【技术实现步骤摘要】
实例实施方式涉及化合物、光电器件、图像传感器、和电子设备。
技术介绍
1、光电器件可利用光电效应将光转换成电信号。光电器件可包括光电二极管、光电晶体管等，并且可应用于图像传感器等。
2、包括光电二极管的图像传感器可需要高分辨率，且从而需要小的像素。目前，硅光电二极管被广泛使用。在一些情况下，硅光电二极管因为由于相对小的像素导致的相对小的吸收面积而呈现出恶化的灵敏度的问题。因此，已经研究了能够代替硅的有机材料。
3、有机材料可具有相对高的消光系数，并且可取决于分子结构而选择性地吸收特定波长区域中的光，且因此可同时代替光电二极管(例如，硅光电二极管)和滤色器，且结果改善灵敏度并有助于相对高的集成。
4、因此，对可用于这些传感器中的有机材料的兴趣正在增加。
技术实现思路
1、一些实例实施方式提供选能够择性地吸收绿色波长范围中的光并且具有优异的光吸收特性和热稳定性的化合物。
2、一些实例实施方式提供配置成选择性地吸收绿色波长范围中的光并且即使在高温条件下的过程(工艺)中也保持优异的效率的光电器件。
3、一些实例实施方式提供包括所述光电器件的图像传感器。
4、一些实例实施方式提供包括所述图像传感器的电子设备。
5、根据一些实例实施方式，化合物由化学式1表示，其中所述化合物具有小于或等于约0.191ev的重组能，且所述化合物具有小于或等于约500nm的基于密度泛函理论(dft)计算的最大吸收波长。
7、
8、在化学式1中，
9、g1为单键、o、s、se、te、s(＝o)、s(＝o)2、nra、brb、-sircrd-、-sirccrdd-、-gererf-、-gereerff-、-(crgrh)n1-、-(crggrhh)-、-(c(ri)＝c(rj))-、或-(c(rii)＝c(rjj))-(其中ra、rb、rc、rd、re、rf、rg、rh、ri、和rj各自独立地为氢、氘、卤素、c1至c10烷基、c1至c10卤代烷基、c1至c10烷氧基、或c6至c20芳基，rcc和rdd、ree和rff、rgg和rhh、或rii和rjj的各对彼此连接以形成环结构，且n1为1或2)，
10、g2为o、s、se、te、s(＝o)、s(＝o)2、nra、brb、-sircrd-、-sirccrdd-、-gererf-、-gereerff-、-(crgrh)n1-、-(crggrhh)-、-(c(ri)＝c(rj))-、或-(c(rii)＝c(rjj))-(其中ra、rb、rc、rd、re、rf、rg、rh、ri、和rj各自独立地为氢、氘、卤素、c1至c10烷基、c1至c10卤代烷基、c1至c10烷氧基、或c6至c20芳基，rcc和rdd、ree和rff、rgg和rhh、或rii和rjj的各对彼此连接以形成环结构，且n1为1或2)，
11、rx、ry和rz各自独立地为氢、氘、卤素、c1至c10烷基、c1至c10卤代烷基、c1至c10烷氧基、或c6至c20芳基，x为0至4的整数，且y为0至3的整数，和
12、ewg意指包括至少一个吸电子基团的受体部分。
13、在化学式1中，含有g2的环状基团的苯环的至少一个-ch＝可任选地被-n＝代替。
14、在化学式1中，可在含有g2的环状基团的1位处包含氮(n)。
15、在化学式1中，rx、ry和rz可各自独立地为氢、或选自c1至c10烷基和c1至c10烷氧基的供电子基团。
16、在化学式1中，所述环结构可为取代或未取代的c5至c30烃环基团、或取代或未取代的c2至c30杂环基团。
17、在化学式1中，所述环结构可包括由化学式2表示的部分。
18、[化学式2]
19、
20、在化学式2中，
21、ar33和ar34各自独立地为取代或未取代的c6至c30芳烃基团、取代或未取代的c3至c30杂芳烃基团、或其稠合环，和
22、*为连接至化学式1的点。
23、在化学式1中，各环结构可包括由化学式3表示的部分之一。
24、[化学式3]
25、
26、在化学式3中，
27、xa和xb各自独立地为-o-、-s-、-se-、-te-、-s(＝o)-、-s(＝o)2-、-nra1-、-bra2-、-sirbrc-、-sirbbrcc-、-gerdre-、或-gerddree-(其中ra1、ra2、rb、rc、rd、和re各自独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的c1至c20烷基、取代或未取代的c1至c20烷氧基、取代或未取代的c6至c20芳基、取代或未取代的c6至c20芳氧基、或取代或未取代的c3至c20杂芳基，且rbb和rcc、或rdd和ree的各对可彼此连接以形成环结构)，
