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变形探测传感器制造技术

技术编号:43195362 阅读:5 留言:0更新日期:2024-11-01 20:16
本发明专利技术所涉及的变形探测传感器具备:能够弯曲的挠性基材,其具有在上下方向上排列的基材上主面和基材下主面;第一传感器,其设置于基材上主面,包括第一压电薄膜;以及第二传感器,其设置于基材下主面,包括第二压电薄膜,其中,第二压电薄膜的上下方向的厚度大于第一压电薄膜的上下方向的厚度,第一传感器和第二传感器因挠性基材以向上方或下方突出的方式弯曲而弯曲。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种探测挠性基材的变形的变形探测传感器


技术介绍

1、作为与以往的变形探测传感器有关的专利技术,例如已知一种专利文献1所记载的弯曲变形传感器。在该弯曲变形传感器中,具备第一压电薄膜、第二压电薄膜以及弹性体。弹性体具有第一主面和第二主面。第一压电薄膜设置于第一主面。第二压电薄膜设置于第二主面。由此,当弹性体弯曲时,第一压电薄膜拉伸,第二压电薄膜伸缩。而且,第一压电薄膜输出第一信号,第二压电薄膜输出第二信号。未图示的运算电路能够根据第一信号和第二信号来探测弹性体的弯曲变形。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本专利第4427665号


技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、另外,期望在专利文献1所记载的弯曲变形传感器中进一步提高弯曲变形的探测的灵敏度。

3、因此,本专利技术的目的在于提供一种能够提高挠性基材的变形的探测的灵敏度的变形探测传感器。

4、用于解决问题的方案

5、本专利技术的一个方式所涉及的变形探测传感器具备:

6、能够弯曲的挠性基材,其具有在上下方向上排列的基材上主面和基材下主面;

7、第一传感器,其设置于所述基材上主面,包括第一压电薄膜;以及

8、第二传感器,其设置于所述基材下主面,包括第二压电薄膜,

9、其中,所述第二压电薄膜的所述上下方向的厚度大于所述第一压电薄膜的所述上下方向的厚度,

10、所述第一传感器和所述第二传感器因所述挠性基材以向上方或下方突出的方式弯曲而弯曲。

11、专利技术的效果

12、根据本专利技术所涉及的变形探测传感器,能够提高挠性基材的变形的探测的灵敏度。

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【技术保护点】

1.一种变形探测传感器,具备:

2.根据权利要求1所述的变形探测传感器,其中,

3.根据权利要求2所述的变形探测传感器,其中,

4.根据权利要求3所述的变形探测传感器,其中,

5.根据权利要求3或4所述的变形探测传感器,其中,

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的变形探测传感器,其中,

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的变形探测传感器,其中,

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的变形探测传感器,其中,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种变形探测传感器,具备:

2.根据权利要求1所述的变形探测传感器,其中,

3.根据权利要求2所述的变形探测传感器,其中,

4.根据权利要求3所述的变形探测传感器,其中,

5.根据权利要求3或4所...

【专利技术属性】
技术研发人员:奥富让仁
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:

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