【技术实现步骤摘要】
本技术(根据本专利技术的技术)涉及光检测装置和电子设备，并且特别地，涉及一种能够有效地适用于具有相位差检测像素的光检测装置和电子设备的技术。
技术介绍
1、作为光检测装置，固态摄像装置是已知的。在这样的个体摄像装置中，存在着通过在一个芯片上透镜(on-chip lens)的下侧埋入多个光电转换元件来执行光瞳分割(pupildivision)的方式。例如，在用于诸如单反相机(single-lens reflex camera)或智能手机等电子设备的内置式相机的光检测装置中，采用了这样的个体摄像装置。此外，在光检测装置中，已知一种在相位差检测时通过把由布置于一个芯片上透镜下方的多个光电转换元件进行光电转换而得到的信号电荷读出为独立信号从而执行相位差检测的方式。
2、这种固态摄像装置包括如下的光电转换单元：在所述光电转换单元中，利用在半导体层的厚度方向上延伸的像素分离区域对应于每个像素对半导体层进行了划分。进一步地，利用在半导体层的厚度方向上延伸的像素内分离区域(in-pixel isolation region)，把所述光电转换单元划分为多个光电转换区域，并且在多个光电转换区域每一者中都布置有光电转换部、传输晶体管和电荷保持区域(浮动扩散部：floating diffusion)。
3、另一方面，在光电转换单元的与光入射面侧相反的一侧上设置有由元件分离区域划分出的元件形成区域，并且在所述元件形成区域中布置有读出电路中所包含的诸如放大晶体管、传输晶体管和复位晶体管等像素晶体管。
4、注意，在专利文献
5、引用文献列表
6、专利文献
7、专利文献1：美国专利申请公开第2017/0012066号公报
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题
2、顺便提及的是，在固态摄像装置中，由于与图像高品质化伴随而来的像素数量的增加，就要求像素的微细化。然而，随着像素的微细化，就难以实现在光电转换单元中布置诸如传输晶体管和读出电路中所包含的像素晶体管等有源元件。特别地，在包括像素内分离区域的光电转换单元中，难以在像素内分离区域中布置有源元件，于是，有源元件的布置自由度就更低了。
3、本技术的目的是增加有源元件的布置自由度。
4、解决问题的技术方案
5、[1]根据本技术的一个方面的光检测装置包括：
6、半导体层，其具有在厚度方向上位于彼此的相对侧上的第一表面和第二表面；和
7、光电转换单元，其设置于所述半导体层中，并且由在所述半导体层的厚度方向上延伸的第一分离区域划分出。
8、进一步地，所述光电转换单元包括：
9、第一光电转换区域和第二光电转换区域，它们二者以在平面图中彼此相邻的方式设置于所述半导体层中，且它们各自都具有光电转换部和传输晶体管；
10、第二分离区域，其在平面图中被布置于所述第一光电转换区域与所述第二光电转换区域之间，且在所述半导体层的厚度方向上延伸；以及
11、元件形成区域，其以由第三分离区域划分出的方式设置于所述半导体层的所述第一表面侧处，且其设置有像素晶体管，
12、并且，所述元件形成区域以在平面图中遍及于所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域上的方式延伸。
13、[2]根据本技术的另一方面的光电转换装置包括：
14、半导体层，其具有在厚度方向上位于彼此的相对侧上的第一表面和第二表面；和
15、光电转换单元，其设置于所述半导体层中，并且由在所述半导体层的厚度方向上延伸的第一分离区域划分出。
16、进一步地，所述光电转换单元包括：
17、第一光电转换区域和第二光电转换区域，它们二者以在平面图中彼此相邻的方式设置于所述半导体层中，并且它们各自都具有光电转换部和传输晶体管；
18、第二分离区域，其在平面图中被布置于所述第一光电转换区域与所述第二光电转换区域之间，且在所述半导体层的厚度方向上延伸；
19、元件形成区域，其以由第三分离区域划分出的方式设置于所述半导体层的所述第一表面侧处，且其设置有像素晶体管；
20、电荷保持区域，其设置于所述半导体层的所述第一表面侧处；
21、第一导电类型的半导体区域，其以遍及于所述元件形成区域、所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域上的方式设置于所述半导体层中；以及
22、第一导电类型的接触区域，其设置于所述半导体区域中。
23、进一步地，所述电荷保持区域和所述接触区域中的至少一者由所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域共用，且在平面图中被布置于所述第一光电转换区域与所述第二光电转换区域之间。
24、[3]根据本技术的另一方面的光检测装置包括：
25、半导体层，其包括：以在平面图中隔着分离区域彼此相邻的方式布置的多个光电转换单元，每个所述光电转换单元都设置有光电转换部和传输晶体管；
26、半导体区域，其在平面图中设置于所述多个光电转换单元各者的所述分离区域侧上；以及
27、导电焊盘，其部分地埋入到所述分离区域中，并且在平面图中以跨越所述分离区域的方式被连接至所述多个光电转换单元各者的所述半导体区域。
28、[4]根据本技术的另一方面的光检测装置包括：
29、半导体层，其具有在厚度方向上位于彼此的相对侧上的第一表面和第二表面；和
30、光电转换单元，其以由元件分离区域划分出的方式设置于所述半导体层中，
31、其中，所述光电转换单元包括：
32、都位于所述半导体层的所述第一表面侧处的传输晶体管、电荷保持区域和接触区域；以及
33、位于所述半导体层的所述第二表面侧处的光电转换部，
34、并且，所述分离区域包括：
35、第一部分，其在平面图中与所述电荷保持区域接触；和
36、第二部分，其与所述接触区域接触，且所述第二部分的宽度比所述第一部分的宽度窄。
37、[5]根据本技术的另一方面的光检测装置包括：
38、具有四个像素的像素单位，
39、其中，所述像素单位的所述四个像素中的各个所述像素具有两个光电转换区域、两个传输晶体管和两个电荷保持区域，并且
40、所述像素单位的各个所述像素的所述电荷保持区域彼此电气连接。
