【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种陶瓷基板，尤其涉及一种陶瓷金属复合基板。
技术介绍
1、当芯片具有散热需求时，其所搭配的现有基板包含陶瓷板或金属基印刷电路板(metal core printed circuit board，mcpcb)，但现有基板的架构已面临导热能力的瓶颈，因而难以符合更高的散热需求。于是，专利技术人认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本申请。
技术实现思路
1、本申请提供一种陶瓷金属复合基板，其能有效地改善现有基板所可能产生的缺陷。
2、本申请公开一种陶瓷金属复合基板，其包括：一金属核心层，其材质包含有铜、银及铝的至少其中之一，并且金属核心层具有沿一厚度方向彼此相隔预设厚度的两个金属板面；两个焊接层，分别形成于金属核心层的两个金属板面；以及两个陶瓷披覆层，分别通过两个焊接层而固定于金属核心层；其中，每个陶瓷披覆层的导热系数不小于20w/m·k，并且两个陶瓷披覆层与两个焊接层的厚度总和不大于预设厚度；其中，每个陶瓷披覆层沿厚度方向覆盖相对应金属板面的至少80％面积。
3、可选地，金属核心层选自一铜层、一铜钨合金层、一钻石金属层、或一铜钼合金层，并且每个陶瓷披覆层为通过相对应焊接层而烧结于金属核心层的一氮化铝层，其具有介于5微米～350微米的厚度。
4、可选地，金属核心层包含有：一铜层，自其表面凹设形成有至少一个填充孔；及一内埋金属，其填满至少一个填充孔，内埋金属的一端缘切齐铜层的表面并无缝
5、可选地，至少一个填充孔沿厚度方向贯穿铜层，内埋金属的两端缘分别无缝隙地连接于两个焊接层。
6、可选地，每个焊接层为一硬焊胶层或一玻璃焊接胶层，并且任一个陶瓷披覆层的厚度不小于其所连接的焊接层的厚度，而每个焊接层的厚度不大于30微米。
7、可选地，每个陶瓷披覆层具有远离金属核心层的一研磨平面。
8、可选地，陶瓷金属复合基板进一步包括有两个线路层，其以直接镀铜技术或薄膜金属化基板技术而分别形成于两个陶瓷披覆层的研磨平面。
9、可选地，至少一个陶瓷披覆层自其研磨平面凹设有连通至相对应焊接层的一通孔，并且相对应线路层填满通孔并连接于相对应焊接层。
10、本申请也公开一种陶瓷金属复合基板，其包括：一金属核心层，其材质包含有铜、银、及铝的至少其中之一，并且金属核心层具有沿一厚度方向彼此相隔预设厚度的两个金属板面；以及两个陶瓷披覆层，分别形成于金属核心层的两个金属板面，以使得每个陶瓷披覆层与相对应的金属板面之间形成有一共晶接合层；其中，两个陶瓷披覆层的厚度总和不大于预设厚度，并且每个陶瓷披覆层包含：一第一陶瓷层，通过共晶接合层而固定于相对应金属板面；及一第二陶瓷层，形成于第一陶瓷层，并且第二陶瓷层的导热系数不小于20w/m·k；其中，每个陶瓷披覆层沿厚度方向覆盖相对应金属板面的至少80％面积。
11、可选地，金属核心层选自一铜层、一铜钨合金层、一钻石金属层、或一铜钼合金层，并且每个陶瓷披覆层为通过直接覆铜技术而共晶接合于金属核心层，并且任一个共晶接合层的厚度不大于3微米；于每个陶瓷披覆层之中，第一陶瓷层为具有介于5微米～15微米厚度的一氧化铝层，而第二陶瓷层为具有介于5微米～350微米厚度的一氮化铝层。
12、可选地，金属核心层包含有：一铜层，自其表面凹设形成有至少一个填充孔；及一内埋金属，其填满至少一个填充孔，内埋金属的一端缘切齐铜层的表面并无缝隙地连接于至少一个共晶接合层；其中，内埋金属的材质是选自钨、钼、铜钨合金、或铜钼合金。
13、可选地，至少一个填充孔沿厚度方向贯穿铜层，内埋金属的两端缘分别无缝隙地连接于两个共晶接合层。
14、可选地，每个陶瓷披覆层的第二陶瓷层具有远离金属核心层的一研磨平面。
15、可选地，陶瓷金属复合基板进一步包括有两个线路层，其以直接镀铜技术或薄膜金属化基板技术而分别形成于两个陶瓷披覆层的研磨平面。
16、可选地，至少一个陶瓷披覆层自其研磨平面凹设有连通至相对应共晶接合层的一通孔，并且相对应线路层填满通孔并连接于相对应共晶接合层。
17、本申请另公开一种陶瓷金属复合基板，其包括：一金属核心层，其材质包含有铜、银、及铝的至少其中之一，并且金属核心层具有沿一厚度方向彼此相隔预设厚度的两个金属板面；以及两个陶瓷披覆层，分别形成于金属核心层的两个金属板面，以使得每个陶瓷披覆层与相对应的金属板面之间形成有一扩散接合接口，其厚度不大于1微米；其中，每个陶瓷披覆层的导热系数不小于20w/m·k，并且两个陶瓷披覆层与两个焊接层的厚度总和不大于预设厚度；其中，每个陶瓷披覆层沿厚度方向覆盖相对应金属板面的至少80％面积。
18、可选地，金属核心层选自一铜层、一铜钨合金层、一钻石金属层、或一铜钼合金层，并且每个陶瓷披覆层为具有介于5微米～350微米厚度的一氮化铝层。
