【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工，尤其涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
1、晶圆片是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆片。在生产过程中，晶圆需要在晶圆清洗装置中进行湿法清洗。
2、如图1所示，现有技术中的晶圆清洗装置通常包括清洗腔100、承载台200、清洗液喷洒机构300、水喷洒机构和清洗液收容槽400，承载台200用于承载待清洗晶圆，承载台200可升降且可转动地设置于清洗腔100中；清洗液喷洒机构300设置于清洗腔100中，清洗液喷洒机构300上设置有多个酸液喷头301，每个酸液喷头301均能喷洒一种酸液清洗液，且多个酸液喷头301均朝向承载台200，用于向晶圆表面喷洒清洗液；水喷洒机构设置于清洗腔100中，用于向晶圆表面喷洒清水，以对晶圆表面残留的酸液进行清洗；清洗液收容槽400环绕承载台200设置，且清洗液收容槽400的数量为多个，多个清洗液收容槽400沿竖直方向间隔排布，多个清洗液收容槽400能接收从晶圆表面甩出的不同类型的清洗液或者水。可选地，清洗液喷洒机构300上设置的酸液喷头301的数量为三个，分别为盐酸喷头、硫酸喷头和氢氟酸喷头，相应地，清洗液收容槽400的数量为四个，由下至上分别用于接收盐酸清洗液、硫酸清洗液、氢氟酸清洗液和水。
3、以晶圆的清洗工艺为硫酸-氢氟酸为例对该晶圆清洗装置的操作步骤进行介绍：1)将待清洗晶圆置于承载台200上，承载台200首先带动其上的晶圆沿竖直方向移动至由下往上数第二个清洗液收容槽400处；2)硫酸喷头向晶圆表面喷洒硫酸清洗液，第一预设时间
4、但是，采用上述方式对晶圆进行清洗通常存在以下问题：1)酸洗、水洗以及干燥均在同一清洗腔100中完成，晶圆的水洗及干燥均原位进行，在晶圆进行水洗和干燥工序时，清洗液喷洒机构300只能待机，严重影响产线效率；2)水的清洗液收容槽400通常位于清洗腔100的最上层，而酸液清洗液通常具有挥发性，当晶圆进行水洗时，很容易受到下层酸液的影响，导致晶圆表面发生缺陷，影响晶圆的外观质量；3)当晶圆酸洗后，如果设备发生异常无法继续对晶圆进行水洗，附着在晶圆表面的酸液会导致晶圆的过度刻蚀，且酸液若自行晾干更会导致晶圆报废，增加生产成本。
5、因此，亟需提出一种晶圆清洗装置，以解决上述问题。
技术实现思路
1、基于以上问题，本技术的目的在于提供一种晶圆清洗装置，可以避免晶圆水洗时被酸液影响，保证晶圆质量，且能提高产线效率。
2、为实现上述目的，提供以下技术方案：
3、一种晶圆清洗装置，包括：
4、酸洗腔室和水洗腔室，间隔设置；
5、酸洗机构，设置于所述酸洗腔室中，所述酸洗机构包括第一承载组件和酸液喷洒组件，所述第一承载组件用于承载待清洗晶圆，所述酸液喷洒组件被配置为向所述第一承载组件上承载的待清洗晶圆的表面喷洒清洗液；
6、水洗机构，设置于所述水洗腔室中，所述水洗机构包括第二承载组件和水喷洒组件，所述第二承载组件用于承载待清洗晶圆，所述水喷洒组件被配置为向所述第二承载组件上承载的待清洗晶圆的表面喷水；
7、转移机构，被配置为在所述酸洗腔室和所述水洗腔室中转移待清洗晶圆。
8、作为本技术提供的晶圆清洗装置的一种优选方案，所述酸洗腔室和所述水洗腔室之间设置有转移通道，所述转移机构设置于所述转移通道中，所述转移机构包括转移驱动源和设置于所述转移驱动源的输出端的取料部，所述取料部能获取所述第一承载组件或者所述第二承载组件上的待清洗晶圆，并在所述转移驱动源的驱动作用下转移待清洗晶圆。
9、作为本技术提供的晶圆清洗装置的一种优选方案，所述第一承载组件包括酸洗承载台和第一顶升结构，所述酸洗承载台用于承载待清洗晶圆，所述酸洗承载台上设置有第一避让孔，所述第一顶升结构包括设置于所述酸洗承载台底部的第一顶升驱动源和和连接于所述第一顶升驱动源的输出端的第一顶升杆，所述第一顶升杆穿设于所述第一避让孔中，所述第一顶升驱动源能驱动所述第一顶升杆升降，以将所述酸洗承载台上的待清洗晶圆顶起；
