【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在将半导体晶片等被粘物临时固定的用途中所用的临时粘接剂及使用前述临时粘接剂的半导体晶片层叠体的制造方法。本专利技术主张于2022年3月24日在日本提出申请的日本特愿2022-049032号的优先权，将其内容并入本文中。
技术介绍
1、为了实现电子器件的小型化、高功能化及电耗的效率化等，正在进行半导体芯片的小型化、薄化及三维集成化。这样的半导体芯片可通过在晶片上形成电路图案后进行研削使其薄化并进一步切割而制造。但是，薄化后的晶片非常脆弱，因此，在实施研削、切割等加工时、进行输送时等容易破损。因此，在通过将晶片临时固定于支承体而进行了保护的状态下实施加工、搬运。
2、而且，若加工、搬运等结束，则将晶片从支承体剥离。作为晶片的剥离方法，已知有下述方法：滑动剥离法，进行加热而使临时粘接剂的粘度降低后，使晶片滑动从而将其剥离；刀片剥离法，在晶片与临时粘接剂的界面中插入刀，机械性地使其剥离；等等。而且，实施了选择并使用与剥离方法相应的临时粘接剂的操作。
3、例如，在滑动剥离法中，使用了蜡型的临时粘接剂(例如，专利文献1)。
4、蜡型的临时粘接剂具有强粘性，因此，若用于刀片剥离法，则粘接成分容易附着于刀片，将所附着的粘接成分除去是非常困难的。另外，蜡型的临时粘接剂的软化点低，因此存在下述问题：在高温环境下，临时粘接剂的粘度降低，变得难以将晶片固定于支承体。
5、另一方面，在刀片剥离法中，使用了固化型的临时粘接剂(例如，专利文献2)。固化型的临时粘接剂一旦固化，则其后即使加热也无法降
6、即，能够用于滑动剥离法和刀片剥离法这两者的临时粘接剂尚未可知。
7、现有技术文献
8、专利文献
9、专利文献1：日本特开2008-49443号公报
10、专利文献2：国际公开第2021/112070号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、因此，本专利技术的目的在于提供一种临时粘接剂，其具备良好的涂布性和粘接性，不仅于室温、而且在高温环境下也能够将被粘物良好地粘接于支承体等，在将被粘物剥离时，能够通过滑动剥离法或刀片剥离法而将被粘物无破损地从支承体等剥离。
3、本专利技术的其他目的在于提供一种临时粘接剂，其具备良好的涂布性和粘接性，不仅于室温、而且在高温环境下也能够将被粘物良好地粘接于支承体等，在将被粘物剥离时，能够通过滑动剥离法或刀片剥离法而将被粘物无破损且无残胶地从支承体等剥离。
4、本专利技术的其他目的在于提供使用前述临时粘接剂的半导体晶片层叠体的制造方法。
5、用于解决课题的手段
6、本申请的专利技术人为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现，对于具有下述构成的临时粘接剂而言：由于树脂成分的重均分子量为10万以下，因此为低粘度并且涂布性优异；若对下述临时粘接剂实施加热处理，则与加热处理前相比树脂成分以1.2倍以上进行高分子量化，因此，即使在高温环境下也显示出良好的粘接性；由于前述加热处理后的临时粘接剂(将其称为“热处理物”)在100°c以上且低于200℃的温度区域具有tg，因此，能够于30℃以下的温度容易地进行刀片剥离；若于200℃以上的温度对前述热处理物进行加热，则粘度变为100cp以下，因此变得能够容易地进行滑动剥离，滑动剥离后的残胶能够通过洗涤等而容易地除去。
7、本专利技术是基于这些见解而完成的。
8、即，本专利技术提供临时粘接剂，其含有多元乙烯基醚化合物(a)、具有多个羟基及/或羧基作为侧基的聚合物(b)、热塑性树脂(c)作为树脂成分，
9、前述(b)的重均分子量(基于gpc法的聚苯乙烯换算)为1500～7000，
10、前述(c)的重均分子量(基于gpc法的聚苯乙烯换算)大于7000，
11、前述临时粘接剂中包含的树脂成分的重均分子量为10万以下，
