【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件，并且具体地，涉及包括缓冲绝缘层的半导体器件。
技术介绍
1、随着对具有提高的速度和/或降低的功耗的电子装置的需求增加，对具有更快的操作速度和/或更低的操作电压的半导体存储器件的需求日益增加。已提出磁存储器件来满足这种需求。例如，磁存储器件可以提供诸如高速和/或非易失性的技术优势，因此，磁存储器件正在成为下一代存储器件。
2、通常，磁存储器件包括磁性隧道结(mtj)图案。mtj图案包括两个磁性层和介于它们之间的绝缘层。mtj图案的电阻可以根据磁性层的磁化方向而变化。例如，当磁性层的磁化方向彼此反平行时，mtj图案的电阻可以比当它们彼此平行时高。这种电阻差可以用于磁存储器件的数据存储/读取操作。
3、正在开发mtj图案设置在金属线之间的磁存储器件的嵌入式结构，以满足对电子行业的各种需求。
技术实现思路
1、本专利技术构思的实施例提供了具有提高的电特性和/可靠性特性的半导体器件。
2、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域和外围区域；底部电极，所述底部电极与所述单元区域交叠；磁性隧道结图案，所述磁性隧道结图案位于所述底部电极上；顶部电极，所述顶部电极位于所述磁性隧道结图案上；缓冲绝缘层，所述缓冲绝缘层与所述外围区域交叠；覆盖绝缘层，所述覆盖绝缘层与所述顶部电极的侧表面和所述缓冲绝缘层的顶表面接触；以及第一外围导电结构，所述第一外围导电结构穿透所述覆盖绝缘层和所述缓冲绝缘层。所述缓冲绝缘层的所
3、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域和外围区域；底部电极，所述底部电极与所述单元区域交叠；磁性隧道结图案，所述磁性隧道结图案位于所述底部电极上；顶部电极，所述顶部电极位于所述磁性隧道结图案上；缓冲绝缘层，所述缓冲绝缘层与所述外围区域交叠；覆盖绝缘层，所述覆盖绝缘层与所述顶部电极的侧表面和所述缓冲绝缘层的顶表面接触；填充绝缘层，所述填充绝缘层位于所述覆盖绝缘层上；以及第一外围导电结构，所述第一外围导电结构穿透所述覆盖绝缘层和所述缓冲绝缘层。所述填充绝缘层可以包括设置在所述缓冲绝缘层和所述顶部电极之间的填充绝缘部分。所述缓冲绝缘层的介电常数可以小于所述填充绝缘层的介电常数。
4、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域和外围区域；单元导电结构，所述单元导电结构与所述单元区域交叠；第一外围导电结构，所述第一外围导电结构与所述外围区域交叠；底部电极接触，所述底部电极接触位于所述单元导电结构上；底部电极，所述底部电极位于所述底部电极接触上；磁性隧道结图案，所述磁性隧道结图案位于所述底部电极上；顶部电极，所述顶部电极位于所述磁性隧道结图案上；第二外围导电结构，所述第二外围导电结构位于所述第一外围导电结构上；模制绝缘层，所述模制绝缘层与所述外围区域交叠；中间绝缘层，所述中间绝缘层位于所述模制绝缘层上；缓冲绝缘层，所述缓冲绝缘层位于所述中间绝缘层上；覆盖绝缘层，所述覆盖绝缘层与所述顶部电极的侧表面和所述缓冲绝缘层的顶表面接触；填充绝缘层，所述填充绝缘层位于所述覆盖绝缘层上；保护绝缘层，所述保护绝缘层与所述覆盖绝缘层和所述填充绝缘层接触；第三外围导电结构，所述第三外围导电结构穿透所述保护绝缘层、所述覆盖绝缘层和所述缓冲绝缘层，并且连接到所述第二外围导电结构；以及单元导电线，所述单元导电线位于所述顶部电极上。所述缓冲绝缘层的介电常数和所述模制绝缘层的介电常数可以小于所述填充绝缘层的介电常数。
5、根据本专利技术构思的实施例，一种制造半导体器件的方法可以包括：提供包括单元区域和外围区域的衬底；形成与所述单元区域交叠的底部电极接触；形成绝缘结构以覆盖所述底部电极接触；蚀刻所述绝缘结构，以形成与所述外围区域交叠的缓冲绝缘层并且暴露所述底部电极接触；形成底部电极层，以覆盖所述底部电极接触和所述缓冲绝缘层；在所述底部电极层上形成磁性隧道结层；在所述磁性隧道结层上形成初步顶部电极；通过蚀刻所述初步顶部电极、所述磁性隧道结层和所述底部电极层来形成顶部电极、磁性隧道结图案和底部电极；以及形成与所述顶部电极和所述缓冲绝缘层接触的覆盖绝缘层。
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1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求4所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一外围导电结构穿透所述保护绝缘层。
11.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述覆盖绝缘层的介电常数小于所述填充绝缘层的介电常数。
13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述缓冲绝缘层的厚度大于所述覆盖绝缘层的厚度。
14.根据权利要求11所述的半导体器件
15.根据权利要求11所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层的介电常数小于所述填充绝缘层的介电常数。
17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层包括氮化硅。
18.根据权利要求15所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
19.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，
20.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求4所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一外围导电结构穿透所述保护绝缘层。
11.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
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