19、可选地，金属核心层包含有：一铜层，自其表面凹设形成有至少一个填充孔；及一内埋金属，其填满至少一个填充孔，内埋金属的一端缘切齐铜层的表面并形成局部扩散接合界面；其中，内埋金属的材质是选自钨、钼、铜钨合金、或铜钼合金。
20、可选地，每个陶瓷披覆层具有远离金属核心层的一研磨平面；其中，陶瓷金属复合基板进一步包括有两个线路层，其以直接镀铜技术或薄膜金属化基板技术而分别形成于两个陶瓷披覆层的研磨平面。
21、可选地，至少一个陶瓷披覆层自其研磨平面凹设有连通至相对应扩散接合接口的一通孔，并且相对应线路层填满通孔并连接于金属核心层。
22、综上所述，本申请所公开的陶瓷金属复合基板，通过有别于既有技术的特定层状架构(如：所述金属核心层的两侧分别设置有两个所述陶瓷披覆层)，以使其在具备有高可靠度与高结构强度的前提下，有效地提升导热与散热的效能，进而符合更高的散热要求。
23、为能更进一步了解本申请的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本申请的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本申请，而非对本申请的保护范围作任何的限制。
【技术保护点】
1.一种陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述陶瓷金属复合基板包括：
2.根据权利要求1所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述金属核心层选自一铜层、一铜钨合金层、一钻石金属层、或一铜钼合金层，并且每个所述陶瓷披覆层为通过相对应所述焊接层而烧结于所述金属核心层的一氮化铝层，其具有介于5微米～350微米的厚度。
3.根据权利要求1所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述金属核心层包含有：
4.根据权利要求3所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，至少一个所述填充孔沿所述厚度方向贯穿所述铜层，所述内埋金属的两端缘分别无缝隙地连接于两个所述焊接层。
5.根据权利要求1所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，每个所述焊接层为一硬焊胶层或一玻璃焊接胶层，并且任一个所述陶瓷披覆层的厚度不小于其所连接的所述焊接层的厚度，而每个所述焊接层的所述厚度不大于30微米。
6.根据权利要求1所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，每个所述陶瓷披覆层具有远离所述金属核心层的一研磨平面。
7.根据权利要求6所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述陶瓷金
8.根据权利要求7所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，至少一个所述陶瓷披覆层自其所述研磨平面凹设有连通至相对应所述焊接层的一通孔，并且相对应所述线路层填满所述通孔并连接于相对应所述焊接层。
9.一种陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述陶瓷金属复合基板包括：
10.根据权利要求9所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述金属核心层选自一铜层、一铜钨合金层、一钻石金属层、或一铜钼合金层，并且每个所述陶瓷披覆层为通过直接覆铜技术而共晶接合于所述金属核心层，并且任一个所述共晶接合层的厚度不大于3微米；于每个所述陶瓷披覆层之中，所述第一陶瓷层为具有介于5微米～15微米厚度的一氧化铝层，而所述第二陶瓷层为具有介于5微米～350微米厚度的一氮化铝层。
11.根据权利要求9所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述金属核心层包含有：
12.根据权利要求11所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，至少一个所述填充孔沿所述厚度方向贯穿所述铜层，所述内埋金属的两端缘分别无缝隙地连接于两个所述共晶接合层。
13.根据权利要求9所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，每个所述陶瓷披覆层的所述第二陶瓷层具有远离所述金属核心层的一研磨平面。
14.根据权利要求13所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述陶瓷金属复合基板进一步包括有两个线路层，其以直接镀铜技术或薄膜金属化基板技术而分别形成于两个所述陶瓷披覆层的所述研磨平面。
