【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子设备，更具体地，涉及一种mems结构和传感器。
技术介绍
1、现有技术中通常采用将两个振膜通过支撑柱的方式连接，以提高各振膜的振动一致性。但支撑柱的两端通常通过粘接的方式连接在振膜上，导致在振膜振动时，容易发生连接失效的情况，导致其声学性能降低，缩短了器件的使用寿命。
技术实现思路
1、本申请的一个目的是提供一种mems结构和传感器的新技术方案。
2、根据本申请的第一方面，提供了一种mems结构，包括：
3、依次间隔叠设的第一振膜、第二振膜和第三振膜，所述第一振膜与所述第三振膜之间形成有声学密封腔；
4、间隔叠设于所述第一振膜和第二振膜之间的第一背极板，以及间隔叠设于所述第二振膜和第三振膜之间的第二背极板；
5、其中，所述第一振膜、第二振膜和所述第三振膜中的至少两个振膜上分别设置有多个与所述声学密封腔连通的第一通孔，所述第一通孔用于允许气体通过，并能够阻挡固体和液体。
6、可选地，所述第一通孔的孔径为0.1um～0.5um。
7、可选地，相邻的两个所述第一通孔之间的距离为10um～50um。
8、可选地，所述至少两个振膜中包括所述第二振膜。
9、可选地，所述第二振膜上的所述第一通孔的开孔率大于所述第一振膜和/或所述第二振膜上的所述第一通孔的开孔率。
10、可选地，所述第一背极板和所述第二背极板上分别相对设置有多个第二通孔；
11、所述第二振膜上的第一
12、可选地，所述第一背极板和所述第二背极板上分别相对设置有多个第二通孔；
13、所述第二振膜上的第一通孔的位置与所述第二通孔的位置相对，且所述第一背极板和所述第二背极板均用于连接高阻抗电信号。
14、可选地，所述mems结构还包括第三通孔，所述第一振膜、第二振膜和所述第三振膜均为周边固支应力膜；
15、所述第三通孔依次穿过所述第一振膜、第一背极板、第二振膜、第二背极板和所述第三振膜的中心位置，且不与所述声学密封腔连通。
16、可选地，所述第三振膜的远离于所述第二振膜的一侧设置有衬底，且所述第三振膜上不设置所述第一通孔。
17、根据本申请的第二方面，提供一种传感器，包括：第一方面所述的mems结构。
18、根据本申请的一个实施例，本申请通过设置三个振膜，以及在振膜之间形成声学密封腔，使得mems结构的声学性能能够得到提升，而通过至少在两个振膜上设置多个第一通孔，实现了三个振膜的一致振动，在保证器件声学性能的同时，提高了器件的使用寿命。
19、通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。
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1.一种MEMS结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一通孔的孔径为0.1um～0.5um。
3.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，相邻的两个所述第一通孔之间的距离为10um～50um。
4.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述至少两个振膜中包括所述第二振膜。
5.根据权利要求4所述的MEMS结构，其特征在于，所述第二振膜上的所述第一通孔的开孔率大于所述第一振膜和/或所述第二振膜上的所述第一通孔的开孔率。
6.根据权利要求5所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一背极板和所述第二背极板上分别相对设置有多个第二通孔；
7.根据权利要求5所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一背极板和所述第二背极板上分别相对设置有多个第二通孔；
8.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，还包括第三通孔，所述第一振膜、第二振膜和所述第三振膜均为周边固支应力膜；
9.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述第三振膜的远离于
10.一种传感器，其特征在于，包括：权利要求1-9任意一项所述的MEMS结构。
...【技术特征摘要】
1.一种mems结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述第一通孔的孔径为0.1um～0.5um。
3.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，相邻的两个所述第一通孔之间的距离为10um～50um。
4.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述至少两个振膜中包括所述第二振膜。
5.根据权利要求4所述的mems结构，其特征在于，所述第二振膜上的所述第一通孔的开孔率大于所述第一振膜和/或所述第二振膜上的所述第一通孔的开孔率。
6.根据权利要求5所述的mems结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹泉波，邱冠勋，王喆，
申请(专利权)人：潍坊歌尔微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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