【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种晶棒上晶圆的位置确定、参数预测方法及介质。
技术介绍
1、在半导体晶圆制造领域，多晶硅经熔融、籽晶引晶、缩颈、放肩、等径，及收尾步骤慢提拉出单晶硅棒。晶棒经过切割和加工，最终形成晶圆。在传统的生产过程中，晶棒切割成晶圆后，每片晶圆没有唯一的标识，仅靠加工履历进行记录。当加工过程中晶圆的顺序被打乱时，就无法进行纠正，导致后续分析时无法追溯到晶圆实际对应的晶棒产出位置。这限制了生产过程中对晶圆质量的控制和不良品的精确定位。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例期望提供一种晶棒上晶圆的位置确定、参数预测方法及介质；能够解决现有技术中在晶圆顺序被打乱时无法进行纠正，导致后续分析时无法追溯到晶圆实际对应的晶棒产出位置的技术问题。
2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开实施例提供了一种晶棒上晶圆的位置确定方法，包括：
4、设置贯穿所述晶棒的凹槽，所述凹槽在所述晶棒的轴向方向上的深度和/或宽度不均匀；
5、确定所述晶圆的缺口的深度和/或宽度；
6、根据所述晶圆的缺口的深度和宽度确定所述晶圆在所述晶棒上的位置。
7、在一些示例中，所述根据所述晶圆的缺口的深度和宽度确定所述晶圆在所述晶棒上的位置，包括：
8、获取所述晶圆的深度和/或宽度与所述晶棒的位置映射关系；
9、基于所述位置映射关系和所述晶圆缺口的深度和/或宽度确定所述晶圆在所述晶棒上的
10、在一些示例中，所述凹槽的深度和/或宽度沿所述晶棒的轴向方向渐变。
11、在一些示例中，所述凹槽的深度和/或宽度沿所述晶棒的轴向方向线性变化。
12、在一些示例中，所述晶棒沿所述轴向方向包括多个区域；
13、在每个所述区域内的所述凹槽的深度和/或宽度不同。
14、第二方面，本公开实施例提供一种晶棒上晶圆的位置确定装置，所所述装置包括：
15、设置模块，被配置为设置贯穿所述晶棒的凹槽，所述凹槽在所述晶棒的轴向方向上的深度和/或宽度不均匀；
16、第一确定模块，被配置为确定所述晶圆的缺口的深度和/或宽度；
17、第二确定模块，被配置为根据所述晶圆的缺口的深度和宽度确定所述晶圆在所述晶棒上的位置。
18、第三方面，本公开实施例提供了一种晶棒上晶圆的参数预测方法，包括：
19、设置贯穿所述晶棒的凹槽，所述凹槽在所述晶棒的轴向方向上的深度和/或宽度不均匀；
20、对在所述晶棒中获取的至少一个晶圆进行参数检测得到所述晶圆的参数，其中，所述晶圆的参数包括缺陷分布、电阻、氧含量中的至少一个；
21、确定所述晶圆的缺口的深度和/或宽度；
22、根据所述晶圆的缺口的深度和宽度确定所述晶圆在所述晶棒上的位置；基于至少一个所述晶圆的晶圆的参数和所述晶圆在所述晶棒上的位置预设所述晶棒上其他晶圆的参数。
23、第四方面，本公开提供了一种计算设备，所述计算设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如第一方面或第三方面所述的方法。
24、第五方面，本公开实施例提供了一种计算机存储介质，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如第一方面或第三方面所述的方法。
25、本公开实施例提供了晶棒上晶圆的位置确定、参数预测方法及介质；通过在晶棒开凹槽加工时预设特征，即在晶棒的轴向方向上设置深度和/或宽度不均匀的凹槽，在晶棒经过切割和加工，最终形成晶圆之后，可以根据晶圆上缺口的深度和/或宽度追溯晶圆在晶棒上的原始位置，从而实现对不良品的精确定位。通过追溯晶圆位置，可以进一步分析拉晶过程中的问题，不断优化拉晶工艺。
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1.一种晶棒上晶圆的位置确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述晶圆的缺口的深度和宽度确定所述晶圆在所述晶棒上的位置，包括：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度和/或宽度沿所述晶棒的轴向方向渐变。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度和/或宽度沿所述晶棒的轴向方向线性变化。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述晶棒沿所述轴向方向包括多个区域；
6.一种晶棒上晶圆的位置确定装置，其特征在于，所述装置包括：
7.一种晶棒上晶圆的参数预测方法，其特征在于，包括：
8.一种计算设备，其特征在于，所述计算设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如权利要求1至7任一项所述的方法。
9.一种计算机存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如权利要求1至7任一项所述的方法。
【技术特征摘要】
1.一种晶棒上晶圆的位置确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述晶圆的缺口的深度和宽度确定所述晶圆在所述晶棒上的位置，包括：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度和/或宽度沿所述晶棒的轴向方向渐变。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度和/或宽度沿所述晶棒的轴向方向线性变化。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述晶棒沿所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵恒，范东方，张钊，陈凡，王雷，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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