System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种具备过流保护的MOS管驱动电路制造技术_技高网

一种具备过流保护的MOS管驱动电路制造技术

技术编号:43167115 阅读:13 留言:0更新日期:2024-11-01 19:58
本发明专利技术公开了一种所述具备过流保护的MOS管驱动电路,包括电压监测单元、控制单元、MOS驱动单元和MOS管;控制单元第一信号输入端与负载电路被监测单元传感器输出端连接,传感器用于检测所述被监测单元工作状态;控制单元第二信号输入端与所述电压监测单元信号输出端连接;电压监测单元用于检测控制单元、MOS驱动单元和MOS管的供电开关电源电压值;控制单元输出控制端与MOS驱动单元输入端连接,MOS驱动单元输出端与MOS管输入控制端连接,MOS管输出控制端与负载电路连接。本发明专利技术通过对数字电压和驱动电压检测,当检测到数字电压或/和驱动电压下降时主动关断MOS管,实现对MOS管双重防护。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及mos管驱动电路,特别是涉及一种具备过流保护的mos管驱动电路。


技术介绍

1、在体外诊断设备中,为了保证反应试剂能够长时间储藏,需要给试剂提供一个低温的储藏环境;同样,为了保证试剂反应结果的准确性,需要反应盘提供一个接近人体体温的温育环境;无论是试剂储藏的低温环境、试剂反应的人体温度,或是样本移动的运动控制系统,其功能的实现多由功率器件mos管构成的驱动电路来承担。

2、目前,对mos管的驱动多由mos驱动芯片来完成。当体外诊断设备供电异常或者控制系统供电异常时,将导致mos管过流发热损坏。为解决这一问题,现在的措施多是通过mos驱动芯片的快速切换,减少开启时间和减少关断时间,依靠mos驱动芯片的快速切换来解决上述断电时的保护问题。但是,当数字电(用于向mcu等控制芯片供电的开关电源,简称为数字电)和驱动电(用于向大电流负载供电的开关电源,简称为驱动电)分开应用时,例如数字电先断电而驱动电不断电的这种应用时,由于整机负载比较多,会导致断电时供电电压放电时间比较长,此时mos管处于线性区的时间也会比较长,由于此时负载电流比较大,因此会导致mos管产生热量非常大而损坏。


技术实现思路

1、本专利技术目的在于提供一种具备过流保护的mos管驱动电路,实现双重过流保护。

2、为实现上述目的,本专利技术采取下述技术方案:

3、本专利技术所述具备过流保护的mos管驱动电路,包括电压监测单元、控制单元、mos驱动单元和mos管;

4、所述控制单元第一信号输入端与负载电路被监测单元传感器输出端连接,所述传感器用于检测所述被监测单元工作状态;控制单元第二信号输入端与所述电压监测单元信号输出端连接;电压监测单元用于检测控制单元、所述mos驱动单元和所述mos管的供电开关电源电压值;控制单元输出控制端与mos驱动单元输入端连接,mos驱动单元输出端与mos管输入控制端连接,mos管输出控制端与负载电路连接。

5、可选择地,所述控制单元输出控制端通过io驱动单元与所述mos驱动单元输出端连接;io驱动单元的设置是:当控制单元的io端口使用率过多时,有可能会出现驱动不足,因此添加一个io驱动单元,从而保证了驱动能力。

6、可选择地,所述控制单元为单片机u1,单片机u1电源输入端(vcc)与第一开关电源(数字电)连接;所述电压监测单元为电阻r3、r4组成的分压电路,所述分压电路一端与单片机u1第二信号输入端ad2连接,分压电路另一端与第二开关电源(驱动电)连接;所述io驱动单元为io缓冲器u2,所述io缓冲器u2输入端(ao)与单片机u1控制信号(pwm)输出端连接;所述mos驱动单元为高速光耦u3,所述高速光耦u3第一控制端(a)通过限流电阻r与第一开关电源(数字电)连接,高速光耦u3第二控制端(c)与io缓冲器u2输出端(bo)连接,高速光耦u3电源输入端(vcc)与第一开关电源(数字电)或第二开关电源(驱动电)连接,高速光耦u3输出端(output)通过电阻r1、r2组成的分压电路与所述mos管输入控制端连接;mos管电源输入端与第二开关电源(驱动电)连接,mos管输出控制端与负载电路连接。

7、可选择地,所述io缓冲器u2为直通模式。

8、与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:通过对数字电压和驱动电压检测,当检测到数字电压或/和驱动电压下降时主动关断mos管,实现对mos管双重防护。同时,将mos管的栅极电压控制在饱和区,当mos管关断前处于饱和区或者内阻比较小,产热比较小。本专利技术电路实现简单、成本低、稳定性高,对mos管过流防护迅速,可应对各种复杂环境,适用性强。

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【技术保护点】

1.一种具备过流保护的MOS管驱动电路,其特征在于:包括电压监测单元、控制单元、MOS驱动单元和MOS管;

2.根据权利要求1所述具备过流保护的MOS管驱动电路,其特征在于:所述控制单元输出控制端通过IO驱动单元与所述MOS驱动单元输出端连接。

3.根据权利要求2所述具备过流保护的MOS管驱动电路,其特征在于:所述控制单元为单片机U1,单片机U1电源输入端与第一开关电源连接;所述电压监测单元为电阻R3、R4组成的分压电路,所述分压电路一端与单片机U1第一信号输入端AD1连接,分压电路另一端与第二开关电源连接;所述IO驱动单元为IO缓冲器U2,所述IO缓冲器U2输入端与单片机U1控制信号输出端连接;所述MOS驱动单元为高速光耦U3,所述高速光耦U3第一控制端通过限流电阻R与第一开关电源连接,高速光耦U3第二控制端与IO缓冲器U2输出端连接,高速光耦U3电源输入端与第一开关电源或第二开关电源连接,高速光耦U3输出端通过电阻R1、R2组成的分压电路与所述MOS管输入控制端连接;MOS管电源输入端与第二开关电源连接,MOS管输出控制端与负载电路连接。

4.根据权利要求3所述具备过流保护的MOS管驱动电路,其特征在于:所述IO缓冲器U2为直通模式。

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【技术特征摘要】

1.一种具备过流保护的mos管驱动电路,其特征在于:包括电压监测单元、控制单元、mos驱动单元和mos管;

2.根据权利要求1所述具备过流保护的mos管驱动电路,其特征在于:所述控制单元输出控制端通过io驱动单元与所述mos驱动单元输出端连接。

3.根据权利要求2所述具备过流保护的mos管驱动电路,其特征在于:所述控制单元为单片机u1,单片机u1电源输入端与第一开关电源连接;所述电压监测单元为电阻r3、r4组成的分压电路,所述分压电路一端与单片机u1第一信号输入端ad1连接,分压电路另一端与第二开关电源连接;所述io...

【专利技术属性】
技术研发人员:王超王聪王伟郭阳阳尤红艳李东刘聪魏文娟
申请(专利权)人:安图实验仪器郑州有限公司
类型:发明
国别省市:

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