【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、已知具有如下构造的半导体装置，即，在形成于半导体基板的表面之上的表面电极连接了金属制的引线框。例如，在下述专利文献1中公开了如下结构的半导体装置，即，在从保护膜露出的表面电极之上具有镀敷电极，经由作为接合材料的焊料将镀敷电极和引线框连接。在专利文献1中，将镀敷电极和引线框之间连接的焊料与保护膜的倾斜的侧面接触。另外，上述保护膜、镀敷电极、焊料及引线框被模塑树脂封装。
2、专利文献1：日本特开2013-16538号公报
技术实现思路
1、在具有上述那样的结构的半导体装置中，如果通过与半导体元件的接通、断开相伴的发热及冷却而产生了温度分布，则会根据各部件的线膨胀系数的不同，在各部件的边界产生应力。特别地，如果模塑树脂及保护膜的膨胀、收缩量与镀敷电极、接合材料及引线框的膨胀、收缩量不同，在两者之间的边界反复产生应力，则剥离强度低的镀敷电极的端部剥离，成为导致半导体装置破损的原因。
2、本专利技术就是为了解决以上那样的课题而提出的，其目的在于，防止由半导体装置的各部位的线膨胀系数的不同引起的应力所导致的镀敷电极的剥离。
3、本专利技术涉及的半导体装置具有：半导体基板，其形成有半导体元件；表面电极，其形成于所述半导体基板的表面之上；保护膜，其形成于所述表面电极之上，具有将所述表面电极的一部分露出的开口部；镀敷电极，其形成于在所述保护膜的所述开口部露出的所述表面电极之上；引线框，其
4、专利技术的效果
5、根据本专利技术，防止了由半导体装置的各部位的线膨胀系数的不同引起的应力所导致的镀敷电极的剥离。
6、通过下面的详细说明和附图，本专利技术的目的、特征、方案及优点会变得更加清楚。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，
10.一种电力变换装置，其具有：
11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，
13.根据权利要求11或12所述的半导体装置的制造方法，其中，
14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，
15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中，
16.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其
17.根据权利要求11至16中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
18.根据权利要求11至17中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
19.根据权利要求11至17中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
20.根据权利要求11至19中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
21.根据权利要求11至20中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，
10.一种电力变换装置，其具有：
11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉松直树，境纪和，河面英夫，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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