28、la为-o-、-s-、-se-、-te-、-nra1-、-bra2-、-sirbrc-、-gerdre-、-(crfrg)n1-、-(c(rp)＝n))-、或单键(其中ra1、ra2、rb、rc、rd、re、rf、rg、和rp各自独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的c1至c20烷基、取代或未取代的c1至c20烷氧基、取代或未取代的c6至c20芳基、或取代或未取代的c6至c20芳氧基，且-(crfrg)n1-的n1为1或2)，
29、各环的至少一个氢任选地被选自如下的至少一个取代基代替：氘、卤素、取代或未取代的c1至c20烷基、取代或未取代的c1至c20烷氧基、取代或未取代的c6至c20芳基、和取代或未取代的c6至c20芳氧基，和
30、*为连接至化学式1的连接部分。
31、在化学式3中，部分(3)、(4)、(5)、(6)、(7)、(8)、或(9)的至少一个芳族环中存在的至少一个ch可被n代替。
32、在化学式1中，ewg可为取代或未取代的具有c＝o、c＝s、c＝se、c＝te、或c＝crprq(其中rp和rq各自独立地为氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基、氰基、或含有氰基的基团)的至少一个官能团的c6至c30烃环基团；取代或未取代的具有c＝o、c＝s、c＝se、c＝te、或c＝crprq(其中rp和rq各自独立地为氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基、氰基、或含有氰基的基团)的至少一个官能团的c2至c30杂环基团；或其稠合环；crprq，其中rp和rq各自独立地为氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基、氰基、或含有氰基的基团；或具有c＝o、c＝s、c＝se、c＝te、和c＝crprq(其中rp和rq各自独立地为氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基、氰基、或含有氰基的基团)的至少一个官能团的c2至c20烷基。
33、在化学式1中，ewg可为由化学式4表示的环状基团。
34、[化学式4]本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.化合物，由化学式1表示：
2.如权利要求1所述的化合物，其中
3.如权利要求1所述的化合物，其中
4.如权利要求1所述的化合物，其中
5.如权利要求1所述的化合物，其中
6.如权利要求1所述的化合物，其中
7.如权利要求1所述的化合物，其中
8.如权利要求1所述的化合物，其中
9.如权利要求1所述的化合物，其中
10.如权利要求1所述的化合物，其中
11.光电器件，包括：
12.如权利要求11所述的光电器件，其中
13.图像传感器，包括如权利要求11或12所述的光电器件。
14.如权利要求13所述的图像传感器，进一步包括：
15.如权利要求14所述的图像传感器，其中
16.如权利要求13所述的图像传感器，其中
17.电子设备，包括如权利要求13-16任一项所述的图像传感器。
【技术特征摘要】
1.化合物，由化学式1表示：
2.如权利要求1所述的化合物，其中
3.如权利要求1所述的化合物，其中
4.如权利要求1所述的化合物，其中
5.如权利要求1所述的化合物，其中
6.如权利要求1所述的化合物，其中
7.如权利要求1所述的化合物，其中
8.如权利要求1所述的化合物，其中
9.如权利要求1所述的化合物，其中
10.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：林允熙，金亨柱，房非非，李贞仁，朴敬培，朴正一，崔泰溱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。