12、于230℃对前述临时粘接剂进行5分钟加热而得到的热处理物中包含的树脂成分的重均分子量为前述临时粘接剂中包含的树脂成分的重均分子量的1.2倍以上，
13、前述热处理物的tg为100℃以上且低于200℃，
14、前述热处理物在200℃、频率10hz时的粘度为100cp以下。
15、另外，本专利技术提供前述临时粘接剂，其以前述(a)中包含的乙烯基醚基与前述(b)中包含的羟基及羧基的合计的摩尔比(前者/后者)为0.1～10的范围含有前述(a)和前述(b)。
16、另外，本专利技术提供半导体晶片层叠体的制造方法，其经由下述工序[1]～[5]或下述工序[1]～[4][6]而得到半导体晶片层叠体。
17、[1]向第1半导体晶片与支承体中的至少一者涂布前述临时粘接剂，将第1半导体晶片与支承体贴合，得到具有[第1半导体晶片/临时粘接剂/支承体]的构成的层叠体1
18、[2]对层叠体1进行加热，使树脂成分的交联反应进行直至临时粘接剂中的树脂成分的重均分子量成为1.2倍以上，得到具有[第1半导体晶片/临时粘接层/支承体]的构成的层叠体2
19、[3]对层叠体2的第1半导体晶片实施加工，得到具有[经加工的第1半导体晶片/临时粘接层/支承体]的构成的层叠体3
20、[4]向层叠体3介由永久粘接剂而贴合第2半导体晶片，使前述永久粘接剂固化，得到具有[第2半导体晶片/永久粘接层/经加工的第1半导体晶片/临时粘接层/支承体]的构成的层叠体4
21、[5]对层叠体4进行加热直至临时粘接层在频率10hz时的粘度成为100cp以下，将支承体滑动剥离，得到具有[第2半导体晶片/永久粘接层/经加工的第1半导体晶片]的构成的半导体晶片层叠体
22、[6]在30℃以下的气氛下，向层叠体4的经加工的第1半导体晶片与支承体的间隙插入刀而将支承体剥离，得到具有[第2半导体晶片/永久粘接层/经加工的第1半导体晶片]的构成的半导体晶片层叠体
23、专利技术效果
24、本专利技术的临时粘接剂具有上述构成，因此于室温具有良好的涂布性，能够成品率良好地形成均匀厚度的涂膜。而且，若对前述临时粘接剂实施加热处理，则前述临时粘接剂中的树脂成分进行高分子量化，从而即使在高温环境下也发挥出优异的粘接性。
25、另外，对前述临时粘接剂实施加热处理而得到的热处理物的tg为100℃以上且低于200℃。因此，在30℃以下的温度环境下，呈玻璃状的固体而不具有粘性。因此，用前述临时粘接剂粘接至支承体的半导体晶片能够在30℃以下的温度环境下通过刀片剥离法而容易地从支承体剥离。
26、此外，前述热处理物具有热塑性，且能够通过于200℃以上的温度进行加热而使粘度降低至100cp以下。因此，对于用前述临时粘接剂粘接至支承体的半导体晶片而言，若于200℃以上的温度进行加热，则能够通过滑动剥离法而容易地从支承体剥离。
27、另外，在剥离后残存于半导本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.临时粘接剂，其含有多元乙烯基醚化合物(A)、具有多个羟基及/或羧基作为侧基的聚合物(B)、热塑性树脂(C)作为树脂成分，
2.如权利要求1所述的临时粘接剂，其以所述(A)中包含的乙烯基醚基与所述(B)中包含的羟基及羧基的合计的摩尔比(前者/后者)为0.1～10的范围含有所述(A)和所述(B)。
3.半导体晶片层叠体的制造方法，其经由下述工序[1]～[5]或下述工序[1]～[4][6]而得到半导体晶片层叠体，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.临时粘接剂，其含有多元乙烯基醚化合物(a)、具有多个羟基及/或羧基作为侧基的聚合物(b)、热塑性树脂(c)作为树脂成分，
2.如权利要求1所述的临时粘接剂，其以所述(a)中包含的乙烯基醚基与所述(b)中包...
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