【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。
技术介绍
1、在诸如逻辑电路和存储器之类的各种半导体器件中，可以使用用于将设置在不同高度上的各种导电元件(例如，后道工序(beol)的导线或与有源区域(例如，源极和漏极)连接的接触插塞)连接的互连结构(例如，后道工序(beol))。最近，随着半导体器件的高度集成，已经进行了各种研究，以通过与镶嵌工艺相反的消减蚀刻工艺来形成互连结构，同时减小线宽和/或间距。
技术实现思路
1、本公开的一方面旨在提供一种具有改进的集成度和电特性的半导体器件及其制造方法。
2、根据本公开的一方面，一种半导体器件可以包括：衬底，具有第一区域和第二区域；有源区域，在衬底的第一区域上沿第一方向延伸；器件隔离层，在衬底的第一区域和第二区域上，并且被配置为在第一区域中限定有源区域；栅结构，在有源区域上，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；源/漏区，在栅结构的两侧在有源区域上；下层间绝缘层，在器件隔离层上，并且被配置为在第一区域中覆盖栅结构和源/漏区；接触结构，穿透下层间绝缘层，并且连接到源/漏区；第一上层间绝缘层，被配置为覆盖下层间绝缘层和接触结构；过孔结构，在第一上层间绝缘层上，并且连接到接触结构；多条金属布线，在第一上层间绝缘层上沿第一方向延伸，并且电连接到过孔结构；第一停止层，与多条金属布线的下表面接触，并且在多条金属布线的下表面与过孔结构的上表面之间；键标图案，在第二区域中在与过孔结构的高度相同的高度上；虚设布线层，被配置为覆盖键标图案，并
3、根据本公开的一方面，一种半导体器件可以包括：衬底，具有第一区域和第二区域；下层间绝缘层，在衬底的第一区域和第二区域上；上层间绝缘层，在下层间绝缘层上；过孔结构，在第一区域中穿透上层间绝缘层；多条金属布线，在过孔结构上沿第一方向延伸，并且电连接到过孔结构；沟槽，在第二区域中在与过孔结构的高度相同的高度上，并且在上层间绝缘层中；以及虚设布线层，沿沟槽、上层间绝缘层、以及下层间绝缘层的上表面具有弯曲结构。
4、根据本公开的一方面，一种制造半导体器件的方法可以包括：在具有第一区域和第二区域的衬底上形成下层间绝缘层；在下层间绝缘层上形成上层间绝缘层；在第一区域中形成穿透上层间绝缘层的过孔结构；在第二区域中形成穿透上层间绝缘层的键标图案；顺序地形成在过孔结构和键标图案上的停止层、在停止层上的缓冲层、以及在缓冲层上的抗反射层；在抗反射层上形成光刻胶层；在第二区域中，通过去除光刻胶层的一部分来形成开口区域；通过在第一区域和第二区域中去除光刻胶层、以及在与开口区域竖直重叠的区域中去除抗反射层、缓冲层和停止层、并且暴露键标图案的上表面来形成沟槽；在除了开口区域之外的区域中去除抗反射层和缓冲层，并且去除停止层的至少一部分；在第一区域中形成覆盖停止层的金属布线层；在第二区域中，沿上层间绝缘层的上表面和侧表面以及沟槽形成虚设布线层；以及在第一区域中，通过去除金属布线层的一部分来形成多条金属布线。
5、在根据本公开的一些示例实施例的半导体器件中，当存在用于对准的曝光时，虚设布线层可以在外围区域中通过具有台阶部分的结构来形成光的路径差，从而通过对准多条金属布线、过孔结构和接触结构来提供具有改进的集成度和电特性的半导体器件。
6、本申请的优点和效果不限于前述内容，并且在描述本公开的一些示例实施例的过程中可以被更容易地理解。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一停止层的厚度大于所述第二停止层的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述键标图案中的每个键标图案的中心轴之间的距离彼此不同。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设布线层的下表面的一部分的高度是与所述键标图案的下表面的高度相同的高度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设布线层的下表面的高度高于所述键标图案的下表面的高度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述键标图案中的每个键标图案的上部的宽度大于所述键标图案中的每个键标图案的下部的宽度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设布线层的厚度是与所述多条金属布线的厚度相同的厚度。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一停止层的侧表面和所述多条金属布线中的每条金属布线的侧表面形成共面的表面。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，还
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一区域是单元区域，并且所述第二区域是包括外围电路区域和划道区域中的至少一个的区域。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二区域包括对准键标区域和套刻键标区域中的至少一个。
13.一种半导体器件，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体器件，还包括：
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第一沟槽的下部的宽度大于所述第一沟槽的上部的宽度。
16.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述沟槽包括：第二沟槽，沿所述上层间绝缘层的内侧表面以及所述下层间绝缘层的所述上表面设置，以及
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述第二沟槽的下部的宽度小于所述第二沟槽的上部的宽度。
18.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
19.根据权利要求18所述的制造半导体器件的方法，其中，形成沟槽包括：
20.根据权利要求18所述的制造半导体器件的方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一停止层的厚度大于所述第二停止层的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述键标图案中的每个键标图案的中心轴之间的距离彼此不同。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设布线层的下表面的一部分的高度是与所述键标图案的下表面的高度相同的高度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设布线层的下表面的高度高于所述键标图案的下表面的高度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述键标图案中的每个键标图案的上部的宽度大于所述键标图案中的每个键标图案的下部的宽度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设布线层的厚度是与所述多条金属布线的厚度相同的厚度。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一停止层的侧表面和所述多条金属布线中的每条金属布线的侧表面形成共面的表面。
10.根据权利要求1所述的半...
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