【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及一种sonos存储器的栅极刻蚀工艺方法。
技术介绍
1、近年来，随着越来越多的应用程序在消费电子产品和汽车行业的发展，对芯片上嵌入式闪存的需求稳步增长。sonos(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon)作为一种不影响现有ip模块且易于与其他电路集合的闪存技术受到广泛关注。原因主要在于：1、与浮栅器件相比，sonos存储单元结构简单，不受浮栅干扰。由于电子被储存在氮化层的陷阱中，应力引起的泄漏电流的电荷损失可以被抑制；2、因为sonos更容易与cmos逻辑工艺集成，因此其所需的掩膜层更少；3、sonos区在高温下具备优越的可靠性使其在汽车细分市场尤其具有吸引力。
2、传统2t结构的sonos在40nm节点工艺已非常成熟，但是为了进一步减小芯片面积，增加单片晶圆内的芯片数量，需对芯片进一步萎缩。2t结构的sonos存储器主要由存储区以及逻辑区组成，其中存储区内主要包括cg(sonos gate)以及sg(select gate)，栅极作为晶体管中最关键的构件，会在进一步萎缩中因高度降低而影响到离子注入，从而导致整体器件性能变差。
3、传统栅极的硬掩膜层采用氧化硅，但是随着栅极高度的降低，在sonos特有的sg区内离子注入时，会因射程过大，导致离子贯穿栅极，注入到沟道内，从而导致器件性能异常。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种sonos存储器的栅极刻蚀工
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种sonos存储器的栅极刻蚀工艺方法，所述方法包括：
3、步骤1)提供一半导体衬底，其包括sonos区域及非sonos区域，所述sonos区域的所述半导体衬底的表面由下至上形成有第一栅极结构、第一硬掩膜层及第二硬掩膜层，所述非sonos区域的所述半导体衬底的表面由下至上形成有第二栅极结构、所述第三硬掩膜层及所述第四硬掩膜层，其中，所述第一栅极结构包括ono层及第一多晶硅层，所述第二栅极结构包括隧穿氧化层及第二多晶硅层；
4、步骤2)于所述第一多晶硅层、所述第一硬掩膜层及所述第二硬掩膜层的侧壁形成第一侧墙，且所述第一侧墙位于所述ono层的表面，并于所述第二多晶硅层、所述第三硬掩膜层及所述第四硬掩膜层的侧壁形成第二侧墙，且所述第二侧墙位于所述隧穿氧化层的表面；
5、步骤3)去除所述第二硬掩膜层及所述第四硬掩膜层；
6、步骤4)于通过步骤3)形成的半导体结构的表面形成牺牲氧化层及牺牲氮化层，且所述牺牲氮化层位于所述牺牲氧化层的表面；
7、步骤5)去除形成于所述第一硬掩膜层及所述第三硬掩膜层上方的所述牺牲氮化层；
8、步骤6)去除所述第一硬掩膜层、第三硬掩膜层及位于所述第一栅极结构及所述第二栅极结构侧壁的所述牺牲氮化层；
9、步骤7)去除所述牺牲氧化层。
10、可选地，所述ono层包括所述隧穿氧化层、位于所述隧穿氧化层表面的中间氮化硅层及位于所述中间氮化硅层表面的阻挡氧化层。
11、可选地，所述第一硬掩膜层及所述第三硬掩膜层的材质包括氮化硅。
12、可选地，采用磷酸去除所述第一硬掩膜层及所述牺牲氮化层。
13、可选地，所述第一硬掩膜层及所述第三硬掩膜层的厚度为
14、可选地，所述第二硬掩膜层及所述第四硬掩膜层的材质包括氧化硅。
15、可选地，采用氢氟酸去除所述第二硬掩膜层。
16、可选地，所述第二硬掩膜层及所述第四硬掩膜层的厚度为
17、可选地，所述第一侧墙包括第一内侧墙及位于所述第一内侧墙外侧的第一外侧墙。
18、可选地，所述第一内侧墙的材质包括氧化硅；所述第一外侧墙的材质包括氮化硅。
19、可选地，所述第二侧墙包括第二内侧墙及位于所述第二内侧墙外侧的第二外侧墙。
20、可选地，所述第二内侧墙的材质包括氧化硅；所述第二外侧墙的材质包括氮化硅。
21、可选地，所述牺牲氧化层的厚度为
22、可选地，所述牺牲氮化层的厚度为
23、可选地，所述第一多晶硅层及所述第二多晶硅层的厚度为
24、可选地，所述衬底为p衬底。
25、如上所述，本专利技术的sonos存储器的栅极刻蚀工艺方法，采用牺牲氧化层及牺牲氮化层，保护暴露在外侧的ono层及侧墙(第一侧墙及第二侧墙)，使得在利用磷酸去除栅极表面的硬掩膜层时不会因为磷酸侧钻导致ono层损坏，从而避免器件性能受到影响；通过本专利技术提供的方法能够在不影响其他器件的前提下，成功地在现有器件内嵌入了sonos器件，而且无需新增掩膜版，整体工艺简单，适合量产；后续在sg区进行ldd离子注入时，因侧墙的存在，使得沟道变长，从而能够有效改善gidl漏电。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述ONO层包括所述隧穿氧化层、位于所述隧穿氧化层表面的中间氮化硅层及位于所述中间氮化硅层表面的阻挡氧化层。
