【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及一种接口装置，更具体地说，涉及一种接口装置及其内部的动态追踪偏压电路。
技术介绍
1、接口装置(interface device)用于接收输入电压或输出输出电压。然而，接口装置应由来自外部装置的许多电压供电，这可能会增加电路复杂性和制造成本。因此，有必要提出一种新的解决方案来解决先前技术的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种接口装置及其内部的动态追踪偏压电路，以解决上述问题。
2、在一个示例性实施例中，本专利技术涉及一种接口装置，该装置包括动态追踪偏压电路、esd(静电放电)箝位电路、前驱动器、后驱动器，以及i/o(输入/输出)焊垫。动态追踪偏压电路提供第一供电电压。该第一供电电压根据主电源电压和第二供电电压确定。esd箝位电路限制第二供电电压。后驱动器由前驱动器驱动。i/o焊垫由后驱动器驱动。前驱动器和后驱动器由主电源电压、第一供电电压，和第二供电电压供电。
3、在一些实施例中，主电源电压和第二供电电压来自外部的pmic(电源管理集成电路)。外部的pmic可以稳定供应主电源电压和第二供电电压，其中主电源电压和第二供电电压可以原本就是外部的pmic供应的，例如外部的pmic直接供应主电源电压和第二供电电压。本专利技术中外部的pmic不再直接供应第一供电电压。
4、在一些实施例中，第一供电电压不受任何esd箝位电路的限制。外部的pmic不再直接供应第一供电电压，因此可以省去对应的esd箝位电路和输入输出结构等，从
5、在一些实施例中，第一供电电压等于主电源电压减去第二供电电压。从而使得动态追踪偏压电路根据主电源电压和第二供电电压确定及提供第一供电电压。
6、在一些实施例中，动态追踪偏压电路包括电平转换器和输出驱动器。电平转换器根据主电源电压和第二供电电压生成第一供电电压。输出驱动器根据第一供电电压提供驱动能力。从而可以保证第一供电电压的正常供应。
7、在一些实施例中，动态追踪偏压电路的电平转换器包括第一晶体管和第一电阻。第一晶体管具有连接到第一节点的控制端，连接到第二供电电压的第一端，和连接到第一节点的第二端。第一电阻具有连接到第一节点的第一端，和连接到地电压的第二端。从而产生第一电流。
8、在一些实施例中，动态追踪偏压电路的电平转换器进一步包括第二晶体管和第三晶体管。第二晶体管具有连接到第一节点的控制端，连接到第二供电电压的第一端，和连接到第二节点的第二端。第三晶体管具有连接到第二节点的控制端，连接到地电压的第一端，和连接到第二节点的第二端。从而产生第二电流。
9、在一些实施例中，动态追踪偏压电路的电平转换器进一步包括第四晶体管、第五晶体管，和第二电阻。第四晶体管具有连接到第二节点的控制端，连接到地电压的第一端，和连接到供电节点的第二端。第二电阻具有连接到第三节点的第一端，和连接到供电节点的第二端。第五晶体管具有连接到第三节点的控制端，连接到主电源电压的第一端，和连接到第三节点的第二端。供电节点被设置为用于将第一供电电压输出至输出驱动器。从而产生第三电流。
10、在一些实施例中，第一晶体管、第二晶体管，和第五晶体管具有相同的晶体管尺寸。从而保证各电流之间更加接近。
11、在一些实施例中，每一个第一晶体管、第二晶体管，和第五晶体管均以pmosfet(p型金属氧化物半导体场效应晶体管)实现。
12、在一些实施例中，第三晶体管和第四晶体管具有相同的晶体管尺寸。从而保证各电流之间更加接近。
13、在一些实施例中，每一个第三晶体管和第四晶体管均以nmosfet(n型金属氧化物半导体场效应晶体管)实现。
14、在另一个示例性实施例中，本专利技术涉及动态追踪偏压电路，该电路包括电平转换器和输出驱动器。电平转换器根据主电源电压和第二供电电压生成第一供电电压。输出驱动器根据第一供电电压提供驱动能力。第一供电电压等于主电源电压减去第二供电电压。
15、在一些实施例中，其中所述动态追踪偏压电路的电平转换器包括：
16、第一晶体管，其中所述第一晶体管具有连接到的第一节点的控制端，连接到所述第二供电电压的第一端，和连接到所述第一节点的第二端；和
17、第一电阻，其中所述第一电阻具有连接到所述第一节点的第一端，和连接到一个地电压的第二端。从而产生第一电流。
18、在一些实施例中，其中所述动态追踪偏压电路的电平转换器进一步包括：
19、第二晶体管，其中所述第二晶体管具有连接到所述第一节点的控制端，连接到所述第二供电电压的第一端，和连接到一个第二节点的第二端；和
20、第三晶体管，其中所述第三晶体管具有连接到所述第二节点的控制端，连接到所述地电压的第一端，和连接到所述第二节点的第二端。从而产生第二电流。
21、在一些实施例中，其中所述动态追踪偏压电路的电平转换器进一步包括：