41、[6]根据本技术的另一方面的光检测装置包括：
42、以二维形式设置的多个像素，
43、其中，所述多个像素的各个所述像素含有由元件分离区域划分出的五个半导体区域。
44、[7]根据本技术的另一方面的光检测装置包括：
45、以二维形式设置的多个像素；和
46、各个所述像素中的由元件分离区域划分出的五个半导体区本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光检测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述五个半导体区域中的两个区域是分别设置有传输晶体管的区域。
3.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，
4.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，所述p型半导体区域是具有比所述分别设置有传输晶体管的区域的杂质浓度高的杂质浓度的p型杂质区域。
5.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，在所述五个半导体区域中的除所述两个区域外的剩余三个区域之中，两个区域是分别设置有除所述传输晶体管外的像素晶体管的区域。
6.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述五个半导体区域中的两个区域是分别设置有像素晶体管的区域。
7.根据权利要求6所述的光检测装置，其中，所述像素晶体管包括选择晶体管、放大晶体管和复位晶体管中的任意一种。
8.根据权利要求7所述的光检测装置，其中，
9.根据权利要求1中所述的光检测装置，其中，所述五个半导体区域中的一个区域是p型半导体区域。
10.根据权利要求9所述的光检测装置，其中，基准电位作为电
11.根据权利要求10所述的光检测装置，其中，所述基准电位为0V。
12.根据权利要求9所述的光检测装置，其中，
13.根据权利要求9所述的光检测装置，其中，
14.根据权利要求13所述的光检测装置，其中，
15.根据权利要求9所述的光检测装置，其中，
16.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述元件分离区域包括浅沟槽分离结构。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的光检测装置，其中，所述五个半导体区域每一者被设置为在平面图中与一个微透镜重叠。
18.一种光检测装置，包括：
19.根据权利要求18所述的光检测装置，其中，所述第一像素晶体管或所述第二像素晶体管是选择晶体管、放大晶体管和复位晶体管中的任意一种。
20.根据权利要求18所述的光检测装置，其中，基准电位作为电源电位被施加到所述p型半导体区域。
21.根据权利要求20所述的光检测装置，其中，所述基准电位为0V。
22.根据权利要求18所述的光检测装置，其中，所述p型半导体区域被设置在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域之间。
23.根据权利要求18所述的光检测装置，其中，所述p型半导体区域被设置在所述第三半导体区域和所述第四半导体区域之间。
24.根据权利要求18所述的光检测装置，其中，所述p型半导体区域被设置在所述第一半导体区域、所述第二半导体区域、所述第三半导体区域和所述第四半导体区域之间。
25.根据权利要求18所述的光检测装置，其中，所述元件分离区域包括浅沟槽分离结构。
26.根据权利要求18至25中任一项所述的光检测装置，其中，所述五个半导体区域每一者被设置为在平面图中与一个微透镜重叠。
27.一种电子设备，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种光检测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述五个半导体区域中的两个区域是分别设置有传输晶体管的区域。
3.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，
4.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，所述p型半导体区域是具有比所述分别设置有传输晶体管的区域的杂质浓度高的杂质浓度的p型杂质区域。
5.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，在所述五个半导体区域中的除所述两个区域外的剩余三个区域之中，两个区域是分别设置有除所述传输晶体管外的像素晶体管的区域。
6.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述五个半导体区域中的两个区域是分别设置有像素晶体管的区域。
7.根据权利要求6所述的光检测装置，其中，所述像素晶体管包括选择晶体管、放大晶体管和复位晶体管中的任意一种。
8.根据权利要求7所述的光检测装置，其中，
9.根据权利要求1中所述的光检测装置，其中，所述五个半导体区域中的一个区域是p型半导体区域。
10.根据权利要求9所述的光检测装置，其中，基准电位作为电源电位被施加到所述p型半导体区域。
11.根据权利要求10所述的光检测装置，其中，所述基准电位为0v。
12.根据权利要求9所述的光检测装置，其中，
13.根据权利要求9所述的光检测装置，其中，
14.根据权利要求13所述的光检测装置，其中，
15.根据权利要求9所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：山下浩史，冨田知大，田中晴美，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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