【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种ＭＥＭＳ圆片级真空封装横向互连结构，在硅基板表面具有ＳｉＯ↓［２］绝缘层，ＳｉＯ↓［２］绝缘层上具有多个电极，其特征在于：所述电极由连为一体的引线和焊盘组成，各电极在硅基板表面的ＳｉＯ↓［２］绝缘层上周向分散排列，各电极的引线方向朝向硅基板中心；各电极引线上自下而上依次具有闭合曲线形状的绝缘介质层和键合环，键合环内部的封闭空间为真空腔，用于放置ＭＥＭＳ器件；硅盖板与键合环完成硅－玻璃阳极键合或金属焊料键合；所述电极为金属电极；所述绝缘介质层为化学气相淀积的ＳｉＯ↓［２］层或Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］层中的一种或两种；所述化学气相淀积为等离子体化学增强气相淀积、常压化学气相淀积或低压化学气相淀积中的一种。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪学方，刘川，张卓，罗小兵，甘志银，张鸿海，刘胜，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]
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