【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片封装，具体涉及一种纳米级led芯片扇出型封装方法及其产品。
技术介绍
1、目前，led芯片尺寸一般控制在几十至几百微米范围内，但随着半导体电子技术的高速发展，未来led芯片的发展趋势将会是更高的发光效率、更低的功耗、更快的传输速度、更宽广的色域。为了满足终端电子产品更小型化、更高集成化、更多能化的扇出封装需求，或许可以考虑实现微米级led芯片至纳米级led芯片封装的跨越的可能性，但目前还没有相关研究出现。
技术实现思路
1、为解决现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种纳米级led芯片扇出型封装方法及其产品。
2、为实现上述目的，达到上述技术效果，本专利技术采用的技术方案为：
3、一种纳米级led芯片扇出型封装方法，包括以下步骤：
4、首先，提供一硅片，所述硅片上设置有驱动电路和金属块，在硅片的一面键合玻璃ⅰ；
5、随后，对应于金属块的位置，对硅片的另一面进行刻蚀、沉积绝缘材料和导电材料及整平填充材料，再进行重布线，最后键合玻璃ⅱ；
6、再将第一次键合的玻璃ⅰ拆掉，露出驱动电路和金属块，在驱动电路旁边贴装纳米级led芯片，将纳米级led芯片与驱动电路电性连接，随后使用黑色胶材料遮盖纳米级led芯片周边位置，避免其他光线的干扰；
7、再将第二次键合的玻璃ⅱ拆掉，并植球，实现将纳米级led芯片光学信号转换成电信号。
8、进一步的，所述封装方法包括以下步骤：
9
10、2)在硅片的上表面键合玻璃ⅰ；
11、3)对硅片的下表面进行减薄、蚀刻；
12、4)对应于金属块的位置，对硅片的下表面进行刻蚀形成硅通孔，用于硅片上、下表面的信号连接；
13、5)在硅片的下表面以及硅通孔内，沉积绝缘材料；
14、6)将硅通孔内底部的绝缘材料刻蚀掉，露出金属块下表面；
15、7)在绝缘材料上覆上金属材料，用于硅片上下表面的电性连接；
16、8)采用整平填充材料整平硅片的下表面并填充硅通孔；
17、9)在硅片的下表面作业重布线层；
18、10)在重布线层表面布置若干层钝化层和重布线结构，最表面设置焊盘；
19、11)在硅片的下表面键合玻璃ⅱ；
20、12)将第一次键合的玻璃ⅰ拆掉，露出驱动电路和金属块，在驱动电路旁边贴装纳米级led芯片，将纳米级led芯片与驱动电路电性连接；
21、13)在硅片的上表面涂覆黑色胶材料，使用黑色胶材料遮盖纳米级led芯片周边位置，避免其他光线的干扰；
22、14)将第二次键合的玻璃ⅱ拆掉，露出焊盘；
23、15)通过植球工艺将锡球置于焊盘表面，实现将纳米级led芯片的光信号转化为电信号输出；
24、16)在硅片的上表面覆盖透明保护罩，用于保护纳米级led芯片表面不被损坏。
25、进一步的，步骤2)中，所述玻璃ⅰ通过临时键合胶ⅰ键合在硅片的上表面。
26、进一步的，步骤5)中，所述绝缘材料采用sin或sio，所述绝缘材料设置于硅片的下表面和硅通孔内。
27、进一步的，步骤7)中，所述金属材料采用铜，所述金属材料设置于硅片的下表面和硅通孔侧壁。
28、进一步的，步骤8)中，所述整平填充材料采用干膜类材料、环氧树脂类材料、金属材料中的任一种。
29、进一步的，步骤11)中，所述玻璃ⅱ通过临时键合胶ⅱ键合在硅片的下表面。
30、进一步的，步骤12)中，所述纳米级led芯片为纳米级感光芯片，通过巨量转移技术贴装在驱动电路旁边。
31、本专利技术还公开了一种纳米级led芯片扇出型封装方法制备得到的封装结构。
32、进一步的，所述封装结构包括硅片，所述硅片的上表面嵌有驱动电路和金属块，所述驱动电路和金属块之间电性相连，所述硅片的上表面还设置有纳米级led芯片，所述纳米级led芯片与驱动电路电性连接，所述硅片的上表面、纳米级led芯片以外的位置设置有黑色胶材料，所述纳米级led芯片上方罩有透明保护罩，用于保护纳米级led芯片表面不被损坏，所述硅片的下表面开设有硅通孔，所述硅片的下表面以及硅通孔侧壁设置有绝缘材料，所述硅片的下表面以及硅通孔内由内至外依次设置有金属材料、整平填充材料，所述整平填充材料上设置有重布线层、钝化层、重布线结构，所述重布线结构表面具有焊盘，所述焊盘上设置有锡球。
