用于半导体设备的补液装置制造方法及图纸

技术编号:43179689 阅读:12 留言:0更新日期:2024-11-01 20:06
本公开涉及一种用于半导体设备的补液装置,该用于半导体设备的补液装置包括分流装置和吹扫装置;分流装置被配置为将来自供液源的液体分配至至少一个作业机台,分流装置包括至少一个分流阀和至少一个供液管路,分流阀的入口与供液源流体连通,供液管路连接于分流阀的出口与作业机台之间;吹扫装置与供液管路流体连通,吹扫装置被配置为引入来自吹扫气源的吹扫气体以对供液管路进行吹扫,从而清除供液管路中的杂质和空气。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体生产制造领域,尤其涉及一种用于半导体设备的补液装置


技术介绍

1、在集成电路制造业中,随着半导体制程技术的不断进步与精密工艺设备的日益完善,对晶圆表面缺陷的控制要求越来越严格。尤其是对于先进制程而言,即便是仅数十纳米尺寸的微小缺陷,也会对晶圆的整体良率产生显著影响。炉管高温氧化工艺由于其出色的可规模化生产能力,在集成电路制造中占据核心地位,而二氯乙烷(dce)作为高纯度氯源,在该工艺中起着关键作用。dce不仅能够显著加速硅片的氧化过程,提高生产效率,还能够有效地捕获钠离子,防止半导体器件受到污染,确保最终产品的纯净度。

2、然而,dce的化学性质决定了其对环境条件极为敏感。其活泼的化学性质易引发聚合、氯化、分解等反应,尤其在接触到潮湿、日光或空气时,dce会快速分解生成剧毒的光气、氯化氢以及聚合物等有害副产物。这些副产物不仅严重损害dce本身的纯度和效能,更会对炉管高温氧化工艺造成直接影响,导致晶圆表面出现缺陷,进而降低整体良率。

3、在实际生产中,晶圆缺陷的表现在很大程度上取决于dce的储存、输送及使用过程中的纯净度管理。当晶圆缺陷出现时,不仅揭示了工艺流程中可能存在污染源,还对后续的良率提升带来了严峻挑战。晶圆缺陷的成因复杂,可能涉及多种因素,包括但不限于dce补液系统的密封性能、输送管道的清洁度、气体吹扫的有效性以及与环境因素的隔离程度等。解决这些问题往往需要进行深入的工艺诊断、材料分析以及长时间的实验优化,整个过程可能耗时数月之久,严重影响生产效率并增加成本。

4、总之,如何通过严格控制dce的使用环境、优化输送系统设计,有效减少晶圆缺陷的发生,是当前集成电路制造领域亟待解决的技术难题。

5、需要说明的是,公开于本公开
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本公开的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。


技术实现思路

1、本公开提供一种用于半导体设备的补液装置,可以清除供液管路内部的杂质和空气,维持管路内部输送的液体的纯度和性能稳定。

2、根据本公开的一个方面,提供一种用于半导体设备的补液装置,包括:

3、分流装置,分流装置被配置为将来自供液源的液体分配至至少一个作业机台,分流装置包括至少一个分流阀和至少一个供液管路,分流阀的入口与供液源流体连通,供液管路连接于分流阀的出口与作业机台之间;和

