【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件封装领域，尤其涉及一种晶圆级芯片制造方法。
技术介绍
1、系统级封装sip(systemin package)能够将多个不同功能的有源元件，以及无源元件、微机电系统(mems)、光学元件等其他元件，组合到一个单元中，形成一个可提供多种功能的系统或子系统，允许异质ic集成。有效解决了soc(系统级芯片)不能集成模拟、射频和数字功能。系统级封装sip集成相对简单，设计周期和面市周期更短，成本较低，可以实现更复杂的系统。
2、现有技术中，芯片封装时，先将芯片键合在晶圆的一面，先不与晶圆电连接，再做塑封工艺，将芯片密封固定，然后在晶圆的另一面形成连通芯片的通孔(通孔中形成有导电结构)，将芯片的电信号通过导电结构引出。晶圆经塑封工艺后翘曲度大，光刻时线宽难以做小，还会出现机台无法把持晶圆的问题。因此，如何提高系统级封装集成度，实现更好的线宽和更高的良率，是目前研究的课题。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种晶圆级芯片制造方法包括：
2、提供第一晶圆，所述第一晶圆包括至少两个阵列排列的相同的第一裸芯片，裸芯片表面具有i/o金属焊垫；
3、在第一晶圆上形成第一键合层；
4、提供第二重构晶圆衬底和至少四个第二芯片，所述第二芯片具有器件层及与器件层相连的电极层；
5、将第二芯片键合在第二重构晶圆衬底上，至少两个第二芯片的位置和第一裸芯片的位置对应，第二芯片的电极层背离第二晶圆；
<...【技术保护点】
1.一种晶圆级芯片制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆级芯片制造方法，其特征在于，所述第二介电层的材料与第一键合层材料相同，在将第二重构晶圆和第一晶圆键合步骤中，所述第一键合层和第二键合层贴合。
3.如权利要求1所述的晶圆级芯片制造方法，其特征在于，还包括在第二介电层上继续形成第二键合层。
4.如权利要求2所述的晶圆级芯片制造方法，其特征在于，所述第一晶圆和第二晶圆的尺寸相同，在键合过程中，边缘重合。
5.如权利要求3所述的晶圆级芯片制造方法，其特征在于，在取出第二晶圆后还包括去除第二芯片和第二晶圆之间的键合材料。
6.如权利要求4所述的晶圆级芯片制造方法，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的材料不同。
7.如权利要求5所述的晶圆级芯片制造方法，其特征在于，刻蚀第一介电层和第二介电层形成通孔步骤包括：
8.如权利要求6所述的晶圆级芯片制造方法，其特征在于，所述刻蚀第一介电层和第二介电层形成通孔步骤需要利用光学对准。
9.如权利要求7所述的晶圆级芯片制造方法，其特
10.如权利要求8所述的晶圆级芯片制造方法，其特征在于，在刻蚀第一介电层和第二介电层形成通孔步骤前还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆级芯片制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆级芯片制造方法，其特征在于，所述第二介电层的材料与第一键合层材料相同，在将第二重构晶圆和第一晶圆键合步骤中，所述第一键合层和第二键合层贴合。
3.如权利要求1所述的晶圆级芯片制造方法，其特征在于，还包括在第二介电层上继续形成第二键合层。
4.如权利要求2所述的晶圆级芯片制造方法，其特征在于，所述第一晶圆和第二晶圆的尺寸相同，在键合过程中，边缘重合。
5.如权利要求3所述的晶圆级芯片制造方法，其特征在于，在取出第二晶圆后还包括去除第二芯片和第二晶圆之间的键合材...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄河，
申请(专利权)人：深圳瑞纳电子技术发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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