【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电探测器，特别涉及一种增透膜的制造方法及其增透膜。
技术介绍
1、目前，光的通信与传输普遍使用cwdm4(4波稀疏波分复用器)，4个波长分别为1271nm、1291nm、1311nm和1331nm，这就要求光电探测器对于cwdm4对应波段具有较高的响应度，且相差不能过大。因此，进一步要求光电探测器表面的增透膜对cwdm4对应波长的反射率低，同时在此波段上的反射率曲线较为平缓。
2、为了优化增透膜以降低其反射率，常见的半导体工艺一般采用不同的材质(例如sio、si n、t io等等)进行多层交替排布的方式形成增透膜，用以实现对某个波段具有较高的透射率和较低的反射率。但是，上述增透膜由于需要使用多种材料制作多层增透膜的膜层，这就需要相应提供多种不同的气源或气源组合用于生成不同的膜层，增加了制备工艺难度的同时，还使得制备过程中因为气源的存放及使用而增加的制备空间和作业面积。
3、有鉴于此，确实需要一种新型的增透膜以及制备该增透膜的方法。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面，本专利技术的实施例提供了一种增透膜的制造方法及其增透膜，使用同一种生长材料形成不同折射率的多层抗反射层，达到与由不同材料叠层形成的增透膜相比同等的增透效果，减少使用气源的种类。所述技术方案如下：
2、根据本专利技术的一个方面，提供了一种增透膜的制造方法。
3、该增透膜的制造方法包括：
4、提供增透膜的生长材料
5、提供对应于上述增透膜的生长材料的气源；
6、使用同一种生长材料在衬底层上依次形成增透膜的至少两层抗反射层；
7、其中至少两层抗反射层与衬底层共同形成增透膜，该增透膜能够用于减少反射光并增加透射光。
8、具体地，在使用同一种生长材料在衬底层上依次形成增透膜的至少两层抗反射层的步骤中，通过外延生长工艺来形成至少两层抗反射层，并通过调节外延生长的沉积参数使得至少两层抗反射层中的两个相邻的抗反射层的折射率不同。
9、在一些实施例中，衬底层沿薄膜生长方向依次包括s io层、si层和吸收层；增透膜的生长材料为sio。
10、进一步地，对应于上述增透膜的生长材料的气源为s i h4、n2o和n2的气源组合。
11、在一些实施例中，至少两层抗反射层的数量为两层，包括第一抗反射层和第二抗反射层。
12、在一些实施例中，外延生长工艺使用等离子增强化学气相沉积方法(pecvd)。
13、具体地，沉积参数包括以下中的任一种或它们的任意组合：
14、si h4、n2o和n2的流量，用于控制至少两层抗反射层中每层抗反射层的折射率；
15、薄膜沉积时间，用于控制至少两层抗反射层中每层抗反射层的厚度。
16、在一些实施例中，增透膜的形成步骤包括：
17、对衬底层进行半导体清洗工艺后，将衬底层放到cvd沉积设备上；
18、控制cvd沉积设备的上电极温度为200～300℃，下电极温度为250～350℃；
19、调整cvd沉积设备的第一沉积参数，生长第一抗反射层；
20、调整cvd沉积设备的第二沉积参数，在第一抗反射层上生长第二抗反射层。
21、在一些实施例中，
22、当生长第一抗反射层时，对应的第一沉积参数包括以下中的任一种或它们的任意组合：si h4、n2o和n2的第一体积流量；第一气体压力；cvd沉积设备的第一射频功率；第一薄膜沉积时间；
23、当生长第二抗反射层时，对应的第二沉积参数包括以下中的任一种或它们的任意组合：si h4、n2o和n2的第二体积流量；第二气体压力；cvd沉积设备的第二射频功率；第二薄膜沉积时间。
24、根据本专利技术的另一个方面，还提供了一种增透膜，由上述方面中描述的增透膜的制造方法制备，该增透膜包括：
25、衬底层；
26、第一抗反射层，通过外延生长工艺由生长材料形成在衬底层上，第一抗反射层的厚度范围为10～200nm，折射率范围为1.4～1.7；
27、第二抗反射层，通过外延生长工艺由同一种生长材料形成在第一抗反射层上，第二抗反射层的厚度范围为10～200nm，折射率范围为1.4～1.7；
28、增透膜的应用光谱为cwdm4波段，波长范围为1270nm～1331nm。
29、本专利技术实施例提供的一种增透膜的制造方法及其增透膜具有以下优点中的至少一个或至少一个优点的一部分：
30、(1)本专利技术提供的增透膜的制造方法使用同一种生长材料，形成不同折射率的多层抗反射层，实现减少反射光的同时增加透射光；
31、(2)本专利技术提供的增透膜的制造方法使用同一种生长材料，与使用多种生长材料的制造方法相比，减少了对应生长材料的气源的种类，减少气源占用空间，简化工艺流程，节约制备成本；
32、(3)使用本专利技术提供的增透膜的制造方法制备获得的增透膜与使用多种材料叠层制造的增透膜相比，具有同等程度的或类似的反射率数值和反射率曲线曲率；
33、(4)使用本专利技术提供的增透膜的制造方法制备获得的增透膜可用于cdwm4波段。
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1.一种增透膜的制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的增透膜的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的增透膜的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的增透膜的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求1-4中任一项所述的增透膜的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的增透膜的制造方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的增透膜的制造方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的增透膜的制造方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的增透膜的制造方法，其特征在于，
10.一种增透膜，由根据权利要求1-9中任一项所述的增透膜的制造方法制备，所述增透膜包括：
【技术特征摘要】
1.一种增透膜的制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的增透膜的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的增透膜的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的增透膜的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求1-4中任一项所述的增透膜的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：解潇，侯广辉，石彬，祁帆，
申请(专利权)人：NANO科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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