【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件。
技术介绍
1、随着技术进步，半导体器件的功能越来越系统化，电路设计也随之越来越复杂、密集。当前很多产品设计都需要通过沟槽隔离结构(sti)的互连层实现晶体管之间的连接，例如dram，sram等等。
2、虽然sti具有隔离特性，然而在半导体器件中sti的制造工艺中可能会引入蚀刻缺陷，这会造成半导体器件的漏电流产生。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体器件，以解决相关技术中半导体器件中沟槽隔离结构可能会产生漏电流的问题。
2、根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；沟槽隔离结构，设置在衬底中，与至少一个有源区相邻设置；栅极堆叠结构，设置于衬底上并与沟槽隔离结构接触，栅极堆叠结构中的第一部分位于沟槽隔离结构上，栅极堆叠结构中的第二部分位于有源区上；第一栅极侧墙，设置在沟槽隔离结构上，且与栅极堆叠结构直接接触；其中，第一栅极侧墙的最低点高于第一部分的最低点。
3、可选地，沟槽隔离结构包括依次堆叠的第一绝缘层和第二绝缘层，第二绝缘层具有凹陷部，部分栅极堆叠结构填充于凹陷部中。
4、可选地，凹陷部低于有源区的顶表面。
5、可选地，栅极堆叠结构包括层叠的栅介质层和栅极层，栅介质层位于有源区和栅极层之间，部分栅极层填充于凹陷部中。
6、可选地，沟槽隔离结构还包括：第三绝缘层，位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，且第三绝缘层的最高点高于有源区的表面。
<...【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离结构包括依次堆叠的第一绝缘层和第二绝缘层，所述第二绝缘层具有凹陷部，部分所述栅极堆叠结构填充于所述凹陷部中。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述凹陷部低于所述有源区的顶表面。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极堆叠结构包括层叠的栅介质层和栅极层，所述栅介质层位于所述有源区和所述栅极层之间，部分所述栅极层填充于所述凹陷部中。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离结构还包括：
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离结构还包括：
7.权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离结构还包括：
8.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离结构还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，位于所述第二绝缘层上的第一部分的最低点低于位于所述第一绝缘层上的第一部分的最低点；位于所述第
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体器件，其特征在于，还包括第二栅极侧墙，所述第二栅极侧墙设置在所述有源区上，且直接接触所述栅极堆叠结构；
11.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体器件，其特征在于，还包括第四绝缘层，部分所述第四绝缘层夹设在所述第一栅极侧墙与所述沟槽隔离结构之间，且分别与第一栅极侧墙和所述沟槽隔离结构直接接触。
12.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体器件，其特征在于，还包括字线和导电插塞，所述导电插塞位于所述沟槽隔离结构上，并直接与所述字线接触。
13.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
15.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述字线上的覆盖层，所述位线的一侧具有贯穿至所述覆盖层的开口，所述开口内依序填充有间隙壁和导电材料，所述间隙壁位于所述开口的侧壁上，并覆盖所述位线；所述导电材料底部与所述覆盖层接触。
16.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离结构包括依次堆叠的第一绝缘层和第二绝缘层，所述第二绝缘层具有凹陷部，部分所述栅极堆叠结构填充于所述凹陷部中。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述凹陷部低于所述有源区的顶表面。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极堆叠结构包括层叠的栅介质层和栅极层，所述栅介质层位于所述有源区和所述栅极层之间，部分所述栅极层填充于所述凹陷部中。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离结构还包括：
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离结构还包括：
7.权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离结构还包括：
8.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离结构还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，位于所述第二绝缘层上的第一部分的最低点低于位于所述第一绝缘层上的第一部分的最低点；位于所述第三绝缘层上的第一部分的最低点高于位于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯立伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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