【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、相变存储器作为一种非易失性存储器件，在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、多值实现等诸多方面具备较大的优越性。
2、对相变存储器执行写入操作时，对其施加大于或等于写入阈值电压的写入脉冲。对相变存储器执行擦除操作时，对其施加大于或等于擦除阈值电压的擦除脉冲。写入阈值电压与擦除阈值电压之间的差值过小，会导致写入操作和擦除操作的窗口较小，半导体器件的电性降低。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体器件及其制造方法，以增大写入擦除阈值电压与擦除阈值电压之间的差值，进而提升半导体器件的电性。
2、第一方面，本申请提供一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括：
3、于基底层上形成沿第一方向堆叠的存储叠层，所述存储叠层包括存储层；
4、形成沿所述第一方向贯穿所述存储层的第一贯穿槽，所述第一贯穿槽沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交；以及
5、采用包括sih4和第一含氮反应物的第一气体，在所述第一贯穿槽的侧壁上形成第一氮化硅层。
6、第二方面，本申请还提供一种半导体器件，所述半导体器件由上述任意一些实施例的半导体器件的制造方法制造得到。
7、在本申请的一些实施例的半导体器件及其制造方法中，在第一贯穿槽的侧壁上形成第一氮化硅层的过程中，用于形成第一氮化硅层的sih4对氧化的存储层起到较强的还原作用，改善存储层的性能，以提高半导
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1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述采用包括SiH4和第一含氮反应物的第一气体，包括：
3.根据权利要求2所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述采用包括SiH4和第一含氮反应物的第一气体，还包括：
4.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述第一贯穿槽的侧壁上形成第一氮化硅层，包括：
5.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述存储层为相变存储层，所述第一存储叠层还包括设置于所述基底层与所述相变存储层之间的双向阈值开关层；
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述存储层为双向阈值开关层。
8.根据权利要求1至7任一项所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：对所述第一氮化硅层执行去氢工艺。
9.根据权利要求8所述半导体器件的制造方法，其特征在于
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件由权利要求1至9任一项所述的制造方法制造得到。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述采用包括sih4和第一含氮反应物的第一气体，包括：
3.根据权利要求2所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述采用包括sih4和第一含氮反应物的第一气体，还包括：
4.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述第一贯穿槽的侧壁上形成第一氮化硅层，包括：
5.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪前莉，高国勤，骆金龙，刘峻，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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