System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种晶体材料及其制备方法和压电器件技术_技高网

一种晶体材料及其制备方法和压电器件技术

技术编号:43151815 阅读:3 留言:0更新日期:2024-10-29 17:51
本申请涉及晶体材料技术领域,本申请提供一种晶体材料及其制备方法和压电器件,包括:提供前驱体材料;将前驱体材料进行制备晶体材料的过程中,利用电场诱导晶体生长,实现晶体的原位极化和原位成型,得到晶体材料。本申请利用电场辅助作用,便于实现晶体的生长和晶体材料成型同步进行,方便控制材料的成型,制备成各种所需形状和大小的晶体材料;通过电场促进晶体的加速结晶生长;通过电场的诱导作用,增加晶体极化效果,提升晶体材料的压电性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于晶体材料,尤其涉及一种晶体材料及其制备方法和压电器件


技术介绍

1、晶体是指具有特定晶格和周期性排列的离子、原子或分子结构的固体材料。根据晶体的组成、结构和性质的不同,晶体可以分为有机晶体、无机晶体、有机-无机杂化晶体,目前在光学、电学、磁学等各个领域有着广泛的应用,例如在电子器件中用作半导体材料、光学器件中用作光学元件、生物医学领域中用作药物载体等。

2、常用的晶体材料的制备方法包括干法和湿法,对晶体的可控性相对较差,尤其不利于制备大面积晶体薄膜材料,晶体材料的均一性、结晶度、尺寸、形貌等特征的可控性较差。迫切需要提出一种可控性较高、可以大面积制备晶体薄膜的技术。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种晶体材料及其制备方法,以及一种压电器件,旨在解决现有技术制备过程的可控性较差的问题。

2、为实现上述申请目的,本申请采用的技术方案如下:

3、第一方面,本申请提供一种晶体材料的制备方法,包括:提供前驱体材料;将前驱体材料进行制备晶体材料的过程中,利用电场诱导晶体生长,实现晶体的原位极化和原位成型,得到晶体材料。

4、本申请利用电场辅助作用,便于实现晶体的生长和晶体材料成型同步进行,方便控制材料的成型,制备成各种所需形状和大小的晶体材料;通过电场促进晶体的加速结晶生长;通过电场的诱导作用,增加晶体极化效果,提升晶体材料的压电性能。

5、第二方面,本申请提供一种晶体材料,采用如本申请上文制备方法制备获得。>

6、本申请提供的晶体材料均一性好、结晶度较高,且增加了极化性能。

7、本申请可以提供大面积、均匀、致密性较高的晶体薄膜;基于电场辅助结晶原理,可以诱晶体快速原位成型并增加极化,有效提高了晶体薄膜的压电输出性能。

8、第三方面,本申请提供一种压电器件,包括晶体材料;晶体材料为本申请上文制备方法制得的晶体材料,或者为本申请上文的晶体材料。

9、本申请提供的压电器件具有良好的压电性能。

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【技术保护点】

1.一种晶体材料的制备方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的晶体材料的制备方法,其特征在于,

3.如权利要求2所述的晶体材料的制备方法,其特征在于,

4.如权利要求3所述的晶体材料的制备方法,其特征在于,所述前驱体溶液的特征包括如下(1)~(3)中至少一项:

5.如权利要求3所述的晶体材料的制备方法,其特征在于,所述采用电流体动力学喷墨打印技术将所述前驱体溶液进行制备晶体材料的过程中,利用电场诱导晶体生长,控制参数如下(1)~(4)中至少一项:

6.如权利要求1-5任一项所述的晶体材料的制备方法,其特征在于,所述晶体材料的晶体种类包括有机晶体、无机晶体和有机-无机杂化晶体中至少一种。

7.如权利要求1-5任一项所述的晶体材料的制备方法,其特征在于,所述晶体材料包括有机铁电晶体、无机铁电晶体和有机-无机杂化铁电晶体。

8.如权利要求7所述的晶体材料的制备方法,其特征在于,所述有机-无机杂化铁电晶体的结构通式为:

9.一种晶体材料,其特征在于,采用如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备获得。

10.一种压电器件,其特征在于,包括晶体材料;所述晶体材料为权利要求1-8任一项所述制备方法制得的晶体材料,或者为权利要求9所述的晶体材料。

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【技术特征摘要】

1.一种晶体材料的制备方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的晶体材料的制备方法,其特征在于,

3.如权利要求2所述的晶体材料的制备方法,其特征在于,

4.如权利要求3所述的晶体材料的制备方法,其特征在于,所述前驱体溶液的特征包括如下(1)~(3)中至少一项:

5.如权利要求3所述的晶体材料的制备方法,其特征在于,所述采用电流体动力学喷墨打印技术将所述前驱体溶液进行制备晶体材料的过程中,利用电场诱导晶体生长,控制参数如下(1)~(4)中至少一项:

6.如权利要求1-5任一项所述的晶体材料的制备方法,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏军罗晶晶于素竹
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学深圳哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院
类型:发明
国别省市:

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