【技术实现步骤摘要】
本揭示涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、专利文献1揭示出一种具有沟槽栅极构造的misfet(metal insulationsemiconductor field effect transistor：金属绝缘物半导体场效应晶体管)。所述沟槽栅极构造包含栅极沟槽、绝缘层、底侧电极及开口侧电极。专利文献1中，记载着通过对底侧电极施加基准电压，同时对开口侧电极施加栅极电压，而能抑制misfet的耐压降低且提高开关速度。
2、[
技术介绍
文献]
3、[专利文献]
4、[专利文献1]日本专利特开2020-072158号公报
技术实现思路
1、[专利技术要解决的问题]
2、然而，分割栅极构造的半导体装置中，期望减少接通电阻。
3、[解决问题的技术手段]
4、本揭示的一方面的半导体装置包含：半导体层，包含上表面；第1栅极沟槽及第2栅极沟槽，设置在所述半导体层，在从与所述上表面垂直的方向观察的俯视时，排列在第1方向上，在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；第3栅极沟槽，从所述第1栅极沟槽向所述第2栅极沟槽在所述第1方向延伸，在与所述第2栅极沟槽之间形成第1间隙；第4栅极沟槽，在所述第2方向上与所述第3栅极沟槽隔开配置，从所述第2栅极沟槽向所述第1栅极沟槽在所述第1方向延伸，在与所述第1栅极沟槽之间形成第2间隙；场板沟槽，配置在由所述第1～第4栅极沟槽包围的单元区域；栅极电极，配置在所述第1～第4栅极沟槽内；绝缘层，形成于所述半
5、[专利技术的效果]
6、根据本揭示的一方面的半导体装置，能谋求减少接通电阻。
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1.一种半导体装置，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的半导体装置，其中
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的半导体装置，其中
9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的半导体装置，其中
10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的半导体装置，其中
11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的半导体装置，其中还包含
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中
13.根据权利要求11或12所述的半导体装置，其中包含
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述第2场板电极与所述源极接触插塞电连接。
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的半导体装置，其中
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的半导体装置，其中
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