更靠近束流源的转动。
...【技术特征摘要】
1.一种离子注入角度的修正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，对所述测试晶圆进行离子注入处理的步骤中，所述离子束在束散角所在平面上对称分布。
3.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，对所述测试晶圆进行离子注入处理的步骤中，所述离子束在第一方向上始终完全覆盖所述测试晶圆。
4.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，获取所述离子注入处理在测试晶圆上的理论垂直注入位置的步骤中，所述理论垂直注入位置与所述测试晶圆的圆心重合。
5.如权利要求3所述的修正方法，其特征在于，对所述测试晶圆进行离子注入处理的步骤包括：生成所述离子束，所述离子束为在所述第一方向上发散或聚焦的带状束流；
6.如权利要求5所述的修正方法，其特征在于，利用所述离子束沿所述第二方向对所述测试晶圆进行匀速往复的多次单程扫描的步骤包括：维持所述离子束的束流稳定不变；
7.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，多个所述采样点在所述测试晶圆表面关于所述理论垂直注入位置对称分布。
8.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，多个所述采样点在所述测试晶圆表面沿所述第一方向均匀分布。
9.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，所述采样点包括在所述测试晶圆上的所述理论垂直注入位置、以及所述离子注入处理的离子注入区域在所述第一方向上的两个边缘位置。
10.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，获取多个所述采样点的特征值的步骤中，所述特征值包括所述测试晶圆表面的热波值或方块电阻值。
11.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，基于所述特征值获取所述测试晶圆上所述离子束的实际垂直注入位置的步骤，包括：获取多个所述采样点的位置坐标；
12.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，基于所述位置偏离量与所述束散角，修正所述离子注入处理的离子注入角度的步骤包括：获取位置偏离量阈值；
13.如权利要求12所述的修正方法，其特征在于，获取所述位置偏离量阈值的步骤包括：基于所述束散角，标...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪俊华，王宇琳，窦入靑，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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