System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 电路位于双重介电层上的导线架基板及使用其的组体制造技术_技高网

电路位于双重介电层上的导线架基板及使用其的组体制造技术

技术编号:43159745 阅读:8 留言:0更新日期:2024-11-01 19:53
本发明专利技术公开一种电路位于双重介电层上的导线架基板及使用其的组体,导线架基板包括电路层、端子、弯翘抑制介电层及加固介电层。电路层自端子侧向延伸并具有背向加固介电层的外表面以及面向加固介电层顶表面且通过弯翘抑制介电层与加固介电层顶表面隔开的内表面。加固介电层可作为支撑电路层侧向延伸的稳固平台并避免裂纹传播穿过加固介电层而进入电路层。弯翘抑制介电层在加固介电层接合至具有端子的导线架期间可吸收应力并减经结构弯翘问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种导线架基板,尤其是指一种电路位于双重介电层上的导线架基板及使用其的组体


技术介绍

1、高性能微处理器及特殊应用集成电路(asic)需高性能的基板进行信号互连。然而,现有树脂层压基板在严苛的操作要求下容易裂开,因此此等基板在实际应用中并不可靠。在特定应用中,陶瓷材料(如氧化铝或氮化铝)因其出色的电绝缘性、坚固的机械强度、低热膨胀系数(cte)及有效的导热率而受到青睐。因此,已开发多层陶瓷基板,如htcc(高温共烧陶瓷)或ltcc(低温共烧陶瓷),以满足特定应用的需求。

2、除了上述树脂层压基板及多层陶瓷基板之外,铜导线架基板已成为另一项受青睐的选择。它们具有例如高导热率、优异电性能以及简单制造制程的明显优势。虽然铜导线架基板相较于如层压或陶瓷的其他基板能展现较佳可靠性及成本效益,但仍亟需进一步提升其电、热及机械性能特性。此等改进对于确保高性能半导体元件的持续进步及可靠性至关重要。


技术实现思路

1、本专利技术的一目的是在于提供一种电路位于双重介电层上的导线架基板及使用其的组体,作为创新导线架基板其具有作为稳固平台的加固介电层(stiffening dielectriclayer),用以支撑电路层的侧向延伸。在制造该导线架基板时,具有足够强度的加固介电层可利用弯翘抑制介电层(warpage inhibiting dielectric layer)而与导线架结合,以解决弯翘问题,避免裂纹传播穿过加固介电层而进入电路层。

2、依据上述及其他目的,本专利技术提供一种电路位于双重介电层上的导线架基板,其包括一电路层、端子、一弯翘抑制介电层及一加固介电层。加固介电层侧向覆盖端子的侧向表面并通过弯翘抑制介电层与端子的侧向表面隔开。电路层自端子侧向延伸并位于加固介电层顶表面上方且通过弯翘抑制介电层与加固介电层顶表面隔开,该电路层具有背向加固介电层的外表面以及与外表面平行且面向加固介电层的内表面。弯翘抑制介电层包括一第一界面部于加固介电层与电路层之间、一第二界面部于加固介电层与端子之间、以及一覆盖层侧向延伸超过电路层外周并覆盖加固介电层的顶表面。加固介电层的弹性模数高于弯翘抑制介电层的弹性模数,且弯翘抑制介电层的弹性模数低于20gpa。

3、导线架基板可进一步包括一导热垫,且加固介电层侧向环绕该导热垫并通过弯翘抑制介电层的一第三界面部而与导热垫隔开。据此,本专利技术可提供通过于半导体元件与上述导线架基板的电路层之间设置凸块以将半导体元件电性连接至导线架基板的覆晶组体(flip chip assembly),以及将半导体元件重叠于导热垫上方并与导热垫热导通且通过接合线电性连接至导线架基板的电路层的打线组体(wire bond assembly)。

4、本专利技术的上述及其他特征与优点将通过下述较佳实施例的详细叙述进一步描述并更加清楚明了。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电路位于双重介电层上的导线架基板,其特征在于,包括一电路层、端子、一弯翘抑制介电层及一加固介电层,其中:

