【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别是涉及一种化学清洗液的检测方法。
技术介绍
1、为了消除外部环境对半导体器件性能的影响，进行成膜工艺之前会使用化学清洗液清洗晶圆表面，以去除表面的沾污或自然氧化层，使用含有金属离子的化学清洗液清洗晶圆之后，金属离子会残留晶圆表面，影响半导体器件的性能，如何快速检测化学清洗液内是否存在金属离子成为急需解决的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种化学清洗液的检测方法，可以优化检测化学清洗液的步骤，达到快速准确检测化学清洗液中是否存在金属离子的目的。
2、本公开提供一种化学清洗液的检测方法，包括：
3、提供基底；
4、使用化学清洗液清洗所述基底；
5、于基底表面形成叠层结构，所述叠层结构包括自下而上依次叠置的介电层、导电层；
6、测试叠层结构的电参数；
7、根据电参数判定化学清洗液中是否存在金属污染。
8、在其中一个实施例中，提供基底包括：
9、提供测试晶圆；
10、于基底表面形成叠层结构包括：
11、于测试晶圆表面形成叠层结构。
12、在其中一个实施例中，化学清洗液至少包括氨水溶液、硫酸溶液、氢氟酸溶液、硝酸溶液、盐酸溶液或者过氧化氢溶液中的一种。
13、在其中一个实施例中，于基底表面形成叠层结构包括：
14、于基底表面形成叠层结构材料层；
15、于叠层结构材料层上形成图形化掩膜层，
16、基于图形化掩膜层对叠层结构材料层进行图形化处理，以得到所述叠层结构。
17、在其中一个实施例中，导电层包括第一导电层和第二导电层，于基底表面形成叠层结构材料层包括：
18、于基底表面形成介电材料层；
19、于介电材料层上形成第一导电材料层；
20、于第一导电材料层上形成第二导电材料层；
21、基于图形化掩膜层对叠层结构材料层进行图形化处理，包括：
22、基于图形化掩膜层对第二导电材料层、第一导电材料层以及介电材料层进行图形化处理，以得到第二导电层、第一导电层以及介电层。
23、在其中一个实施例中，介电层的构成材料包括氧化物、氮氧化物，第一导电层的构成材料包括多晶硅，第二导电层的构成材料包括金属、导电性金属氮化物、导电性金属氧化物和金属硅化物中的一种或多种。
24、在其中一个实施例中，于叠层结构材料层上形成图形化掩膜层包括：
25、于叠层结构材料层上形成掩膜材料层；
26、对掩膜材料层进行图形化处理，以得到图形化掩膜层。
27、在其中一个实施例中，图形化掩膜层包括氮氧化硅掩膜层和无定形碳掩膜层；于叠层结构材料层上形成掩膜材料层包括：
28、于叠层结构材料层上形成无定形碳层；
29、于无定形碳层上形成氮氧化硅层；
30、其中，对氮氧化硅层、无定形碳层进行图形化处理，得到氮氧化硅掩膜层及无定形碳掩膜层。
31、在其中一个实施例中，电参数包括栅源间漏电流，根据电参数判定化学清洗液中是否存在金属污染包括：
32、在电参数大于或等于预设值时，判定化学清洗液中存在金属污染；
33、在电参数小于预设值时，判定化学清洗液中不存在金属污染。
34、在其中一个实施例中，化学清洗液的检测方法的检测范围为金属离子浓度大于或等于10-2ppb。
35、上述化学清洗液的检测方法，在化学清洗液清洗后的基底表面形成叠层结构，然后测试叠层结构的电参数，通过电参数判定化学清洗液中是否存在金属污染，该检测方法不需要破坏基底，操作简单，测试成本低，易于自动化。
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1.一种化学清洗液的检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述提供基底包括：
3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述化学清洗液至少包括氨水溶液、硫酸溶液、氢氟酸溶液、硝酸溶液、盐酸溶液或者过氧化氢溶液中的一种。
4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述于所述基底表面形成叠层结构包括：
5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述于所述基底表面形成叠层结构材料层包括：
6.根据权利要求5所述的检测方法，其特征在于，所述介电层的构成材料包括氧化物、氮氧化物，所述第一导电层的构成材料包括多晶硅，所述第二导电层的构成材料包括金属、导电性金属氮化物、导电性金属氧化物和金属硅化物中的一种或多种。
7.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，于所述叠层结构材料层上形成图形化掩膜层包括：
8.根据权利要求7所述的检测方法，其特征在于，所述图形化掩膜层包括氮氧化硅掩膜层和无定形碳掩膜层；所述于所述叠层结构材料层
9.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述电参数包括栅源间漏电流，根据所述电参数判定所述化学清洗液中是否存在金属污染包括：
10.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法的检测范围为金属离子浓度大于或等于10-2ppb。
...【技术特征摘要】
1.一种化学清洗液的检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述提供基底包括：
3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述化学清洗液至少包括氨水溶液、硫酸溶液、氢氟酸溶液、硝酸溶液、盐酸溶液或者过氧化氢溶液中的一种。
4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述于所述基底表面形成叠层结构包括：
5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述于所述基底表面形成叠层结构材料层包括：
6.根据权利要求5所述的检测方法，其特征在于，所述介电层的构成材料包括氧化物、氮氧化物，所述第一导电层的构成...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘浩东，施艳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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