【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及晶体制备，特别涉及一种长晶设备的参数控制方法、系统和存储介质。
技术介绍
1、长晶设备是用于生长晶体的设备。在生长过程中的不同阶段，或者在不同的生长质量要求下，晶体需要不同的生长条件(例如，不同的反应室温度和不同的反应室压力)。然而，仅通过传统的比例积分微分(proportion integration differentiation，pid)算法控制气流调节阀难以满足对生长条件的实时精准控制。
2、因此，有必要提供一种长晶设备的参数控制方案，可以实现晶体生长条件的实时精准控制，提高目标晶体的制备成功率。
技术实现思路
1、本说明书一个或多个实施例提供一种长晶设备的参数控制方法，所述方法包括：确定对长晶设备的生长条件参数进行调整的目标时间，长晶设备用于生长目标晶体；在目标时间，获取目标晶体的红外光谱数据、反应室的当前环境数据和气流调节阀的当前开度数据，红外光谱数据利用红外光谱仪采集；基于红外光谱数据、当前环境数据和当前开度数据确定生长条件参数的目标值，并基于目标值调整长晶设备的控制设备，控制设备至少包括气流调节阀。
2、本说明书一个或多个实施例提供一种长晶设备的参数控制系统，所述系统包括：目标时间确定模块，用于确定对长晶设备的生长条件参数进行调整的目标时间，长晶设备用于生长目标晶体；数据获取模块，用于在目标时间，获取目标晶体的红外光谱数据、反应室的当前环境数据和气流调节阀的当前开度数据，红外光谱数据利用红外光谱仪采集；设备控制模块，用于基于红外光
3、本说明书一个或多个实施例提供一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储计算机指令，当计算机读取存储介质中的计算机指令后，计算机执行长晶设备的参数控制方法。
4、在本说明书的一些实施例中，在目标时间，基于目标晶体的红外光谱数据、当前环境数据和当前开度数据，调整长晶设备的生长条件参数(例如，反应室压力和反应室温度)，一方面使得长晶设备的生长条件参数可以针对目标晶体的在目标时刻的生长情况实时调整，从而提高目标晶体的制备成功率。另一方面，本说明书的实施例不仅基于目标晶体的当前环境数据和当前开度数据调整长晶设备的生长条件参数，还进一步基于目标晶体的红外光谱数据来确定生长条件参数的目标值，考虑了目标晶体的实际生长质量调整长晶设备的生长条件参数，从而提高目标晶体的生长质量。
5、在本说明书的一些实施例中，获取反应目标晶体生长速率的数据(例如，晶体生长信息、生长材料的消耗速率)和反应目标晶体的生长质量的数据(例如，红外光谱数据、晶体生长信息)，并基于上述数据确定目标时间，可以使得长晶设备及时更新生长条件参数的目标值，使得目标晶体基于实时调整的生长条件参数的目标值，可以持续以较优的生长速率和生长质量持续生长，从而提高长晶设备制备目标晶体的达标率。
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1.一种长晶设备的参数控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括调整所述长晶设备的控制设备后，更新所述目标时间，所述更新所述目标时间包括：
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述红外光谱数据、所述晶体生长信息以及所述生长材料的消耗速率，更新所述目标时间，包括：
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述红外光谱数据、所述当前环境数据和所述当前开度数据确定所述生长条件参数的目标值，并基于所述目标值调整所述长晶设备的控制设备，包括：
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用参数确定模型处理所述表面生长缺陷数据、所述红外光谱数据、所述当前环境数据和所述当前开度数据，确定所述生长条件参数的目标值，包括：
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标晶体的所述表面生长缺陷数据和红外生长缺陷数据，确定所述目标晶体的生长
9.一种长晶设备的参数控制系统，其特征在于，所述系统包括：
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质存储计算机指令，当计算机读取存储介质中的计算机指令后，计算机执行如权利要求1～8任一项所述的长晶设备的参数控制方法。
...【技术特征摘要】
1.一种长晶设备的参数控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括调整所述长晶设备的控制设备后，更新所述目标时间，所述更新所述目标时间包括：
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述红外光谱数据、所述晶体生长信息以及所述生长材料的消耗速率，更新所述目标时间，包括：
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述红外光谱数据、所述当前环境数据和所述当前开度数据确定所述生长条件参数的目标值，并基于所述目标值调整所述长晶设备的控制设备，包括：
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用参数确定模型处理所述表面生长缺...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，雷沛，顾鹏，王敏祺，
申请(专利权)人：眉山博雅新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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