2.如权利要求1所述的导线架基板,其特征在于,该端子的每一个具有位于该导线架基板的外周的一外侧向表面。

3.如权利要求1所述的导线架基板,其特征在于,该端子的每一个包括一柱部及一凸缘部,且其中该凸缘部自该柱部侧向延伸至该导线架基板的一外周并具有一顶表面及一凹入表面,该凸缘部的该顶表面与该电路层的该外表面实质上共平面,且该凸缘部的该凹入表面位于该凸缘部的该顶表面与该柱部的一底表面之间的一预定水平处。

4.如权利要求3所述的导线架基板,其特征在于,该预定水平处于该电路层的该内表面与该柱部的该底表面之间。

5.如权利要求3或4所述的导线架基板,其特征在于,该弯翘抑制介电层具有邻接该凹入表面的内侧向表面。

6.如权利要求1所述的导线架基板,其特征在于,该端子的每一个的一底表面与该加固介电层的一底表面呈实质上共平面。

7.如权利要求1所述的导线架基板,其特征在于,该加固介电层为具有配置成抑制裂纹传播的玻璃加固件的有机材料。

8.如权利要求1所述的导线架基板,其特征在于,该弯翘抑制介电层为具有无机粒子填充料的有机材料。

9.如权利要求1所述的导线架基板,其特征在于,还包括一导热垫,其中该加固介电层侧向环绕该导热垫的侧向表面并通过该弯翘抑制介电层的一第三界面部而与该导热垫的该侧向表面隔开。

10.如权利要求9所述的导线架基板,其特征在于,该导热垫的一底表面与该加固介电层的一底表面呈实质上共平面。

11.如权利要求9所述的导线架基板,其特征在于,该导热垫的一顶面为一凹穴的一底部,且其中该弯翘抑制介电层还包括一环绕部,其邻接该覆盖部及该第三界面部并侧向环绕该凹穴。

12.一种覆晶组体,其特征在于,包括:

13.如权利要求12所述的覆晶组体,其特征在于,还包括封装材料,其包覆该半导体元件并侧向延伸至该覆晶组体的外周。

14.如权利要求12所述的覆晶组体,其特征在于,该导线架基板还包括一导热垫,该加固介电层侧向环绕该导热垫的侧向表面并通过该弯翘抑制介电层的一第三界面部而与该导热垫的该侧向表面隔开,且该半导体元件重叠于该导热垫上方并通过该半导体元件与该导热垫之间的额外凸块与该导热垫热导通。

15.一种打线组体,其特征在于,包括:

16.如权利要求15所述的打线组体,其特征在于,该导热垫的一顶面为一凹穴的一底部,该弯翘抑制介电层还包括一环绕部,其邻接该覆盖部及该第三界面部并侧向环绕该凹穴,且该半导体元件设于该凹穴中并被该弯翘抑制介电层的该环绕部侧向环绕。

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【技术特征摘要】

1.一种电路位于双重介电层上的导线架基板,其特征在于,包括一电路层、端子、一弯翘抑制介电层及一加固介电层,其中:

2.如权利要求1所述的导线架基板,其特征在于,该端子的每一个具有位于该导线架基板的外周的一外侧向表面。

3.如权利要求1所述的导线架基板,其特征在于,该端子的每一个包括一柱部及一凸缘部,且其中该凸缘部自该柱部侧向延伸至该导线架基板的一外周并具有一顶表面及一凹入表面,该凸缘部的该顶表面与该电路层的该外表面实质上共平面,且该凸缘部的该凹入表面位于该凸缘部的该顶表面与该柱部的一底表面之间的一预定水平处。

4.如权利要求3所述的导线架基板,其特征在于,该预定水平处于该电路层的该内表面与该柱部的该底表面之间。

5.如权利要求3或4所述的导线架基板,其特征在于,该弯翘抑制介电层具有邻接该凹入表面的内侧向表面。

6.如权利要求1所述的导线架基板,其特征在于,该端子的每一个的一底表面与该加固介电层的一底表面呈实质上共平面。

7.如权利要求1所述的导线架基板,其特征在于,该加固介电层为具有配置成抑制裂纹传播的玻璃加固件的有机材料。

8.如权利要求1所述的导线架基板,其特征在于,该弯翘抑制介电层为具有无机粒子填充料的有机材料。

9.如权利要求1所述的导线架基板,其特征在于,还...

【专利技术属性】
技术研发人员:林文强王家忠
申请(专利权)人:钰桥半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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