4、吹扫装置,吹扫装置与供液管路流体连通,吹扫装置被配置为引入来自吹扫气源的吹扫气体以对供液管路进行吹扫,从而清除供液管路中的杂质和空气。

5、在一些实施例中,吹扫装置包括开关阀和与供液管路流体连通的供气接头,开关阀设置于吹扫气源和供气接头之间,以控制吹扫气源和供气接头之间供气管路的通断。

6、在一些实施例中,供气接头包括与供液管路连接的第一接口和与开关阀连接的第二接口。

7、在一些实施例中,供气接头还包括与分流阀连接的第三接口,第三接口与第一接口和第二接口连通。

8、在一些实施例中,吹扫装置包括三通阀,三通阀的一个阀口用于与吹扫气源连接,另外两个阀口分别与分流阀和供液管路连接。

9、在一些实施例中,三通阀为针阀或膜阀。

10、在一些实施例中,吹扫装置包括单向阀,单向阀的流通方向是从吹扫气源流向供液管路的方向。

11、在一些实施例中,半导体设备的补液装置还包括防漏帽,防漏帽被配置为在完成对供液管路的吹扫后对吹扫装置的入口进行密封。

12、在一些实施例中,供液管路为pfa管路。

13、在一些实施例中,半导体设备的补液装置还包括安装箱,分流阀和吹扫装置设置于安装箱中。

14、基于上述技术方案,本公开设置分流装置,通过分流阀和供液管路起到流量控制和分配的作用,以确保每个作业机台得到合适流量的液体;而设置吹扫装置用于引入吹扫气体对供液管路进行有效清洁,清除其内部可能存在的杂质和空气,能够维持输送至作业机台的液体纯度和性能稳定,提高炉管高温氧化工艺的良品率。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于半导体设备的补液装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的用于半导体设备的补液装置,其特征在于,所述吹扫装置包括开关阀和与所述供液管路流体连通的供气接头,所述开关阀设置于所述吹扫气源和所述供气接头之间,以控制所述吹扫气源和所述供气接头之间供气管路的通断。

3.根据权利要求2所述的用于半导体设备的补液装置,其特征在于,所述供气接头包括与所述供液管路连接的第一接口和与所述开关阀连接的第二接口。

4.根据权利要求3所述的用于半导体设备的补液装置,其特征在于,所述供气接头还包括与所述分流阀连接的第三接口,所述第三接口与所述第一接口和所述第二接口连通。

5.根据权利要求1所述的用于半导体设备的补液装置,其特征在于,所述吹扫装置包括三通阀,所述三通阀的一个阀口用于与所述吹扫气源连接,另外两个阀口分别与所述分流阀和所述供液管路连接。

6.根据权利要求5所述的用于半导体设备的补液装置,其特征在于,所述三通阀为针阀或膜阀。

7.根据权利要求1~6任一项所述的用于半导体设备的补液装置,其特征在于,所述吹扫装置包括单向阀,所述单向阀的流通方向是从所述吹扫气源流向所述供液管路的方向。

8.根据权利要求1~6任一项所述的用于半导体设备的补液装置,其特征在于,还包括防漏帽,所述防漏帽被配置为在完成对所述供液管路的吹扫后对所述吹扫装置的入口进行密封。

9.根据权利要求1~6任一项所述的用于半导体设备的补液装置,其特征在于,所述供液管路为PFA管路。

10.根据权利要求1~6任一项所述的用于半导体设备的补液装置,其特征在于,还包括安装箱,所述分流阀和所述吹扫装置设置于所述安装箱中。

...

【技术特征摘要】

1.一种用于半导体设备的补液装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的用于半导体设备的补液装置,其特征在于,所述吹扫装置包括开关阀和与所述供液管路流体连通的供气接头,所述开关阀设置于所述吹扫气源和所述供气接头之间,以控制所述吹扫气源和所述供气接头之间供气管路的通断。

3.根据权利要求2所述的用于半导体设备的补液装置,其特征在于,所述供气接头包括与所述供液管路连接的第一接口和与所述开关阀连接的第二接口。

4.根据权利要求3所述的用于半导体设备的补液装置,其特征在于,所述供气接头还包括与所述分流阀连接的第三接口,所述第三接口与所述第一接口和所述第二接口连通。

5.根据权利要求1所述的用于半导体设备的补液装置,其特征在于,所述吹扫装置包括三通阀,所述三通阀的一个阀口用于与所述吹扫气源连接,另...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘付越方煜林魏巍
申请(专利权)人:深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1