15.根据权利要求14所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，至少一个所述陶瓷披覆层自其所述研磨平面凹设有连通至相对应所述共晶接合层的一通孔，并且相对应所述线路层填满所述通孔并连接于相对应所述共晶接合层。
16.一种陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述陶瓷金属复合基板包括：
17.根据权利要求16所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述金属核心层选自一铜层、一铜钨合金层、一钻石金属层、或一铜钼合金层，并且每个所述陶瓷披覆层为具有介于5微米～350微米厚度的一氮化铝层。
18.根据权利要求16所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述金属核心层包含有：
19.根据权利要求16所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，每个所述陶瓷披覆层具有远离所述金属核心层的一研磨平面；其中，所述陶瓷金属复合基板进一步包括有两个线路层，其以直接镀铜技术或薄膜金属化基板技术而分别形成于两个所述陶瓷披覆层的所述研磨平面。
20.根据权利要求19所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，至少一个所述陶瓷披覆层自其所述研磨平面凹设有连通至相对应所述扩散接合接口的一通孔，并且相对应所述线路层填满所述通孔并连接于所述金属核心层。
...【技术特征摘要】
1.一种陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述陶瓷金属复合基板包括：
2.根据权利要求1所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述金属核心层选自一铜层、一铜钨合金层、一钻石金属层、或一铜钼合金层，并且每个所述陶瓷披覆层为通过相对应所述焊接层而烧结于所述金属核心层的一氮化铝层，其具有介于5微米～350微米的厚度。
3.根据权利要求1所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述金属核心层包含有：
4.根据权利要求3所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，至少一个所述填充孔沿所述厚度方向贯穿所述铜层，所述内埋金属的两端缘分别无缝隙地连接于两个所述焊接层。
5.根据权利要求1所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，每个所述焊接层为一硬焊胶层或一玻璃焊接胶层，并且任一个所述陶瓷披覆层的厚度不小于其所连接的所述焊接层的厚度，而每个所述焊接层的所述厚度不大于30微米。
6.根据权利要求1所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，每个所述陶瓷披覆层具有远离所述金属核心层的一研磨平面。
7.根据权利要求6所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述陶瓷金属复合基板进一步包括有两个线路层，其以直接镀铜技术或薄膜金属化基板技术而分别形成于两个所述陶瓷披覆层的所述研磨平面。
8.根据权利要求7所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，至少一个所述陶瓷披覆层自其所述研磨平面凹设有连通至相对应所述焊接层的一通孔，并且相对应所述线路层填满所述通孔并连接于相对应所述焊接层。
9.一种陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述陶瓷金属复合基板包括：
10.根据权利要求9所述的陶瓷金属复合基板，其特征在于，所述金属核心层选自一铜层、一铜钨合金层、一钻石金属层、或一铜钼合金层，并且每个所述陶瓷披覆层为通过直接覆铜技术而共晶接合于所述金属核心层，并且任一个所述共晶接合层的厚度不大于3微米；于每个所述陶瓷披覆层之中，所述第一陶瓷层为具有介于5微米～15微米厚度的一氧化铝层，而所...
【专利技术属性】
技术研发人员：周楷谋，吴思翰，赖致玮，施建宇，
申请(专利权)人：同欣电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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