【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言，涉及一种偏轴式晶体生长装置。
技术介绍
1、目前，基于pvt法的碳化硅晶体生长工艺中，晶体生长面的形状是影响晶体质量的重要因素之一。但是，现有的晶体生长装置，一般采用一体式准密闭式的生长坩埚，晶体生长面的形状受温场分布、粉料石墨化和坩埚设计等多个因素影响，通常会在晶体生长前期呈凹界面，在晶体生长中后期呈凸界面，也即晶体生长过程中其生长面无法保持稳定的形状，导致晶体缺陷较多，质量不高。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种偏轴式晶体生长装置，其能够使得晶体生长过程中其生长面保持稳定的凸界面，从而减少碳化硅晶体的缺陷，提高碳化硅晶体的质量。
2、本专利技术的实施例是这样实现的：
3、第一方面，本专利技术提供一种偏轴式晶体生长装置，包括：
4、密封室；
5、下坩埚，下坩埚设置于密封室内，用于盛装碳化硅粉料，下坩埚的顶部设置有气相出口；
6、上坩埚，上坩埚的底部开口且顶部内侧设置有籽晶，籽晶与上坩埚同轴设置，上坩埚的顶部外侧连接有驱动机构，用于在驱动机构的驱动下绕自身轴线旋转，上坩埚设置于密封室且与下坩埚在竖直方向上间隔设置，上坩埚的轴线与下坩埚的轴线在水平方向上间隔设置。
7、在可选的实施方式中，上坩埚的轴线和下坩埚的轴线在水平方向上的距离为l，籽晶的半径为r，其中，1≤l/r≤10。
8、在可选的实施方式中，上坩埚的轴线和下坩埚的轴线在水平方向上的距离为l，气相
9、在可选的实施方式中，上坩埚用于在驱动机构的驱动下沿水平方向移动，以调节上坩埚的轴线和下坩埚的轴线在水平方向上的距离。
10、在可选的实施方式中，上坩埚用于在驱动机构的驱动下沿竖直方向移动，以调节气相出口和籽晶的生长面在竖直方向上的距离。
11、在可选的实施方式中，下坩埚的外侧套设有保温层，气相出口从保温层露出。
12、在可选的实施方式中，保温层和下坩埚之间设置有第一加热器。
13、在可选的实施方式中，上坩埚的上方设置有环形的第二加热器。
14、在可选的实施方式中，密封室的侧壁底部设置有多个进气口。
15、在可选的实施方式中，密封室内的气压小于1pa。
16、本专利技术实施例的有益效果包括：
17、本专利技术实施例提供的偏轴式晶体生长装置包括密封室、下坩埚和上坩埚，下坩埚设置于密封室内，用于盛装碳化硅粉料，下坩埚的顶部设置有气相出口。上坩埚的底部开口且顶部内侧设置有籽晶，籽晶与上坩埚同轴设置，上坩埚的顶部外侧连接有驱动机构，用于在驱动机构的驱动下绕自身轴线旋转。上坩埚设置于密封室且与下坩埚在竖直方向上间隔设置，上坩埚的轴线与下坩埚的轴线在水平方向上间隔设置。通过采用分体偏轴式的上坩埚和下坩埚，同时设置籽晶随上坩埚在驱动机构的驱动下绕自身轴线旋转，可以使晶体在生长过程中生长面始终保持稳定的凸界面，从而有效减少碳化硅晶体的缺陷，提高碳化硅晶体的质量。一方面，碳化硅晶体的生长主要是台阶流生长模式，其生长面的稳定有利于减少台阶流的碰撞，有效减少位错缺陷的产生；另一方面，稳定的微凸界面能有效降低晶体内应力，降低开裂风险。同时，微凸生长面也意味着边缘的生长速率略小于中心位置的生长速率，避免晶体边缘长速过快形成多晶和相变。此外，微凸的晶体形状也有利于提高晶体的出片率，提高衬底片产能。
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1.一种偏轴式晶体生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的偏轴式晶体生长装置，其特征在于，所述上坩埚（500）的轴线和所述下坩埚（300）的轴线在水平方向上的距离为L，所述籽晶（600）的半径为r，其中，1≤L/r≤10。
3.根据权利要求1所述的偏轴式晶体生长装置，其特征在于，所述上坩埚（500）的轴线和所述下坩埚（300）的轴线在水平方向上的距离为L，所述气相出口（310）和所述籽晶（600）的生长面在竖直方向上的距离为H，其中，H=（0.5-5）L。
4.根据权利要求1所述的偏轴式晶体生长装置，其特征在于，所述上坩埚（500）用于在所述驱动机构（700）的驱动下沿水平方向移动，以调节所述上坩埚（500）的轴线和所述下坩埚（300）的轴线在水平方向上的距离。
5.根据权利要求1所述的偏轴式晶体生长装置，其特征在于，所述上坩埚（500）用于在所述驱动机构（700）的驱动下沿竖直方向移动，以调节所述气相出口（310）和所述籽晶（600）的生长面在竖直方向上的距离。
6.根据权利要求1所述的偏轴式晶体生长装置
7.根据权利要求6所述的偏轴式晶体生长装置，其特征在于，所述保温层（200）和所述下坩埚（300）之间设置有第一加热器（400）。
8.根据权利要求1所述的偏轴式晶体生长装置，其特征在于，所述上坩埚（500）的上方设置有环形的第二加热器（410）。
9.根据权利要求1所述的偏轴式晶体生长装置，其特征在于，所述密封室（100）的侧壁底部设置有多个进气口（800）。
10.根据权利要求1所述的偏轴式晶体生长装置，其特征在于，所述密封室（100）内的气压小于1Pa。
...【技术特征摘要】
1.一种偏轴式晶体生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的偏轴式晶体生长装置，其特征在于，所述上坩埚（500）的轴线和所述下坩埚（300）的轴线在水平方向上的距离为l，所述籽晶（600）的半径为r，其中，1≤l/r≤10。
3.根据权利要求1所述的偏轴式晶体生长装置，其特征在于，所述上坩埚（500）的轴线和所述下坩埚（300）的轴线在水平方向上的距离为l，所述气相出口（310）和所述籽晶（600）的生长面在竖直方向上的距离为h，其中，h=（0.5-5）l。
4.根据权利要求1所述的偏轴式晶体生长装置，其特征在于，所述上坩埚（500）用于在所述驱动机构（700）的驱动下沿水平方向移动，以调节所述上坩埚（500）的轴线和所述下坩埚（300）的轴线在水平方向上的距离。
5.根据权利要求1所述的偏轴式晶体生长装置，其特征在于，所述上坩埚（500）用...
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