【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构及半导体结构的制造方法，特别是涉及一种内埋式芯片半导体结构及内埋式芯片半导体结构的制造方法。
技术介绍
1、近年来，电子产品被广泛应用在日常工作和生活中，轻、薄、小的电子产品越来越受到欢迎。电路结构作为电子产品的主要部件，其占据了电子产品的较大空间，因此电路结构的体积在很大程度上影响了电子产品的体积，大体积的电路结构势必难以符合电子产品轻、薄、短、小的趋势。
2、现有的天线封装技术，诸如天线整合芯片(antenna on a chip，aoc)和封装天线(antenna-in-package，aip)，将不同频段的天线模块与多种射频芯片/主动元件集成在封装结构中，但如何避免射频(integrated circuit，ic)/主动元件间的电磁干扰，成为亟待解决的重要课题。另外，射频集成电路ic/主动元件等高功率元器件内埋于电路板内部，在元件运作时产生的大量的热量需要及时散发出去，以避免元件损坏，因此提高电路板的散热效果也是需要解决的重要问题。
技术实现思路
1、本专利技术一方面提供一种半导体结构，其包括基板、芯片、第一重分布互连结构、第二重分布互连结构以及至少一导电散热结构。基板具有相对的第一表面及第二表面。基板具有通孔和导电柱分别从第一表面延伸至第二表面。芯片设置于通孔内。第一重分布互连结构设置于第一表面和芯片上并电连接芯片。第二重分布互连结构设置于第二表面上并具有相对于第二表面的第三表面。所述导电散热结构从第三表面延伸至第二表面，且所述导电
2、根据本专利技术的一或多个实施例，所述至少一导电散热结构为多个导电散热结构，且各导电散热结构间隔地排列于芯片的涵盖范围内。
3、根据本专利技术的一或多个实施例，所述多个导电散热结构呈阵列式分布。
4、根据本专利技术的一或多个实施例，第一重分布互连结构包括介电层，且介电层的一部分位于通孔内。
5、根据本专利技术的一或多个实施例，所述至少一导电散热结构直接接触芯片。
6、根据本专利技术的一或多个实施例，芯片的第三表面上具有导电垫，且第一重分布互连结构直接接触导电垫。
7、根据本专利技术的一或多个实施例，半导体结构还包括第一保护层和第二保护层分别设置于第一重分布互连结构和第二重分布互连结构上。
8、根据本专利技术的一或多个实施例，导电散热结构电连接第二重分布互连结构。
9、本专利技术的另一方面提供一种半导体结构的制造方法，其包括以下操作。形成通孔贯穿基板。形成背胶于基板的第一表面上，且背胶的一部分从通孔暴露出来。将芯片容置于通孔内并粘附于背胶的所述部分上。形成介电层于基板的第二表面并覆盖芯片，其中第二表面相对于第一表面。移除背胶。形成第一重分布互连结构于介电层上，且第一重分布互连结构电连接芯片。形成第二重分布互连结构于第一表面上。形成导电散热结构贯穿第二重分布互连结构，且导电散热结构与芯片对应设置，其中导电散热结构包括金属部分。
10、根据本专利技术的一或多个实施例，形成导电散热结构包括：形成开口贯穿第二重分布互连结构；形成金属部分共形地覆盖开口的侧壁和底部；以及形成导热胶部分填满开口的剩余部分。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一导电散热结构为多个，各该导电散热结构间隔地排列于该芯片的涵盖范围内。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该些导电散热结构呈阵列式分布。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一重分布互连结构包括介电层，且该介电层的一部分位于该通孔内。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一导电散热结构直接接触该芯片。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该芯片还包括导电垫，且该第一重分布互连结构直接接触该导电垫。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一导电散热结构还包括导热胶部分，该金属部分环绕该导热胶部分。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电散热结构电连接该第二重分布互连结构。
9.一种半导体结构的制造方法，包括：
10.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其中形成该导电散热结构包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一导电散热结构为多个，各该导电散热结构间隔地排列于该芯片的涵盖范围内。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该些导电散热结构呈阵列式分布。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一重分布互连结构包括介电层，且该介电层的一部分位于该通孔内。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一导电散热结构直接接触该芯片。
【专利技术属性】
技术研发人员：陈富扬，孙硕阳，谢昊伦，章钧，李啸沄，张于浩，詹之筑，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。