【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，可大幅延长清洁及保养承载盘的周期，并有利于提高设备使用效率。
技术介绍
1、随着集成电路技术的不断进步，目前电子产品朝向轻薄短小、高性能、高可靠性与智能化的趋势发展。电子产品中晶体管的微缩技术至关重要，随着晶体管的尺寸缩小，可减少电流传输时间及降低耗能，以达到快速运算及节能的目的。在现今微小化的晶体管中，部分关键的薄膜几乎仅有几个原子的厚度，而原子层沉积制程则是发展这些微量结构的主要技术之一。
2、原子层沉积制程是一种将物质以单原子的形式一层一层地镀于晶圆表面的技术，原子层沉积的主要反应物有两种化学物质，通常被称作前驱物，并将两种前驱物依序传送至反应空间内。
3、在实际应用时，先将第一前驱物输送至反应空间内，使得第一前驱物被导引至晶圆表面。将惰性气体输送至反应空间内，并抽出反应空间内的气体，以去除反应空间内残余的第一前驱物。将第二前驱物注入反应空间，使得第二前驱物与晶圆表面的第一前驱物反应生成薄膜。之后将惰性气体注入反应空间，以去除反应空间内残余的第二前驱物。通过上述步骤的反复进行，以在晶圆上形成薄膜。
技术实现思路
1、本专利技术提出一种新颖的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，主要对一承载盘上的一基板进行一第一原子层沉积，以在基板上形成一薄膜，并判断沉积在承载盘的表面的一绝缘薄膜的厚度是否大于一预设值。
2、若沉积在承载盘表面的绝缘薄膜的厚度大于预设值，则将承载盘上的基板取出，并对未
3、为了达到上述的目的，本专利技术提出一种以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，包括：对一承载盘上的一基板进行一第一原子层沉积，以在该基板上形成一薄膜，其中进行该第一原子层沉积时，会在该承载盘上形成一绝缘薄膜；判断该承载盘的该绝缘薄膜的厚度大于一预设值；及对该承载盘进行一第二原子层沉积，并在该承载盘的该绝缘薄膜上形成一导电薄膜。
4、在本专利技术至少一实施例中，包括：判断进行该第二原子层沉积的次数大于一门坎值；及清洁该承载盘，以去除该承载盘上的该绝缘薄膜及该导电薄膜。
5、在本专利技术至少一实施例中，其中该承载盘位于一腔体的一容置空间内，包括：依序将一第一前驱物及一第二前驱物输送至该腔体的该容置空间，并对该承载盘上的该基板进行该第一原子层沉积。
6、在本专利技术至少一实施例中，包括：依序将一第三前驱物及该第二前驱物输送至该腔体的该容置空间，并对该容置空间内的该承载盘进行该第二原子层沉积。
7、在本专利技术至少一实施例中，其中该绝缘薄膜的厚度大于该导电薄膜。
8、在本专利技术至少一实施例中，包括：将完成该第一原子层沉积的该基板由该承载盘上取出，而后对该承载盘进行该第二原子层沉积。
9、在本专利技术至少一实施例中，包括：完成该第二原子层沉积后，将该基板放置在该承载盘上，并进行该第一原子层沉积。
10、在本专利技术至少一实施例中，其中该预设值为1000埃。
11、在本专利技术至少一实施例中，其中该导电薄膜的厚度大于300埃。
12、在本专利技术至少一实施例中，其中该第一原子层沉积使用的一前驱物与该第二原子层沉积的一前驱物不同。
13、本专利技术的有益效果是：提出一种新颖的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，可大幅延长清洁及保养承载盘的周期，并有利于提高设备使用效率。
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1.一种以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，包括：
3.根据权利要求1所述的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，其中该承载盘位于一腔体的一容置空间内，包括：依序将一第一前驱物及一第二前驱物输送至该腔体的该容置空间，并对该承载盘上的该基板进行该第一原子层沉积。
4.根据权利要求3所述的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，包括：依序将一第三前驱物及该第二前驱物输送至该腔体的该容置空间，并对该容置空间内的该承载盘进行该第二原子层沉积。
5.根据权利要求1所述的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，其中该绝缘薄膜的厚度大于该导电薄膜。
6.根据权利要求1所述的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，包括：将完成该第一原子层沉积的该基板由该承载盘上取出，而后对该承载盘进行该第二原子层沉积。
7.根据权利要求6所述的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，包括：完成该
8.根据权利要求1所述的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，其中该预设值为1000埃。
9.根据权利要求1所述的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，其中该导电薄膜的厚度大于300埃。
10.根据权利要求1所述的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，其中该第一原子层沉积使用的一前驱物与该第二原子层沉积的一前驱物不同。
...【技术特征摘要】
1.一种以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，包括：
3.根据权利要求1所述的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，其中该承载盘位于一腔体的一容置空间内，包括：依序将一第一前驱物及一第二前驱物输送至该腔体的该容置空间，并对该承载盘上的该基板进行该第一原子层沉积。
4.根据权利要求3所述的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，包括：依序将一第三前驱物及该第二前驱物输送至该腔体的该容置空间，并对该容置空间内的该承载盘进行该第二原子层沉积。
5.根据权利要求1所述的以电浆辅助的制程替代周期性保养的方法，其特征在于，其中该绝缘薄膜的厚度大于该导电薄膜。
【专利技术属性】
技术研发人员：张容华，易锦良，
申请(专利权)人：天虹科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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