System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 用于光刻测量的传感器装置和方法制造方法及图纸_技高网

用于光刻测量的传感器装置和方法制造方法及图纸

技术编号:43171985 阅读:4 留言:0更新日期:2024-11-01 20:01
用于测量衬底上的对准标记的参数的装置和方法,其中光学系统被布置为接收来自对准标记的至少一个衍射阶次并且衍射阶次在光学系统的光瞳、晶片共轭平面处被调制,固态光学设备被布置为接收调制的衍射阶次,并且光谱仪被布置为从固态光学设备接收调制的衍射阶次并确定调制的衍射阶次中的一个或多个光谱分量的强度。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种用于从衬底的靶材确定信息的传感器装置和方法。传感器装置可以形成光刻装置的一部分。传感器装置可以形成计量工具的一部分。传感器装置可以是独立设备。


技术介绍

1、光刻装置是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(ic)。例如,光刻装置可以将图案化设备(例如,掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如,晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

2、随着半导体制造工艺的不断进步,电路元件的尺寸不断减小,而每个设备的诸如晶体管的功能元件的数量几十年来一直在稳步增加,遵循通常称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律,半导体行业正在寻求能够创造越来越小的特征的技术。为了在衬底上投影图案,光刻装置可以使用电磁辐射。这种辐射的波长至少部分地决定了在衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长为365nm(i-line)、248nm、193nm和13.5nm。使用波长在4nm至20nm(例如,6.7nm或13.5nm)范围内的极紫外(euv)辐射的光刻装置可以用于在衬底上形成比使用例如波长为193nm的辐射的光刻装置更小的特征。

3、为了控制光刻工艺以将设备特征准确地放置在衬底上,通常在衬底上设置对准标记,并且光刻装置包括一个或多个对准测量系统,通过该对准测量系统可以准确测量对准标记在衬底上的位置。这些对准测量系统是有效的位置测量装置。对准标记有助于将形成在衬底上的处理层相对于先前形成的处理层准确放置。对准测量通常在光刻装置内进行,每次将衬底在形成每个处理层之前装载到光刻装置中。本专利技术的目的是提供一种确定靶材在衬底上的位置的传感器装置和方法,其至少部分地解决了现有技术的无论是在本文中还是在别处确定的一个或多个问题。


技术实现思路

1、为了提供对实施例的基本理解,以下呈现了一个或多个实施例的简化概述。该概述不是所有预期实施例的广泛概述,并且不意在识别所有实施例的关键或至关重要的要素,也不意在对任何或所有实施例的范围设置限制。其唯一目的是以简化形式呈现一个或多个实施例的一些概念,作为稍后呈现的更详细描述的序言。

2、根据实施例的一方面,公开一种用于测量衬底上的对准标记的参数的装置,该装置包括:光学系统,被布置为接收来自对准标记的至少一个衍射阶次,并包括可配置空间光调制器,以在光学系统的光瞳平面和/或与对准标记平面共轭的平面处调制所述至少一个衍射阶次的辐照度分布,以产生调制的衍射阶次;固态光学设备,被布置为接收调制的衍射阶次。该装置还可以包括光谱仪,光谱仪被布置为从固态光学设备接收调制的衍射阶次并且确定调制的衍射阶次中的一个或多个光谱分量的强度。衍射阶次可以是一级衍射阶次。可配置空间光调制器可以包括执行以低阶多项式表征的变迹的恒定变迹器。可配置空间光调制器可以包括数字微镜设备。可配置空间光调制器可以包括液晶设备。可配置空间光调制器可以包括硅基液晶设备。可配置空间光调制器可以包括微机电系统。可配置空间光调制器可以根据至少一个正规基函数对衍射阶次进行整形。光谱仪可以包括多个二向色镜和多个光电检测器。光谱仪可以包括解复用器,解复用器可以提取所述至少一个基函数的系数。光谱仪可以包括解复用器和光电检测器。固态光学设备可以包括多模光纤。参数可以是对准标记中的不对称性。参数可以是在光瞳或晶片共轭平面处测量的衍射阶次的角度内容的变化。变化可以是衍射阶次辐照度分布的重心的位移。参数可以是对准标记中的倾斜量。参数可以是对准标记的位置的高度变化。

