【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的例示的实施方式涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。
技术介绍
1、等离子体处理装置用于对基片进行等离子体处理。等离子体处理装置包括腔室和基片保持电极。基片保持电极设置在腔室内。基片保持电极保持载置在其主面上的基片。这样的等离子体处理装置的一种记载于下述的专利文献1。
2、专利文献1所记载的等离子体处理装置还包括高频产生装置和dc负脉冲产生装置。高频产生装置对基片保持电极施加高频电压。在专利文献1所记载的等离子体处理装置中，交替地切换高频电压的开通(on)和关闭(off)。另外，在专利文献1所记载的等离子体处理装置中，根据高频电压的开通和关闭的时机(timing)，从dc负脉冲产生装置向基片保持电极施加dc负脉冲电压。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2009-187975号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供在等离子体处理装置中变更基片的电位的技术。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、在一个例示的实施方式中，提供一种等离子体处理方法。等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的步骤(a)。等离子体处理装置具有设置于腔室内的基片支承部，基片支承部支承载置在其上的基片。等离子体处理方法还包括从偏置电源对基片支承部的偏置电极施加电压脉冲，以将离子从等离子体引入基片的步骤(b)。等离子体处理方法还包括反复进行步骤(b)
5、专利技术效果
6、根据一个例示的实施方式，提供在等离子体处理装置中变更基片的电位的技术。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：
3.如权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
4.如权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：
6.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：
7.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：
8.如权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于：
9.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：
10.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：
11.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：
3.如权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
4.如权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：
6.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：舆水地盐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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