【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于有源相控阵多功能射频前端领域，具体为一种硅基模块化变频组件。
技术介绍
1、变频组件是相控阵面射频前端采用超外差接收方式的的核心器件，它的功能是将tr组件接收输出的射频信号进行再次合成、混频、滤波及放大等处理，将高频射频信号变频至低频中频信号给ad进行采样。随着电子装备中对于射频前端轻量化、多功能及高集成度的迫切需求，传统变频组件受限于尺寸大、集成度低的问题；部分采用硅基或sip三维封装集成的变频组件多为单面贴装于单块印制板上的方式，空间利用率依旧不足，并且密集混合排布存在隔离度差的问题，同时所有功能单元贴装于单块印制板上存在可更换单元大和可靠性差的问题。
2、专利《一种硅基三维集成微波变频组件》(201911349357.x)提出了类似的解决方案，该申请通过将预选滤波增益控制和混频数字采样功能分别封成独立硅基模块，堆叠为双层硅基板结构并通过tsv互联传输，此方式将射频中频部分封在单硅基内，小空间内存在隔墙压力大，隔离度差的问题，并且多层堆叠受限于工艺精度，必然会引起指标恶化。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种硅基模块化变频组件。
2、实现本专利技术目的的技术方案为：一种硅基模块化变频组件，包括射频模块和中频模块两层模块；
3、所述射频模块用于接收来自前端组件输出的8路射频信号，实现延时、开关模式选择和开关滤波预选功能，输出4路射频信号传输至后级中频模块；
4、所述中频模块用于接收射频模块输出的4路射频信号
5、优选地，所述射频模块为双面结构，正面包括第一多层混压板，设置在第一多层混压板上的射频上盖板、硅基dl1、硅基dl2、硅基dl3、硅基dl4、8个射频输入smp接头，所述硅基dl1、硅基dl2内部结构相同，用于实现一级延时及开关模式选择功能，所述硅基dl3、硅基dl4内部结构相同，用于实现二级延时及多级放大功能，8个射频输入smp接头与硅基dl1、硅基dl2的输入口一一对应连接，正面通过射频上盖板进行密封；
6、反面包括第二多层混压板，设置在第二多层混压板上的硅基fp1、硅基fp2、硅基fp3、硅基fp4、调节电路、4个射频输出smp接头、低频插座，4个射频输出smp接头与硅基fp1、硅基fp2、硅基fp3、硅基fp4的输出端一一对应连接，硅基fp1、硅基fp2、硅基fp3、硅基fp4的输入端与硅基dl3、硅基dl4的输出端连接，硅基fp1、fp2、fp3、fp4用于实现开关滤波预选功能，反面通过射频下盖板进行密封。
7、优选地，所述硅基dl1、硅基dl2、硅基dl3、硅基dl4之间通过射频隔墙隔离，硅基fp1、硅基fp2、硅基fp3、硅基fp4之间通过射频隔墙隔离。
8、优选地，第一多层混压板与第二多层混压板之间通过中间隔墙隔开。
9、优选地，所述射频模块中硅基模组dl1和dl2包含开关模式选择网络，用于将接收到的8路射频信号rf1～rf8实现不同合成输出方式，有两种工作模式：
10、模式1：rf1，rf2合成信号输出至rfc1；rf3，rf4合成信号输出至rfc2；rf5，rf6合成信号输出至rfc3；rf7，rf8合成信号输出至rfc4；
11、模式2：rf1，rf3合成信号输出至rfc1；rf2，rf4合成信号输出至rfc2；rf5，rf7合成信号输出至rfc3；rf6，rf8合成信号输出至rfc4。
12、优选地，所述中频模块为双面结构，正面包括第一多层混压板，设置在第一多层混压板上的硅基mix1_1、硅基mix1_2、硅基mix1_3、硅基mix1_4、调节电路、4个中频输入smp接头；调节电路通过4个中频输入smp接头与射频模块的输出端对应连接，硅基mix1_1、硅基mix1_2、硅基mix1_3、硅基mix1_4的输入端与调节电路的输出端对应连接，正面通过中频上盖板密封，硅基mix1_1、硅基mix1_2、硅基mix1_3、硅基mix1_4均用于实现一级混频滤波放大功能；
13、反面包括第二多层混压板，设置在第二多层混压板上的硅基mix2_1、硅基mix2_2、硅基mix2_3、硅基mix2_4、7个中频输入输出smp接头、第二低频插座，mix2_1、硅基mix2_2、硅基mix2_3、硅基mix2_4与硅基mix1_1、硅基mix1_2、硅基mix1_3、硅基mix1_4的输出端一一对应连接，7个中频输入输出smp接头分别为一级本振输入smp接头，二级本振输入smp接头，4个与mix2_1、硅基mix2_2、硅基mix2_3、硅基mix2_4一样对应连接的输出smp接头，以及mix2_1、硅基mix2_2、硅基mix2_3、硅基mix2_4汇总后的信号输出smp接头，mix2_1、硅基mix2_2、硅基mix2_3、硅基mix2_4均用于实现二级混频滤波放大功能；第二低频插座用于输入低频供电及ttl信号。
14、优选地，硅基mix1_1、硅基mix1_2、硅基mix1_3、硅基mix1_4、调节电路、4个中频输入smp接头之间均通过中频隔墙隔离。