33、与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
34、本专利技术公开了一种纳米级led芯片扇出型封装方法及其产品，能够实现微米级led芯片至纳米级led芯片封装的跨越，纳米级led芯片的尺寸更小、传输速度更快、功耗更低，效率成倍增长，效率将是同类产品的1000倍，且能够实现将纳米级led芯片的超高密度光学信号转化成电信号，增加集成度，提高结构的性能，可弥补市场空白，响应增长的产品市场需求。
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1.一种纳米级LED芯片扇出型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种纳米级LED芯片扇出型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种纳米级LED芯片扇出型封装方法，其特征在于，步骤2)中，所述玻璃Ⅰ通过临时键合胶Ⅰ键合在硅片的上表面。
4.根据权利要求2所述的一种纳米级LED芯片扇出型封装方法，其特征在于，步骤5)中，所述绝缘材料采用SiN或SiO，所述绝缘材料设置于硅片的下表面和硅通孔内。
5.根据权利要求2所述的一种纳米级LED芯片扇出型封装方法，其特征在于，步骤7)中，所述金属材料采用铜，所述金属材料设置于硅片的下表面和硅通孔侧壁。
6.根据权利要求2所述的一种纳米级LED芯片扇出型封装方法，其特征在于，步骤8)中，所述整平填充材料采用干膜类材料、环氧树脂类材料、金属材料中的任一种。
7.根据权利要求2所述的一种纳米级LED芯片扇出型封装方法，其特征在于，步骤11)中，所述玻璃Ⅱ通过临时键合胶Ⅱ键合在硅片的下表面。
8.根据权利要求2所述的
9.根据权利要求1-8任一所述的一种纳米级LED芯片扇出型封装方法制备得到的封装结构。
10.根据权利要求9所述的一种纳米级LED芯片扇出型封装结构，其特征在于，包括硅片，所述硅片的上表面嵌有驱动电路和金属块，所述驱动电路和金属块之间电性相连，所述硅片的上表面还设置有纳米级LED芯片，所述纳米级LED芯片与驱动电路电性连接，所述硅片的上表面、纳米级LED芯片以外的位置设置有黑色胶材料，所述纳米级LED芯片上方罩有透明保护罩，用于保护纳米级LED芯片表面不被损坏，所述硅片的下表面开设有硅通孔，所述硅片的下表面以及硅通孔侧壁设置有绝缘材料，所述硅片的下表面以及硅通孔内由内至外依次设置有金属材料、整平填充材料，所述整平填充材料上设置有重布线层、钝化层、重布线结构，所述重布线结构表面具有焊盘，所述焊盘上设置有锡球。
...【技术特征摘要】
1.一种纳米级led芯片扇出型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种纳米级led芯片扇出型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种纳米级led芯片扇出型封装方法，其特征在于，步骤2)中，所述玻璃ⅰ通过临时键合胶ⅰ键合在硅片的上表面。
4.根据权利要求2所述的一种纳米级led芯片扇出型封装方法，其特征在于，步骤5)中，所述绝缘材料采用sin或sio，所述绝缘材料设置于硅片的下表面和硅通孔内。
5.根据权利要求2所述的一种纳米级led芯片扇出型封装方法，其特征在于，步骤7)中，所述金属材料采用铜，所述金属材料设置于硅片的下表面和硅通孔侧壁。
6.根据权利要求2所述的一种纳米级led芯片扇出型封装方法，其特征在于，步骤8)中，所述整平填充材料采用干膜类材料、环氧树脂类材料、金属材料中的任一种。
7.根据权利要求2所述的一种纳米级led芯片扇出型封装方法，其特征在于，步骤11)中，所述玻璃ⅱ通过临时键合胶ⅱ...
【专利技术属性】
技术研发人员：付东之，马书英，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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