【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，具体地，涉及化学气相沉积设备。
技术介绍
1、碳化硅(sic)由于其高热导率、高化学稳定性、高机械强度等优异的理化性质而在各种不同工业应用中得到广泛使用。例如，在半导体制造中，使用sic结构作为用于制造半导体的各种部件，比如，聚焦环、晶圆承载盘等。
2、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)法是用来制备sic结构的其中一种方法。通常，cvd法所对应的cvd炉包括炉室、排气口和多个进气口。炉室内设置有用于支撑多个基底的基底支撑装置。排气口位于炉室底部的中心处，并且多个进气口沿竖向方向成列地分布在炉室的周向壁处，且进气口的进气方向为水平方向。在cvd过程中，反应气体通过多个进气口被引入cvd炉的炉室内，以在布置在炉室内的基底上沉积形成sic层，通过随后去除基底，即可得到相应的sic结构。
3、然而，由于排气口位于炉室底部处，当气体从位于排气口上方的进气口进入炉室内时，气体会朝底部的排气口向下扩散，导致炉室内的反应气体的分布不均匀，出现分布在炉室的上侧区域的反应气体较少，而分布在炉室的下侧区域的反应气体较多的情况。这导致布置在炉室的上侧区域的基底上所沉积的sic层的厚度小于布置在炉室的下侧区域的基底上所沉积的sic层的厚度。这种厚度不均性可能会影响sic结构的电学性能和机械性能，甚至可能导致sic结构无法达到预期的制造标准，从而造成材料浪费。
技术实现思路
1、本部分提供本公开的总体概要，而不是对本公开的全
2、本公开的目的在于提供一种能够提高同一炉沉积形成的sic结构的厚度的均匀性的cvd设备。
3、为了实现上述目的，提供了一种cvd设备，其用于在多个基底上进行化学气相沉积，该cvd设备包括：
4、反应腔室，用于在其中安置所述多个基底；
5、排气部，包括设置在反应腔室的底部处的排气口；以及
6、多个进气部，每个进气部均包括设置在反应腔室中的进气口，并且所述多个进气部的相应的多个进气口中的至少一个进气口的进气方向相对于水平方向向上倾斜。
7、在一些实施方式中，所述多个进气口可以沿竖向方向排列。
8、在一些实施方式中，所述多个进气口可以布置成围绕反应腔室的中心轴线分布的多列。
9、在一些实施方式中，所述至少一个进气口可以包括所述多个进气口中的在最上侧的进气口。
10、在一些实施方式中，所述至少一个进气口可以为所述多个进气口中的位于在最下侧的进气口上方的所有其他进气口，或者所述至少一个进气口可以为所述多个进气口。
11、在一些实施方式中，所述至少一个进气口的进气方向相对于水平方向的倾斜角度可以是相等的，或者可以在竖向方向上从上至下依次减小。
12、在一些实施方式中，进气方向相对于水平方向的倾斜角度可以小于等于45°。
13、在一些实施方式中，所述多个进气口可以布置在反应腔室的周向壁处，或者可以布置在反应腔室的中央处。
14、在一些实施方式中，与所述至少一个进气口中的任一进气口对应的进气部可以包括本体部和导流部，本体部沿水平方向延伸，并且本体部包括出气端，导流部设置在出气端处，并且导流部配置成引导从所述出气端离开的气体沿该任一进气口的进气方向进入反应腔室。
15、在一些实施方式中，导流部可以配置成以围绕出气端的出气开口的仅一部分的方式设置在出气端处。
16、根据上述技术方案，通过使多个进气口中的至少一个进气口的进气方向相对于水平方向向上倾斜，能够增加进气方向向上倾斜的进气口所喷射的气体向上扩散到的区域附近的反应气体的量，由此能够减小分布在反应腔室的上侧区域与下侧区域的反应气体的量的差距，并因此减小布置在反应腔室的上侧区域的基底上所沉积的sic层的厚度与布置在反应腔室的下侧区域的基底上所沉积的sic层的厚度之间的差距，从而使同一炉沉积形成的sic结构的厚度更均匀，sic结构的电学性能和机械性能更优，以及因无法达到预期的制造标准而造成材料浪费的可能性被降低甚至消除。
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1.一种化学气相沉积设备，用于在多个基底上进行化学气相沉积，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述多个进气口沿竖向方向排列。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述多个进气口布置成围绕所述反应腔室的中心轴线分布的多列。
4.根据权利要求2或3所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述至少一个进气口包括所述多个进气口中的在最上侧的进气口。
5.根据权利要求2或3所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述至少一个进气口为所述多个进气口中的位于在最下侧的进气口上方的所有其他进气口，或者所述至少一个进气口为所述多个进气口。
6.根据权利要求5所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述至少一个进气口的所述进气方向相对于水平方向的倾斜角度是相等的，或者在竖向方向上从上至下依次减小。
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述进气方向相对于水平方向的倾斜角度小于等于45°。
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的化学气相沉积设备
9.根据权利要求1至3中的任一项所述的化学气相沉积设备，其特征在于，与所述至少一个进气口中的任一进气口对应的所述进气部包括本体部和导流部，所述本体部沿水平方向延伸，并且所述本体部包括出气端，所述导流部设置在所述出气端处，并且所述导流部配置成引导从所述出气端离开的气体沿所述任一进气口的所述进气方向进入所述反应腔室。
10.根据权利要求9所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述导流部配置成以围绕所述出气端的出气开口的仅一部分的方式设置在所述出气端处。
...【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积设备，用于在多个基底上进行化学气相沉积，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述多个进气口沿竖向方向排列。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述多个进气口布置成围绕所述反应腔室的中心轴线分布的多列。
4.根据权利要求2或3所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述至少一个进气口包括所述多个进气口中的在最上侧的进气口。
5.根据权利要求2或3所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述至少一个进气口为所述多个进气口中的位于在最下侧的进气口上方的所有其他进气口，或者所述至少一个进气口为所述多个进气口。
6.根据权利要求5所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述至少一个进气口的所述进气方向相对于水平方向的倾斜角度是相等的，或者在竖向方向上从上至...
【专利技术属性】
技术研发人员：張珉碩，
申请(专利权)人：重庆欣晖材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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