【技术实现步骤摘要】
本申请涉及异质结太阳能电池，具体涉及异质结太阳能电池硅衬底及其制备方法、异质结太阳能电池和光伏系统。
技术介绍
1、异质结太阳能电池具有高光电转化效率、优异的抗p id(电势诱导衰减)性能及抗l id(光诱导衰减)性能，近年来异质结太阳能电池已经成为太阳能电池领域的研究热点。传统异质结电池的上表面与下表面是对称的双面制绒结构，具有较高的双面率。但绒面结构会带来较高的界面复合，对硅基底的钝化作用造成不利影响。正面制绒背面抛光的异质结电池较好地解决了这一问题，其正面的绒面具有优异的陷光性，背面的抛光面具有高反射率，穿过硅片体内的长波光源可以在背面反射并再次被硅基底吸收，以提升短路电流；此外，背面的抛光面与氢化非晶硅的接触可以改善发射极的钝化效果，提升开路电压。
2、目前，正面制绒和背面抛光的异质结电池的制备，主要通过氮化硅掩膜工艺，或氧化硅掩膜工艺实现。这两种生产路线均需要在异质结电池产线基础上增加设备，造成炉管混用，炉管混用极易对电池造成污染，导致电池硅衬底的洁净度较低，影响光电转换效率。
3、需要说明的是，上述内容并不必然是现有技术，也不用于限制本申请的专利保护范围。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本申请的目的是提供异质结太阳能电池硅衬底及其制备方法、异质结太阳能电池和光伏系统，通过叠层掩膜的方法，在不增设设备的情况下，即可制备得到一侧面制绒和另一侧面抛光的异质结太阳能电池硅衬底，能耗更低，且制出的异质结太阳能电池硅衬底的洁净度更高，能带来更高的光电
2、为实现上述目的，本申请采用如下技术方案：
3、一种异质结太阳能电池硅衬底的制备方法，包括：
4、对硅衬底进行双面制绒或双面抛光，得到一次处理的硅衬底；
5、在所述一次处理的硅衬底的一侧面上依次沉积氧化硅层、硼硅玻璃层，形成氧化硅层-硼硅玻璃层叠层掩膜结构；再在所述一次处理的硅衬底的另一侧面上进行单面抛光或单面制绒；
6、去除所述氧化硅层-硼硅玻璃层叠层掩膜结构，得到所述异质结太阳能电池硅衬底。
7、在其中一些实施方式中，在对所述硅衬底进行双面制绒或双面抛光前，所述方法还包括：对所述硅衬底进行吸杂处理。
8、在其中一些实施方式中，对所述硅衬底进行的双面制绒，所形成的金字塔结构的塔底边长为1.5～2.0μm、塔高为0.9～1.2μm；或
9、在所述另一侧面上进行的单面制绒，所形成的金字塔结构的塔底边长为1.5～2.0μm、塔高为0.9～1.2μm。
10、在其中一些实施方式中，对所述硅衬底进行的双面抛光，所形成的方形抛光塔基的边长为5～30μm；或
11、在所述另一侧面上进行的单面抛光，所形成的方形抛光塔基的边长为5～30μm。
12、在其中一些实施方式中，所述氧化硅层的厚度为10～30nm；和/或
13、所述硼硅玻璃层的厚度为10～30nm。
14、在其中一些实施方式中，所述氧化硅层包括依次层叠的第一子氧化硅层、第二子氧化硅层；所述第一子氧化硅层设置在所述一次处理的硅衬底上。
15、在其中一些实施方式中，所述方法满足以下至少一个特征：
16、(1)所述第一子氧化硅层的厚度为10～15nm，所述第二子氧化硅层的厚度为10～15nm；
17、(2)沉积所述第一子氧化硅层的工艺为：氢气流量为500～2000sccm，硅烷流量为50～250sccm，二氧化碳流量为20～50sccm，沉积温度为160～300℃；
18、(3)沉积所述第二子氧化硅层的工艺为：氢气流量为500～2000sccm，硅烷流量为50～100sccm，二氧化碳流量为50～100sccm，沉积温度为160～300℃；
19、(4)沉积所述第一子氧化硅层的过程中通入的二氧化碳的流量记为v1，沉积所述第二子氧化硅层的过程中通入的二氧化碳的流量记为v2；v1和v2之间满足：v1＜v2；
20、(5)沉积所述硼硅玻璃层的工艺为：氢气流量为1000～3500sccm，硅烷流量为50～250sccm，乙硼烷流量为100～800sccm，二氧化碳流量为100～700sccm，沉积温度为160～300℃。
21、本申请还提供了一种异质结太阳能电池硅衬底，通过上述方法制备得到。
22、本申请还提供了一种异质结太阳能电池，包括上述的异质结太阳能电池硅衬底。
23、本申请还提供了一种光伏系统，包括上述的异质结太阳能电池。
24、本申请技术方案中，通过叠层掩膜(形成的氧化硅层-硼硅玻璃层叠层掩膜结构)，在不增设设备的情况下，即可制备得到一侧面制绒和另一侧面抛光异质结太阳能电池硅衬底，能耗更低，且制出的异质结太阳能电池硅衬底的洁净度更高，能带来更高的光电转换效率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种异质结太阳能电池硅衬底的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对所述硅衬底进行双面制绒或双面抛光前，所述方法还包括：对所述硅衬底进行吸杂处理。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为10～30nm；和/或
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述氧化硅层包括依次层叠的第一子氧化硅层、第二子氧化硅层；所述第一子氧化硅层设置在所述一次处理的硅衬底上。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述方法满足以下至少一个特征：
8.一种异质结太阳能电池硅衬底，其特征在于，通过如权利要求1～7任一项所述方法制备得到。
9.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括如权利要求8所述的异质结太阳能电池硅衬底。
10.一种光伏系统，其特征在于，包括如权利要求9所述的异质结太阳能电池。
【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池硅衬底的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对所述硅衬底进行双面制绒或双面抛光前，所述方法还包括：对所述硅衬底进行吸杂处理。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为10～30nm；和/或
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：高展，殷志豪，霍亭亭，杨广涛，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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