【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第18/140,085号专利申请案的优先权(即优先权日为“2023年4月27日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开内容关于一种半导体元件，特别是关于一种切割道结构、一种半导体元件及其半导体芯片的制备方法。
技术介绍
1、设计ddr4(双倍数据速率4)存储器芯片时，电路探测垫与键合垫可能位于存储器芯片的一个边缘附近，以改善高速电气特性。
2、一个使用18纳米技术2gb ddr4 dram芯片的面积约为8mm x 8mm，并且一个半导体晶圆上可以有数百或数千个相同的存储器芯片。然而，每个存储器芯片上可以有许多探测垫与键合垫，这些探测垫与键合垫在存储器芯片的总面积中所占据的面积可能相当大，导致存储器芯片的成本提高与尺寸增大
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种切割道结构。该切割道结构包括一晶粒区、一切割道区以及一个或多个电路探测垫。该晶粒区设置于一半导体晶圆上。该切割道区围绕该晶粒区。该个或该多个电路探测垫设置于该晶粒区的一第一顶面以及该切割道的一第二顶面上。
2、本公开的另一个方面提供一种半导体元件，包括多个晶粒区、一切割道区以及多个电路探测垫。该多个晶粒区设置于一半导体晶圆上。该切割道区设置于该多个晶粒区之间。该多个电路探测垫设置于该晶粒区的一第
3、本公开的又另一个方面提供一种半导体芯片的制备方法。该制备方法包括以下步骤：在一半导体芯片上制备一晶粒区，其中该晶粒区被一切割道区包围；以及在该晶粒区的一第一顶面以及该切割道区的一第二顶面形成一电路探测垫。
4、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种切割道结构，包括：
2.如权利要求1所述的切割道结构，其中该晶粒区包括一功能电路，而该切割道区是一非功能区。
3.如权利要求2所述的切割道结构，其中该电路探测垫的每一个的一部分与该晶粒区的该功能电路电连接。
4.如权利要求3所述的切割道结构，其中通过与一外部测试设备电连接并置于该一个或该多个电路探测垫上的一个或多个电路探测针来测试该晶粒区的该功能电路。
5.如权利要求1所述的切割道结构，其中该电路探测垫的每一个的一中心设置于该晶粒区与该切割道区之间的一边界上。
6.如权利要求1所述的切割道结构，其中根据该切割道区的一中心线，该电路探测垫的每一个的一中心经设置以远离该晶粒区。
7.如权利要求1所述的切割道结构，其中根据该切割道区的一中心线，该电路探测垫的每一个的一中心经设置以更靠近该晶粒区。
8.如权利要求4所述的切割道结构，其中沿该切割道区上定义的一切割路径对该半导体芯片执行一切割过程，该电路探测垫的每一个的一部分从该半导体芯片中被切出，并且在该切割过程后形成一剩余切割道结构。
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