3、根据实施例的另一方面,公开一种测量衬底上的对准标记参数的方法,该方法包括产生至少一个衍射阶次以及调制光瞳或晶片共轭平面中的衍射阶次。该方法还可以包括以下步骤:使用固态光学设备对衍射阶次进行积分;确定衍射阶次的光谱含量。衍射阶次可以是一级衍射阶次。调制步骤可以通过空间光调制器执行。调制步骤可以通过数字微镜设备执行。调制步骤可以通过液晶设备执行。调制步骤可以通过硅基液晶设备执行。调制步骤可以通过微机电系统执行。调制步骤可以包括根据至少一个正规基函数对衍射阶次进行整形。可以使用多模光纤执行使用固态光学设备来集成衍射阶次固态光学设备的步骤。确定衍射阶次的光谱含量的步骤可以包括提取所述至少一个基函数的系数。确定衍射阶次的光谱含量的步骤可以通过包括解复用器和光电检测器的光谱仪执行。参数可以是对准标记中的不对称性。参数可以是在光瞳或晶片共轭平面处测量的衍射阶次的角度内容的变化。变化可以是衍射阶次辐照度分布的重心的位移。参数可以是对准标记的倾斜量。参数可以是对准标记的位置的高度变化。

4、下文中结合附图详细描述本专利技术的进一步特征和优点,以及本专利技术的各个实施例的结构和操作。注意的是,本专利技术不限于本文中所描述的具体实施例。这样的实施例在本文中仅出于说明的目的而呈现。基于本文中包含的教导,其他实施例对于相关领域的技术人员将是显而易见的。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种测量衬底上的对准标记的参数的方法,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述衍射阶次是一级衍射阶次。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中所述调制的步骤由空间光调制器执行。

5.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中所述调制的步骤由数字微镜设备执行。

6.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中所述调制的步骤由液晶设备执行。

7.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中所述调制的步骤由硅基液晶设备执行。

8.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中所述调制的步骤由微机电系统执行。

9.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中所述调制的步骤包括根据至少一个正规基函数对所述衍射阶次进行整形。

10.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法,其中使用固态光学设备对所述衍射阶次进行积分的所述步骤是固态光学设备使用多模光纤执行的。

11.根据权利要求2所述的方法,其中确定所述衍射阶次的光谱含量的所述步骤包括提取所述至少一个基函数的系数。

12.根据权利要求2所述的方法,其中确定所述衍射阶次的光谱含量的所述步骤通过包括解复用器和光电检测器的光谱仪执行。

13.根据权利要求1-12中的任一项所述的方法,其中所述参数是所述对准标记中的不对称性。

14.根据权利要求1-12中的任一项所述的方法,其中所述参数是在所述光瞳或晶片共轭平面处测量的衍射阶次的角度内容的变化。

15.根据权利要求14所述的方法,其中所述变化是衍射阶次辐照度分布的重心的位移。

16.根据权利要求1-12中的任一项所述的方法,其中所述参数是所述对准标记中的倾斜量。

17.根据权利要求1-12中的任一项所述的方法,其中所述参数是所述对准标记的位置的高度变化。

...

【技术特征摘要】

1.一种测量衬底上的对准标记的参数的方法,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述衍射阶次是一级衍射阶次。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中所述调制的步骤由空间光调制器执行。

5.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中所述调制的步骤由数字微镜设备执行。

6.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中所述调制的步骤由液晶设备执行。

7.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中所述调制的步骤由硅基液晶设备执行。

8.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中所述调制的步骤由微机电系统执行。

9.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中所述调制的步骤包括根据至少一个正规基函数对所述衍射阶次进行整形。

10.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法,其中使用固态光...

【专利技术属性】
技术研发人员:T·M·T·A·M·埃拉扎雷J·L·克鲁泽林宇翔K·U·索博列夫
申请(专利权)人:ASML控股股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1