【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种半导体结构的制造方法。
技术介绍
1、常见的半导体封装技术中，比如将芯片进行堆叠封装的技术，通常将多个芯片堆叠设置在引线框或者电路板上，通过键合线实现不同芯片之间的电连接，以及芯片与引线框或电路板之间的电连接。
2、通过上述封装技术得到的半导体产品，容易出现键合线与芯片、引线框或电路板电连接效果不好的情况，影响半导体产品的可靠性。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法。所述半导体结构的制造方法包括：
2、制备封装结构，所述封装结构包括第一芯片、塑封层及第一再布线层，所述第一芯片包括第一正面、与所述第一正面相对的第一背面、及连接所述第一正面与所述第一背面的多个第一侧面，所述第一正面设有多个第一焊垫；所述塑封层至少包封所述第一侧面；所述第一再布线层位于所述第一正面且与所述第一焊垫电连接；
3、在所述第一再布线层背离所述第一芯片的一侧设置塑封膜，所述塑封膜为可塑性膜；
4、在所述塑封膜背离所述封装结构的一侧设置第二芯片，所述第二芯片包括第二正面、与所述第二正面相对的第二背面、及连接所述第二正面与所述第二背面的多个第二侧面，所述第二正面设有多个第二焊垫，所述第二焊垫背离所述塑封膜；
5、使所述第二芯片进入所述塑封膜，所述第二侧面及所述第一再布线层被所述塑封膜包覆；
6、形成贯穿所述塑封膜的通孔，并形成位于所述塑封膜背离封装结构一侧的第二再布线层及位于所述通孔内的导电
7、在一个实施例中，所述第二芯片进入所述塑封膜之前，所述封装结构朝向所述塑封膜的表面位于所述第一再布线层之外的区域与所述塑封膜之间存在间隙；
8、所述塑封膜的材料包括环氧树脂预聚体；所述使所述第二芯片进入所述塑封膜，包括：
9、在设定温度下对所述第二芯片施加压力，使所述环氧树脂预聚体发生交联反应，且使所述第二芯片进入所述塑封膜，所述封装结构朝向所述塑封膜的表面与所述塑封膜接触，所述塑封膜与所述塑封层粘附在一起；所述设定温度的范围为50℃～120℃。
10、在一个实施例中，所述在所述塑封膜背离所述封装结构的一侧设置第二芯片，包括：将第二芯片贴装在第一载板上，所述第二正面朝向所述第一载板；将得到的结构设置在所述塑封膜背离所述封装结构的一侧，且所述第一载板位于所述第二芯片背离所述塑封膜的一侧；所述塑封膜在所述第一载板上的正投影全部落在所述第一载板上；
11、所述对所述第二芯片施加压力，包括：对所述第一载板施加压力，使所述第一载板对所述第二芯片施加压力。
12、在一个实施例中，所述塑封膜的厚度大于所述第二芯片和所述第一再布线层的厚度之和。
13、在一个实施例中，所述塑封膜的厚度与所述第二芯片和所述第一再布线层的厚度之和的差大于20μm。
14、在一个实施例中，所述对所述第一载板施加压力的步骤在真空条件下进行。
15、在一个实施例中，所述第二芯片的第二正面通过第一粘结层贴装在第一载板上；所述封装结构背离所述第一再布线层的表面通过第二粘结层贴装在第二载板上；所述第一粘结层与所述第二粘结层均为热脱离膜层，所述第一粘结层的脱离温度小于所述第二粘结层的脱离温度；
16、所述形成贯穿所述塑封膜的通孔之前，所述半导体结构的制备方法还包括：对得到的半导体中间结构升温至预设温度，使所述第一粘结层与所述第二芯片分离，将所述第一载板剥离；所述预设温度大于或等于所述第一粘结层的脱离温度，且小于所述第二粘结层的脱离温度。
17、在一个实施例中，所述形成贯穿所述塑封膜的通孔之前，所述半导体结构的制造方法还包括：
18、固化所述塑封膜。
19、在一个实施例中，所述形成位于所述塑封膜背离封装结构一侧的第二再布线层及位于所述通孔内的导电部之后，所述半导体结构的制备方法还包括：
20、形成至少一个包封结构；所述包封结构的数量为多个时，多个所述包封结构在所述塑封膜背离所述封装结构的一侧堆叠设置；
21、所述包封结构的形成过程包括：
22、在所述第二再布线层背离所述第二芯片的一侧设置塑封材料膜，所述塑封材料膜为可塑性膜；
23、在所述塑封材料膜背离所述封装结构的一侧设置第三芯片，所述第三芯片包括第三正面、与所述第三正面相对的第三背面、及连接所述第三正面与所述第三背面的多个第三侧面，所述第三正面设有多个第三焊垫，所述第三焊垫背离所述塑封材料膜；
24、对所述第三芯片施加压力，使所述第三芯片进入所述塑封材料膜，所述第三侧面被所述塑封材料膜包覆；
25、形成贯穿所述塑封材料膜的开孔，并形成位于所述塑封材料膜背离封装结构一侧的第三再布线层及位于所述开孔内的导电结构，所述第三再布线层与所述第三焊垫电连接，且通过所述导电结构与位于所述导电结构朝向所述封装结构一侧的再布线层电连接。
26、在一个实施例中，所述塑封膜的厚度范围为100μm～200μm；和/或，
