功率放大用半导体装置制造方法及图纸

技术编号：43138618 阅读：17 留言：0更新日期：2024-10-29 17:42

高频放大用半导体装置(100)具备衬底(101)，衬底(101)上的第1氮化物半导体层(103)、二维电子气层(105)及第2氮化物半导体层(104)、以及在第2氮化物半导体层(104)的上方相互隔开间隔设置的源极电极(301)、漏极电极(302)及栅极电极(401)，在平面观察中，在存在二维电子气层(105)的有源区域(701)中，具有电阻体(601)和设在第2氮化物半导体层(104)的上方的电阻体(601)，在平面观察中，在非有源区域(704)中，具有与漏极电极(302)或栅极电极(401)连接的漏极端子(803)及栅极端子(804)、以及电阻体(601)所连接的第1电阻端子(805)及第2电阻端子(806)。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及功率放大用半导体装置。

技术介绍

1、iii―v族类半导体特别是砷类的gaas或algaas、或者氮化物类的gan或algan能够容易地形成algaas/gaas、algan/gan等异质结构。在iii族氮化物半导体的情况下，除了带隙的差以外，离子半径的差异所导致的自发极化或者从algan与gan的晶格常数差产生的压电极化所引起的固定电荷，能够在algaas/gaas的gaas侧、algan/gan界面的gan层侧产生高迁移率且高浓度的电子的沟道(二维电子气：2deg(dimensional electron gas))。通过将该二维电子气作为沟道来控制，能够形成高电子迁移率晶体管(hemt：high electronmobility transistor)。利用由该高迁移率带来的高速动作，作为放大器、开关元件这样的高频用器件的应用变得广泛。

2、近年来，特别是面向移动电话用基站作为高频放大用放大器的实用化正在进展，随着移动电话的通信世代的进化，期待进一步的工作频率的上升及输出功率的提高。工作频率的上升或输出功率的提高带来从用作高频放大用放大器的器件(例如晶体管)自身产生的热量的增加。

3、在专利文献1中，公开了在晶体管的旁边安装有温度传感器的半导体装置。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开昭63－299264号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、此外，要求响应性良

3、因此，本公开提供能够响应性良好地检测晶体管的温度的功率放大用半导体装置(高频放大用半导体装置)。

4、用来解决课题的手段

5、本公开的一技术方案的功率放大用半导体装置，具备：衬底；第1氮化物半导体层，设在上述衬底上；第2氮化物半导体层，设在上述第1氮化物半导体层上，带隙比上述第1氮化物半导体层大；二维电子气层，设在上述第1氮化物半导体层与上述第2氮化物半导体层之间的界面的上述第1氮化物半导体层侧；源极电极及漏极电极，在上述第1氮化物半导体层的上方隔开间隔设置，分别与上述二维电子气层电连接；以及栅极电极，与上述源极电极及上述漏极电极隔开间隔设置，与上述第2氮化物半导体层接触；在上述衬底的平面观察中，上述衬底被划分为存在上述二维电子气层的有源区域和不存在上述二维电子气层的非有源区域；在上述有源区域中，具有：高电子迁移率晶体管，包含上述源极电极、上述漏极电极及上述栅极电极；以及温度检测用的电阻体，设在上述第2氮化物半导体层的上方；在上述非有源区域中，具有：第1端子焊盘，与上述漏极电极或上述栅极电极连接；以及第2端子焊盘，与上述电阻体连接。

6、专利技术效果

7、根据本公开的一技术方案的功率放大用半导体装置，能够响应性良好地检测晶体管的温度。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率放大用半导体装置，其特征在于，

2.如权利要求1所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求3所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

5.如权利要求3或4所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

6.如权利要求2～5中任一项所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

7.如权利要求6所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

8.如权利要求2～7中任一项所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

9.如权利要求8所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

10.如权利要求9所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

11.如权利要求2～7中任一项所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

12.如权利要求11所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

13.如权利要求1所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

14.如权利要求13所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

15.如权利要求14所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

16.如权利要求1～15中任一项所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

17.如权利要求1～16中任一项所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

18.如权利要求1～17中任一项所述的功率放大用半导体装置，其特征在于，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】