【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波组件制造的，具体涉及一种微波组件中水汽的去除方法。
技术介绍
1、随着高密度集成技术的发展，微波组件集成度越来越高，各类镀层、基板、裸芯片、金/铝丝等被大量应用，而封装后的内部水汽含量是影响微波组件性能指标和长期可靠性的一个重要因素。密封后的组件内部水汽含量较高时，水汽会引起包括芯片腐蚀、离子粘污、电迁移、金属迁移、金/铝丝损伤、介质分层等失效，进而导致整个组件的性能失效。
2、造成微波组件内部水汽含量偏高的原因是气密封盖前水汽去除的不够充分，封盖后组件内部的镀层、基板等表面吸附的水汽后期释放出来。目前常规的方法是在气密封盖前对微波组件整体进行长时间烘烤，常用的烘烤方式为：105℃烘烤72h、150℃烘烤48h等，烘烤后的水汽含量可降至标准要求的5000ppm以内。但是，微波组件进行长期高温烘烤，一方面影响效率和增加能耗，如48h、72h以上烘烤，会大大增加生产周期，耗电量也极大。另一方面，已有的资料证明在长期高温下，组件镀层表面的成分和结构会发生变化，影响后续使用过程的可焊性。以镀金组件为例，随着烘烤温度的升高，镀金层表面焊料的流散性逐渐变差，芯片、基板钎焊后的孔隙率不断增大，严重的导致钎焊缝剪切力测试不合格。
3、可见，如何在降低微波组件中水汽的同时提高除水汽效率、降低能耗、消除次生风险已成为微波组件制造
亟需解决的问题。
技术实现思路
1、(一)解决的技术问题
2、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种微波组件中水
3、(二)技术方案
4、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：
5、微波组件中水汽的去除方法，具体包括以下步骤：
6、步骤1、检查微波组件表面状态，将微波组件表面清理干净；
7、步骤2、将微波组件转入密封环境内，密封环境为特定气氛环境；
8、步骤3、将微波组件置于特定气氛环境内的工作台上后，开始持续使用特定气氛处理微波组件，并对微波组件进行加热处理，加热至设定温度后进行保温处理；
9、步骤4、保温完成后，再使用激光对微波组件进行除水汽操作，激光通过直线往复扫描，进而叠加覆盖整个微波组件内部，除水汽过程中，持续使用特定气氛跟随处理微波组件内部；
10、步骤5、除水汽完成后，对微波组件进行保温处理后冷却，待完全冷却后进行气密封盖处理。
11、(三)有益效果
12、本专利技术提供了一种微波组件中水汽的去除方法。与现有技术相比，具备以下有益效果：
13、1、本专利技术利用激光直接作用于微波组件待除水汽部件的表面，无须对微波组件整体加热，除水汽效率显著提升，且能源消耗少，可有效控制水汽含量在1000ppm以内；
14、2、本专利技术采用激光对微波组件进行除水汽处理，作用方式直接灵活、参数可调窗口大；
15、3、本专利技术采用激光对微波组件进行除水汽处理，对镀层的作用时间短，避免了长期高温加热对镀层产生不利影响，不产生破坏镀层可焊性等的次生风险。
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1.一种微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述步骤1中微波组件表面清理方式为：使用3000#砂纸磨平并除去磨屑或使用丙酮/溴丙烷清洗或依次使用两种方法处理。
3.如权利要求1所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述步骤2中特定气氛环境为氩气环境、氮气环境或真空环境。
4.如权利要求3所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述氩气环境参数为：氩气纯度≥99％，氧气含量≤50ppm；所述氮气环境参数为：氮气纯度≥99％，氧气含量≤50ppm；所述真空环境参数为：真空度≤100Pa。
5.如权利要求3所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述步骤4中，激光除微波组件水汽的具体操作为：激光通过直线往复扫描，进而叠加覆盖整个微波组件内部；
6.如权利要求1所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述步骤3中，加热温度为50-90℃，加热至设定温度后进行保温，保温时间为1-4min。
7.如权利要求6所述的微波组件
8.如权利要求6所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述保温时间根据组件尺寸进行选择：组件尺寸≤50×50×3mm3的，保温时间1-2min；50×50×3mm3<组件尺寸≤90×90×6mm3的，保温时间2-3min；90×90×6mm3<组件尺寸≤170×170×12mm3的，保温时间3-4min；组件尺寸>170×170×12mm3的，保温时间4-6min。
9.如权利要求1所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述步骤4中，根据镀层金属种类选用激光参数，具体为：
10.如权利要求1所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述步骤5中，完成激光除水汽后，微波组件在加热工作台上按步骤3中的保温温度继续保温1-4min，同时保持特定气氛处理，1-4min后再从工作台上取下，待完全冷却进行气密封盖处理。
...【技术特征摘要】
1.一种微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述步骤1中微波组件表面清理方式为：使用3000#砂纸磨平并除去磨屑或使用丙酮/溴丙烷清洗或依次使用两种方法处理。
3.如权利要求1所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述步骤2中特定气氛环境为氩气环境、氮气环境或真空环境。
4.如权利要求3所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述氩气环境参数为：氩气纯度≥99％，氧气含量≤50ppm；所述氮气环境参数为：氮气纯度≥99％，氧气含量≤50ppm；所述真空环境参数为：真空度≤100pa。
5.如权利要求3所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述步骤4中，激光除微波组件水汽的具体操作为：激光通过直线往复扫描，进而叠加覆盖整个微波组件内部；
6.如权利要求1所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述步骤3中，加热温度为50-90℃，加热至设定温度后进行保温，保温时间为1-4min。
7.如权利要求6所述的微波组件中水汽的去除方法，其特征在于，所述加热温度根据组件尺寸进行选择：组件尺...
【专利技术属性】
技术研发人员：王传伟，刘炳龙，王道畅，金家富，李强，贾雪强，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：发明
国别省市：
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