27、所述塑封膜的热膨胀系数与所述塑封层的热膨胀系数的差值绝对值小于5/℃。
28、本申请实施例提供的半导体结构的制造方法，由于塑封膜为可塑性膜，第二芯片可进入到塑封膜，使塑封膜包覆第二芯片的第二侧面且第二芯片的第二焊垫露出，从而第二焊垫可依次通过第二再布线层、导电部及第一再布线层与第一焊垫电连接，实现第一芯片与第二芯片的互连。本申请实施例提供的半导体结构的制造方法，第一芯片与第二芯片通过再布线层及位于通孔内的导电结构实现互连，相对于采用键合线实现互连的方案来说，可避免键合线与芯片电连接效果不好而影响第一芯片与第二芯片之间的电连接效果，提升半导体结构的可靠性；相对于先将第二芯片进行塑封后贴装到封装结构上，形成第二再布线层之后再对得到的整个结构进行塑封的方案来说，本申请实施例提供的制造方法通过采用可塑性的塑封膜，对第二芯片施加压力后即可使得塑封膜与塑封层粘附在一起，无需再次进行塑封，有助于简化半导体结构的制备工艺，减小半导体结构的尺寸。
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1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二芯片进入所述塑封膜之前，所述封装结构朝向所述塑封膜的表面位于所述第一再布线层之外的区域与所述塑封膜之间存在间隙；
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在所述塑封膜背离所述封装结构的一侧设置第二芯片，包括：将第二芯片贴装在第一载板上，所述第二正面朝向所述第一载板；将得到的结构设置在所述塑封膜背离所述封装结构的一侧，且所述第一载板位于所述第二芯片背离所述塑封膜的一侧；所述塑封膜在所述第一载板上的正投影全部落在所述第一载板上；
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述对所述第一载板施加压力的步骤在真空条件下进行。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述塑封膜的厚度大于所述第二芯片和所述第一再布线层的厚度之和。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述塑封膜的厚度与所述第二芯片和所述第一再布线层的厚度之和的差大于20μm。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二芯片的第二正面通过第一粘结层贴装在第一载板上；所述封装结构背离所述第一再布线层的表面通过第二粘结层贴装在第二载板上；所述第一粘结层与所述第二粘结层均为热脱离膜层，所述第一粘结层的脱离温度小于所述第二粘结层的脱离温度；
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成贯穿所述塑封膜的通孔之前，所述半导体结构的制造方法还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成位于所述塑封膜背离封装结构一侧的第二再布线层及位于所述通孔内的导电部之后，所述半导体结构的制备方法还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述塑封膜的厚度范围为100μm～200μm；和/或，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二芯片进入所述塑封膜之前，所述封装结构朝向所述塑封膜的表面位于所述第一再布线层之外的区域与所述塑封膜之间存在间隙；
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在所述塑封膜背离所述封装结构的一侧设置第二芯片，包括：将第二芯片贴装在第一载板上，所述第二正面朝向所述第一载板；将得到的结构设置在所述塑封膜背离所述封装结构的一侧，且所述第一载板位于所述第二芯片背离所述塑封膜的一侧；所述塑封膜在所述第一载板上的正投影全部落在所述第一载板上；
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述对所述第一载板施加压力的步骤在真空条件下进行。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述塑封膜的厚度大于所述第二芯片和所述第一再布线层的厚度之和。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫璐，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：
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