15、优选地，所述调节电路包括依次连接的温度补偿器、衰减器、均衡器。
16、优选地，所述射频模块和中频模块正反两面硅基模组都贴装在多层混压板上，射频信号和中频信号通过绝缘子贯穿互联。
17、优选地，射频模块和中频模块间通过smp-kk盲插连接。
18、本专利技术与现有技术比，其显著优点是：
19、(1)通过硅基集高效集成不同功能单元的方式提高集成度，并通过正反面双面贴装硅基模组于多层混压板上的方式提升空间利用率；
20、(2)通过射频和中频功能单元分模块设计及模组间混合多隔墙设计提高隔离度；
21、(3)采用正反面双面混压板设计分摊单板布线压力，增加布线灵活性，提升可靠性。
22、(4)增加模式选择网络，可切换双模式工作，拓展了变频组件工作灵活性，更好地配合前端实现多功能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种硅基模块化变频组件，其特征在于，包括射频模块和中频模块两层模块；
2.根据权利要求1所述的硅基模块化变频组件，其特征在于，所述射频模块为双面结构，正面包括第一多层混压板，设置在第一多层混压板上的射频上盖板、硅基DL1、硅基DL2、硅基DL3、硅基DL4、8个射频输入SMP接头，所述硅基DL1、硅基DL2内部结构相同，用于实现一级延时及开关模式选择功能，所述硅基DL3、硅基DL4内部结构相同，用于实现二级延时及多级放大功能，8个射频输入SMP接头与硅基DL1、硅基DL2的输入口一一对应连接，正面通过射频上盖板进行密封；
3.根据权利要求2所述的硅基模块化变频组件，其特征在于，所述硅基DL1、硅基DL2、硅基DL3、硅基DL4之间通过射频隔墙隔离，硅基FP1、硅基FP2、硅基FP3、硅基FP4之间通过射频隔墙隔离。
4.根据权利要求2所述的硅基模块化变频组件，其特征在于，第一多层混压板与第二多层混压板之间通过中间隔墙隔开。
5.根据权利要求2所述的硅基模块化变频组件，其特征在于，所述射频模块中硅基模组DL1和DL2包含开关模式选
6.根据权利要求1所述的硅基模块化变频组件，其特征在于，所述中频模块为双面结构，正面包括第一多层混压板，设置在第一多层混压板上的硅基MIX1_1、硅基MIX1_2、硅基MIX1_3、硅基MIX1_4、调节电路、4个中频输入SMP接头；调节电路通过4个中频输入SMP接头与射频模块的输出端对应连接，硅基MIX1_1、硅基MIX1_2、硅基MIX1_3、硅基MIX1_4的输入端与调节电路的输出端对应连接，正面通过中频上盖板密封，硅基MIX1_1、硅基MIX1_2、硅基MIX1_3、硅基MIX1_4均用于实现一级混频滤波放大功能；
7.根据权利要求6所述的硅基模块化变频组件，其特征在于，硅基MIX1_1、硅基MIX1_2、硅基MIX1_3、硅基MIX1_4、调节电路、4个中频输入SMP接头之间均通过中频隔墙隔离。
8.根据权利要求6所述的硅基模块化变频组件，其特征在于，所述调节电路包括依次连接的温度补偿器、衰减器、均衡器。
9.根据权利要求1所述的硅基模块化变频组件，其特征在于，所述射频模块和中频模块正反两面硅基模组都贴装在多层混压板上，射频信号和中频信号通过绝缘子贯穿互联。
10.根据权利要求1所述的硅基模块化变频组件，其特征在于，射频模块和中频模块间通过SMP-KK盲插连接。
...【技术特征摘要】
1.一种硅基模块化变频组件，其特征在于，包括射频模块和中频模块两层模块；
2.根据权利要求1所述的硅基模块化变频组件，其特征在于，所述射频模块为双面结构，正面包括第一多层混压板，设置在第一多层混压板上的射频上盖板、硅基dl1、硅基dl2、硅基dl3、硅基dl4、8个射频输入smp接头，所述硅基dl1、硅基dl2内部结构相同，用于实现一级延时及开关模式选择功能，所述硅基dl3、硅基dl4内部结构相同，用于实现二级延时及多级放大功能，8个射频输入smp接头与硅基dl1、硅基dl2的输入口一一对应连接，正面通过射频上盖板进行密封；
3.根据权利要求2所述的硅基模块化变频组件，其特征在于，所述硅基dl1、硅基dl2、硅基dl3、硅基dl4之间通过射频隔墙隔离，硅基fp1、硅基fp2、硅基fp3、硅基fp4之间通过射频隔墙隔离。
4.根据权利要求2所述的硅基模块化变频组件，其特征在于，第一多层混压板与第二多层混压板之间通过中间隔墙隔开。
5.根据权利要求2所述的硅基模块化变频组件，其特征在于，所述射频模块中硅基模组dl1和dl2包含开关模式选择网络，用于将接收到的8路射频信号rf1～rf8实现不同合成输出方式，有两种工作模式：
6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：巴洒，袁辰，韦炜，张兴稳，王勇，桂盛，
申请(专利权)人：中国船舶集团有限公司第七二三研究所，
类型：发明
国别省市：
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