【技术实现步骤摘要】
本公开内容关于一种半导体元件，特别是关于一种具有切割道结构的半导体元件。
技术介绍
1、设计ddr4(双倍数据速率4)存储器晶片时，电路探测垫与键合垫可能位于存储器晶片的一个边缘附近，以改善高速电气特性。
2、一个使用18纳米技术2gb ddr4 dram晶片的面积约为8mm x 8mm，并且一个半导体晶圆上可以有数百或数千个相同的存储器晶片。然而，每个存储器晶片上可以有许多探测垫与键合垫，这些探测垫与键合垫在存储器晶片的总面积中所占据的面积可能相当大，导致存储器晶片的成本提高与尺寸增大。
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种半导体元件，包括多个晶粒区、一切割道区以及多个电路探测垫。该多个晶粒区设置于一半导体晶圆上。该切割道区设置于该多个晶粒区之间。该多个电路探测垫设置于该晶粒区的一第一顶面以及该切割道的一第二顶面上。
2、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个晶粒区的每一个包括一功能电路，而该切割道区是一非功能区。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该多个电路探测垫的每一个的一部分与该多个晶粒区的每一个的该功能电路电连接。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该多个晶粒区的每一个的该功能电路通过与一外部测试设备电连接并置于该多个电路探测垫上的多个电路探测针来测试。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个电路探测垫的每一个的一中心设置于该多个晶粒区的每一个与该切割道区之间的一边界上。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个电路探测垫的每一个的一中心是根据该切割道区的一中心线经设置以远离该多个晶粒区的每一个。
7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个电路探测垫的每一个的一中心是根据该切割道区的一中心线经设置以更靠近该多个晶粒区的每一个。
8.如权利要求4所述的半导体元件，其中该切割道区上定义的一个或多个切割路径对该半导体晶圆执行一切割过程，该多个电路探测垫的每一个
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该多个晶粒区以及该剩余切割道结构被封装成一半导体晶片封装。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该半导体晶片封装更包括一剩余电路探测垫，是对应于在该切割过程后获得的该多个电路探测垫的每一个。
11.如权利要求7所述的半导体元件，其中该多个晶粒区的每一个通过一导线键合与一印刷电路板的一基板电连接。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个晶粒区的每一个包括一功能电路，而该切割道区是一非功能区。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该多个电路探测垫的每一个的一部分与该多个晶粒区的每一个的该功能电路电连接。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该多个晶粒区的每一个的该功能电路通过与一外部测试设备电连接并置于该多个电路探测垫上的多个电路探测针来测试。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个电路探测垫的每一个的一中心设置于该多个晶粒区的每一个与该切割道区之间的一边界上。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个电路探测垫的每一个的一中心是根据该切割道区的一中心线经设置以远离该多个晶粒区的每一个。
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨吴德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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