【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。
技术介绍
1、在三维非易失性存储器中，例如在积层有多个导电层的积层体中，贯通着具有作为通道层的半导体层及作为存储器层的多层绝缘层的柱。作为通道层的半导体层优选为柱的整个延伸方向皆为单晶。由此，能够使通道层低电阻化，另外，能够减少来自通道层的噪声，从而提高在与多个导电层的交叉部处形成的存储单元的电特性。
2、[
技术介绍
文献]
3、[专利文献]
4、[专利文献1]日本专利特开2015-103742号公报
5、[专利文献2]日本专利特开2004-165185号公报
6、[专利文献3]日本专利特开2009-194259号公报
7、[专利文献4]日本专利特开2020-141008号公报
技术实现思路
1、[专利技术要解决的问题]
2、一实施方式的目的在于提供一种能够使通道层低电阻化，另外，能够减少来自通道层的噪声，从而提高存储单元的电特性的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。
3、[解决问题的技术手段]
4、实施方式的半导体存储装置具备：积层体，交替积层有多个导电层与多个绝缘层；以及多个柱，分别包含在所述积层体内沿与所述多个导电层各自的面交叉的第1方向延伸的芯材、覆盖所述芯材的侧面的结晶质的半导体层、及包含电荷储存层而积层于所述半导体层的侧面的多层绝缘层；且各个所述半导体层在所述第1方向的至少第1端部侧具有所
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1.一种半导体存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中
5.一种半导体存储装置，具备：
6.一种半导体存储装置的制造方法，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的半导体存储装置的制造方法，其中
8.根据权利要求7所述的半导体存储装置的制造方法，其中
9.根据权利要求7所述的半导体存储装置的制造方法，其中
10.根据权利要求6所述的半导体存储装置的制造方法，其中
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中
5.一种半导体存储装置，具备：
6.一种半导体存储装置的制造方...
【专利技术属性】
技术研发人员：松下匠，石原典隆，上嶋和也，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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