3.根据权利要求1所述的SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层及所述第三硬掩膜层的材质包括氮化硅。
4.根据权利要求3所述的SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，采用磷酸去除所述第一硬掩膜层及所述牺牲氮化层。
5.根据权利要求1所述的SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层及所述第三硬掩膜层的厚度为
6.根据权利要求1所述的SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层及所述第四硬掩膜层的材质包括氧化硅。
7.根据权利要求6所述的SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，采用氢氟酸去除所述第二硬掩膜层。
8.根据权利要求1所述的SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其
9.根据权利要求1所述的SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述第一侧墙包括第一内侧墙及位于所述第一内侧墙外侧的第一外侧墙。
10.根据权利要求9所述的SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述第一内侧墙的材质包括氧化硅；所述第一外侧墙的材质包括氮化硅。
11.根据权利要求1所述的SONOS存储器的栅极侧墙刻蚀工艺方法，其特征在于，所述第二侧墙包括第二内侧墙及位于所述第二内侧墙外侧的第二外侧墙。
12.根据权利要求11所述的SONOS存储器的栅极侧墙刻蚀工艺方法，其特征在于，所述第二内侧墙的材质包括氧化硅；所述第二外侧墙的材质包括氮化硅。
13.根据权利要求1所述的SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度为
14.根据权利要求1所述的SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述牺牲氮化层的厚度为
15.根据权利要求1所述的SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述第一多晶硅层及所述第二多晶硅层的厚度为
16.根据权利要求1所述的SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述衬底为P衬底。
...【技术特征摘要】
1.一种sonos存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的sonos存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述ono层包括所述隧穿氧化层、位于所述隧穿氧化层表面的中间氮化硅层及位于所述中间氮化硅层表面的阻挡氧化层。
3.根据权利要求1所述的sonos存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层及所述第三硬掩膜层的材质包括氮化硅。
4.根据权利要求3所述的sonos存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，采用磷酸去除所述第一硬掩膜层及所述牺牲氮化层。
5.根据权利要求1所述的sonos存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层及所述第三硬掩膜层的厚度为
6.根据权利要求1所述的sonos存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层及所述第四硬掩膜层的材质包括氧化硅。
7.根据权利要求6所述的sonos存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，采用氢氟酸去除所述第二硬掩膜层。
8.根据权利要求1所述的sonos存储器的栅极刻蚀工艺方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层及所述第四硬掩膜层的厚度为
...
【专利技术属性】
技术研发人员：章亚男，刘政红，齐瑞生，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。