10、所述第二承载组件包括水洗承载台和第二顶升结构，所述水洗承载台用于承载待清洗晶圆，所述水洗承载台上设置有第二避让孔，所述第二顶升结构包括设置于所述水洗承载台底部的第二顶升驱动源和和连接于所述第二顶升驱动源的输出端的第二顶升杆，所述第二顶升杆穿设于所述第二避让孔中，所述第二顶升驱动源能驱动所述第二顶升杆升降，以将所述水洗承载台上的待清洗晶圆顶起。
11、作为本技术提供的晶圆清洗装置的一种优选方案，所述转移通道内设置有遮挡帘。
12、作为本技术提供的晶圆清洗装置的一种优选方案，所述第二承载组件包括可转动设置的水洗承载台，所述水洗承载台能带动其上承载的待清洗晶圆转动，以甩脱所述待清洗晶圆的表面的水，所述水洗腔室中设置有水收容槽，所述水收容槽被配置为接收从所述待清洗晶圆的表面甩脱的水。
13、作为本技术提供的晶圆清洗装置的一种优选方案，所述水喷洒组件包括水喷洒驱动源、水喷洒承载部和水喷头，所述水喷头设置于所述水喷洒承载部的端部，且所述水喷头的出口朝向所述第二承载组件；所述水喷洒驱动源的输出端与所述水喷洒承载部相连接，以驱动所述水喷洒承载部沿所述水洗承载台的径向往复运动。
14、作为本技术提供的晶圆清洗装置的一种优选方案，所述第一承载组件包括可转动设置的酸洗承载台，所述酸洗承载台能带动其上承载的待清洗晶圆转动，以甩脱所述待清洗晶圆的表面的清洗液，所述酸洗腔室中设置有酸液收容槽，所述酸液收容槽被配置为接收从所述待清洗晶圆的表面甩脱的清洗液。
15、作为本技术提供的晶圆清洗装置的一种优选方案，所述酸液收容槽的数量为多个，多个所述酸液收容槽沿竖直方向间隔设置，所述第一承载组件还包括酸洗升降驱动源，所述酸洗升降驱动源被配置为驱动所述酸洗承载台沿竖直方向移动，以选择性地与任意所述酸液收容槽正对。
16、作为本技术提供的晶圆清洗装置的一种优选方案，所述酸液喷洒组件包括酸液喷洒驱动源、酸液喷洒承载部和至少一个酸液喷头，所述酸液喷头设置于所述酸液喷洒承载部的端部，且所述酸液喷头的出口朝向所述第一承载组件；所述酸液喷洒驱动源的输出端与所述酸液喷洒承载部相连接，以驱动所述酸本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述酸洗腔室(1)和所述水洗腔室(2)之间设置有转移通道(20)，所述转移机构(5)设置于所述转移通道(20)中，所述转移机构(5)包括转移驱动源(51)和设置于所述转移驱动源(51)的输出端的取料部(52)，所述取料部(52)能获取所述第一承载组件(31)或者所述第二承载组件(41)上的待清洗晶圆，并在所述转移驱动源(51)的驱动作用下转移待清洗晶圆。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一承载组件(31)包括酸洗承载台(311)和第一顶升结构，所述酸洗承载台(311)用于承载待清洗晶圆，所述酸洗承载台(311)上设置有第一避让孔，所述第一顶升结构包括设置于所述酸洗承载台(311)底部的第一顶升驱动源和和连接于所述第一顶升驱动源的输出端的第一顶升杆，所述第一顶升杆穿设于所述第一避让孔中，所述第一顶升驱动源能驱动所述第一顶升杆升降，以将所述酸洗承载台(311)上的待清洗晶圆顶起；
4.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第二承载组件(41)包括可转动设置的水洗承载台(411)，所述水洗承载台(411)能带动其上承载的待清洗晶圆转动，以甩脱所述待清洗晶圆的表面的水，所述水洗腔室(2)中设置有水收容槽(21)，所述水收容槽(21)被配置为接收从所述待清洗晶圆的表面甩脱的水。
6.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述水喷洒组件(42)包括水喷洒驱动源、水喷洒承载部(421)和水喷头(422)，所述水喷头(422)设置于所述水喷洒承载部(421)的端部，且所述水喷头(422)的出口朝向所述第二承载组件(41)；所述水喷洒驱动源的输出端与所述水喷洒承载部(421)相连接，以驱动所述水喷洒承载部(421)沿所述水洗承载台(411)的径向往复运动。
