【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体,更具体地,涉及一种封装结构。
技术介绍
1、传统的打线接合(wire bond)技术须由管芯焊盘往上拉线,再接合至基板焊盘上,其无法走最短传输路径,且也导致封装后尺寸(厚度)较大。另外,因管芯尺寸逐渐内缩以及打线宽度极限,所以无法增加输入/输出(i/o)接点数量。图1a是现有技术中的封装结构10的截面示意图,管芯焊盘11通过打线12接合至基板焊盘13,其传输路径长,整个封装结构10的厚度较厚。图1b是现有技术中的另一个封装结构10’的截面示意图,示出了多个管芯焊盘11(i/o接点)通过多条打线12分别连接到多个基板焊盘13,受管芯尺寸以及打线宽度极限限制,管芯焊盘11和打线12的数量难以增加,并且整个封装结构10’的厚度较厚。因应未来电子产品朝向短小轻薄的发展趋势,以及追求高密度封装和降低封装成本,先进的覆晶封装技术已逐渐取代传统的打线接合技术。相较于传统的打线接合技术,覆晶封装技术具有构装尺寸小、高密度i/o接点、连接线短、低噪声、电性效应佳等优点。现行封装结构中,在制作过程中有先芯片(chip first)和后芯片(chip last)两种方法,而先芯片以及后芯片两种方法的上板都需要通过焊料电连接,电性较差。图2是现有技术中的另一个封装结构20的截面示意图,采用先芯片的方法,管芯21的有源面朝上,管芯21和基板22通过焊料23电连接。图3是现有技术中的另一个封装结构30的截面示意图,采用后芯片的方法,管芯21的有源面朝下,管芯21和基板22通过焊料23电连接。
技术实现思路>
1、针对现有技术中存在的以上问题,本申请的实施例提出了一种封装结构,该封装结构至少能够缩短由管芯上的焊盘到基板的焊盘的传输路径。
2、根据本申请的一个方面,提供了一种封装结构,该封装结构包括:基板,包括第一焊盘;管芯,位于基板上方,管芯包括背离基板的主动面,以及位于主动面上的第二焊盘;第一线路层,电连接第一焊盘与第二焊盘,第一线路层直接接触主动面,并且第一线路层直接接触第二焊盘的侧表面。
3、在一个或多个实施例中,基板进一步包括面向管芯的上表面,第一焊盘位于上表面上,第一线路层直接接触上表面。
4、在一个或多个实施例中,管芯还包括连接主动面的侧表面,第一线路层进一步直接接触侧表面,第一线路层呈阶梯状。
5、在一个或多个实施例中,封装结构还包括位于管芯与基板之间的管芯粘接膜,管芯粘接膜具有超出管芯的延伸部,第一线路层具有直接接触延伸部的第一部分。
6、在一个或多个实施例中,第一部分的上表面,与延伸部和第一部分之间的接触面共形。
7、在一个或多个实施例中,封装结构还包括位于第一线路层上方的第二线路层,其中,第二线路层沿着第一线路层设置,并且二者之间上下间隔开。
8、在一个或多个实施例中,第二线路层与第一线路层共形。
9、在一个或多个实施例中,从俯视第二线路层的角度观察,第二线路层的俯视投影与第一线路层的俯视投影重叠。
10、在一个或多个实施例中,封装结构还包括位于主动面上的第三焊盘,并且第三焊盘电连接第二线路层,第二线路层覆盖在第三焊盘上。
11、在一个或多个实施例中,封装结构还包括位于第一线路层上方的介电层,并且介电层与第一线路层共形。
12、在一个或多个实施例中,在穿过第一焊盘和第二焊盘的剖面中,第二线路层的长度大于第一线路层的长度。
13、在一个或多个实施例中,封装结构还包括介电层,位于第一线路层与第二线路层之间以将二者间隔开。
14、在一个或多个实施例中,第一线路层为导电油墨。
15、在一个或多个实施例中,在穿过第一焊盘和第二焊盘的剖面中,第一线路层的长度在0.5mm到600mm之间。
16、在一个或多个实施例中,第一线路层的厚度均匀,第一线路层的厚度小于30μm。
17、在一个或多个实施例中,介电层的厚度均匀,介电层的厚度小于30μm。
18、在一个或多个实施例中,封装结构的最大厚度为300μm。
19、在一个或多个实施例中,第三焊盘相较于第二焊盘更靠近管芯的中心轴线。
20、本技术的有益技术效果在于:
21、本申请的实施例的封装结构通过线路层电连接位于管芯的主动面上的焊盘和基板的焊盘,该线路层直接接触管芯的主动面,并且该线路层直接接触第二焊盘的侧表面,使得能够缩短由管芯上的焊盘到基板的焊盘的传输路径。另外,本申请的实施例的封装结构能够减小封装结构的尺寸,例如厚度。
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1.一种封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述基板进一步包括面向所述管芯的上表面,所述第一焊盘位于所述上表面上,所述第一线路层直接接触所述上表面。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述管芯还包括连接所述主动面的侧表面,所述第一线路层进一步直接接触所述侧表面,所述第一线路层呈阶梯状。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括位于所述管芯与所述基板之间的管芯粘接膜,所述管芯粘接膜具有超出所述管芯的延伸部,所述第一线路层具有直接接触所述延伸部的第一部分。
5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述第一部分的上表面,与所述延伸部和所述第一部分之间的接触面共形。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括位于所述第一线路层上方的第二线路层,其中,所述第二线路层沿着所述第一线路层设置,并且二者之间上下间隔开。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述第二线路层与所述第一线路层共形。
8.根据权利要求6所述的封装结构
9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,还包括位于所述主动面上的第三焊盘,并且所述第三焊盘电连接所述第二线路层,所述第二线路层覆盖在所述第三焊盘上。
10.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括位于所述第一线路层上方的介电层,并且所述介电层与所述第一线路层共形。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述基板进一步包括面向所述管芯的上表面,所述第一焊盘位于所述上表面上,所述第一线路层直接接触所述上表面。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述管芯还包括连接所述主动面的侧表面,所述第一线路层进一步直接接触所述侧表面,所述第一线路层呈阶梯状。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括位于所述管芯与所述基板之间的管芯粘接膜,所述管芯粘接膜具有超出所述管芯的延伸部,所述第一线路层具有直接接触所述延伸部的第一部分。
5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述第一部分的上表面,与所述延伸部和所述第一部分之间的接触面共形。
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【专利技术属性】
技术研发人员:黄文宏,杨丛原,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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