22、第四晶体管，其中所述第四晶体管具有连接到所述第二节点的控制端，连接到所述地电压的第一端，和连接到一个供电节点的第二端；
23、第二电阻，其中所述第二电阻具有连接到一个第三节点的第一端，和连接到所述供电节点的第二端；和
24、第五晶体管，其中所述第五晶体管具有连接到所述第三节点的控制端，连接到所述主电源电压的第一端，和连接到所述第三节点的第二端；
25、其中所述供电节点被设置为用于输出所述第一供电电压至所述输出驱动器。从而产生第三电流。
26、在一些实施例中，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管，和所述第五晶体管具有相同的晶体管尺寸。
27、在一些实施例中，其中每一个所述第一晶体管、所述第二晶体管，和所述第五晶体管均以pmosfet(p型金属氧化物半导体场效应晶体管)实现。
28、在一些实施例中，其中所述第三晶体管和所述第四晶体管具有相同的晶体管尺寸。从而保证各电流之间更加接近。
29、在一些实施例中，其中每一个所述第三晶体管和所述第四晶体管均以nmosfet(n型金属氧化物半导体场效应晶体管)实现。
30、本专利技术的接口装置由于包括动态追踪偏压电路、esd箝位电路、前驱动器、后驱动器，以及i/o焊垫。动态追踪偏压电路提供第一供电电压。该第一供电电压根据主电源电压和第二供电电压确定。esd箝位电路限制第二供电电压。后驱动器由前驱动器驱动。i/o焊垫由后驱动器驱动。前驱动器和后驱动器由主电源电压、第一供电电压，和第二供电电压供电。采用这种方式，可以无需由外部电源装置来直接提供第一供电电压，从而可以省去对应的esd箝位电路和输入输出结构，从而大幅降低接口装置的制造成本；同时本专利技术中使用动态追踪偏压电路提供第一供电电压，可以保证接口装置的性能不下降，保证接口装置的正常工作和功能完整性。由此，本专利技术在保持接口装置的功能和性能的同时，大幅降低了生产成本，有利于大规模的生产和应用。
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1.一种接口装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的接口装置，其特征在于，所述主电源电压和所述第二供电电压来自外部的PMIC(电源管理集成电路)。
3.如权利要求1所述的接口装置，其特征在于，所述第一供电电压不受任何ESD箝位电路的限制。
4.如权利要求1所述的接口装置，其特征在于，所述第一供电电压等于所述主电源电压减去所述第二供电电压。
5.如权利要求1所述的接口装置，其特征在于，所述动态追踪偏压电路包括：
6.如权利要求5所述的接口装置，其特征在于，所述动态追踪偏压电路的电平转换器包括：
7.如权利要求6所述的接口装置，其特征在于，所述动态追踪偏压电路的电平转换器进一步包括：
8.如权利要求7所述的接口装置，其特征在于，所述动态追踪偏压电路的电平转换器进一步包括：
9.如权利要求8所述的接口装置，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管，和所述第五晶体管具有相同的晶体管尺寸。
10.如权利要求8所述的接口装置，其特征在于，每一个所述第一晶体管、所述第二晶体管，
11.如权利要求8所述的接口装置，其特征在于，所述第三晶体管和所述第四晶体管具有相同的晶体管尺寸。
12.如权利要求8所述的接口装置，其特征在于，所述第三晶体管和所述第四晶体管均以NMOSFET(N型金属氧化物半导体场效应晶体管)实现。
13.一种动态追踪偏压电路，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种接口装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的接口装置，其特征在于，所述主电源电压和所述第二供电电压来自外部的pmic(电源管理集成电路)。
3.如权利要求1所述的接口装置，其特征在于，所述第一供电电压不受任何esd箝位电路的限制。
4.如权利要求1所述的接口装置，其特征在于，所述第一供电电压等于所述主电源电压减去所述第二供电电压。
5.如权利要求1所述的接口装置，其特征在于，所述动态追踪偏压电路包括：
6.如权利要求5所述的接口装置，其特征在于，所述动态追踪偏压电路的电平转换器包括：
7.如权利要求6所述的接口装置，其特征在于，所述动态追踪偏压电路的电平转换器进一步包括：
8.如权利要求7...
【专利技术属性】
技术研发人员：林育生，陈瑞明，艾飞，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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