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一承载组件(31)包括可转动设置的酸洗承载台(311)，所述酸洗承载台(311)能带动其上承载的待清洗晶圆转动，以甩脱所述待清洗晶圆的表面的清洗液，所述酸洗腔室(1)中设置有酸液收容槽(11)，所述酸液收容槽(11)被配置为接收从所述待清洗晶圆的表面甩脱的清洗液。
8.根据权利要求7所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述酸液收容槽(11)的数量为多个，多个所述酸液收容槽(11)沿竖直方向间隔设置，所述第一承载组件(31)还包括酸洗升降驱动源，所述酸洗升降驱动源被配置为驱动所述酸洗承载台(311)沿竖直方向移动，以选择性地与任意所述酸液收容槽(11)正对。
9.根据权利要求7所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述酸液喷洒组件(32)包括酸液喷洒驱动源、酸液喷洒承载部(321)和至少一个酸液喷头(322)，所述酸液喷头(322)设置于所述酸液喷洒承载部(321)的端部，且所述酸液喷头(322)的出口朝向所述第一承载组件(31)；所述酸液喷洒驱动源的输出端与所述酸液喷洒承载部(321)相连接，以驱动所述酸液喷洒承载部(321)沿所述酸洗承载台(311)的径向往复运动。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述水洗腔室(2)的数量至少为两个，至少两个所述水洗腔室(2)间隔设置于所述酸洗腔室(1)的周围，每个所述水洗腔室(2)均对应一个所述水洗机构(4)。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述酸洗腔室(1)和所述水洗腔室(2)之间设置有转移通道(20)，所述转移机构(5)设置于所述转移通道(20)中，所述转移机构(5)包括转移驱动源(51)和设置于所述转移驱动源(51)的输出端的取料部(52)，所述取料部(52)能获取所述第一承载组件(31)或者所述第二承载组件(41)上的待清洗晶圆，并在所述转移驱动源(51)的驱动作用下转移待清洗晶圆。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一承载组件(31)包括酸洗承载台(311)和第一顶升结构，所述酸洗承载台(311)用于承载待清洗晶圆，所述酸洗承载台(311)上设置有第一避让孔，所述第一顶升结构包括设置于所述酸洗承载台(311)底部的第一顶升驱动源和和连接于所述第一顶升驱动源的输出端的第一顶升杆，所述第一顶升杆穿设于所述第一避让孔中，所述第一顶升驱动源能驱动所述第一顶升杆升降，以将所述酸洗承载台(311)上的待清洗晶圆顶起；
4.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述转移通道(20)内设置有遮挡帘。
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第二承载组件(41)包括可转动设置的水洗承载台(411)，所述水洗承载台(411)能带动其上承载的待清洗晶圆转动，以甩脱所述待清洗晶圆的表面的水，所述水洗腔室(2)中设置有水收容槽(21)，所述水收容槽(21)被配置为接收从所述待清洗晶圆的表面甩脱的水。
6.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述水喷洒组件(42)包括水喷洒驱动源、水喷洒承载部(421)和水喷头(422)，所述水喷头(422)设置于...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵岩，樊开明，张礼杰，周建军，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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