【技术实现步骤摘要】
本申请属于太阳能电池制备领域，具体涉及石墨舟的饱和方法。
技术介绍
1、晶硅太阳能电池片生产中通常使用，管式等离子体化学气相沉积(pecvd)设备在硅片表面形成钝化膜，例如氧化铝和氮化硅的叠层钝化膜。在镀膜时，将硅片放入石墨舟，以石墨舟作为载体进入管式pecvd设备进行镀膜。
2、在实际生产中会出现以下问题：当对石墨舟进行清洗以及烘干处理之后，由于石墨舟的内部仍然会残留湿气和酸气以及石墨舟的表面会残留污染物，当石墨舟在承载硅片时，石墨舟中的这些残留物会污染硅片，导致首次进行镀膜制备得到的太阳能电池片在进行el(e l ectro l uminescence)测试会出现边缘发黑的问题，影响太阳能电池片的品质。
技术实现思路
1、本申请的一个专利技术目的在于，提出一种石墨舟的饱和方法，通过预先对石墨舟整体吹扫以及电离工艺处理，从而去除石墨舟内部的湿气和酸气以及石墨舟表面残留的污染物，以此避免石墨舟在承载硅片时，这些残留物污染硅片，较好地解决首次进行镀膜制备得到的太阳能电池片在进行el(e l ectro l uminescence)测试会出现边缘发黑的问题，以此提高太阳能电池片的品质。
2、根据本申请的实施例，第一方面提供了一种石墨舟的饱和方法，所述石墨舟应用于管式等离子体化学气相沉积设备，所述饱和方法包括：
3、对所述石墨舟预先进行酸洗以及烘干处理；
4、对酸洗以及烘干处理后的所述石墨舟整体采用惰性气体进行第一次吹扫处理，以溢出所述石墨
5、对第一次吹扫处理后的所述石墨舟整体采用所述惰性气体进行第二次吹扫处理，以再次溢出所述石墨舟内部的酸气和湿气；其中，所述第二次吹扫处理的气体流量大于所述第一次吹扫的气体流量，所述第二次吹扫处理的时间小于所述第一次吹扫处理的时间；
6、对所述第二次吹扫处理后的所述石墨舟整体进行电离预处理，以溢出所述石墨舟内部的酸气和湿气以及分解所述石墨舟表面污染物；
7、对所述电离预处理后的所述石墨舟整体饱和沉积处理。
8、在一实施例中，所述惰性气体为氮气。
9、在一实施例中，所述对酸洗以及烘干处理后的所述石墨舟整体采用惰性气体进行第一次吹扫处理包括：
10、将所述石墨舟置于所述管式等离子体化学气相沉积设备中整体采用所述惰性气体进行所述第一次吹扫处理，其中，所述管式等离子体化学气相沉积设备中的炉内温度为450℃～500℃，所述第一次吹扫处理的时间控制为900秒～2100秒，所述惰性气体吹扫的气体流量控制为5000sccm～11000sccm。
11、在一实施例中，所述对第一次吹扫处理后的所述石墨舟整体采用所述惰性气体进行第二次吹扫处理括：
12、将所述石墨舟置于所述管式等离子体化学气相沉积设备中整体采用所述惰性气体进行所述第二次吹扫处理，其中，所述管式等离子体化学气相沉积设备中的炉内温度为450℃～500℃，所述第二次吹扫处理的时间控制为200秒～800秒，所述惰性气体吹扫的气体流量控制为14000sccm～26000sccm。
13、在一实施例中，所述对所述第二次吹扫处理后的所述石墨舟整体进行电离预处理包括：
14、通过射频电源对所述第二次吹扫处理后的所述石墨舟进行放电，并向所述石墨舟吹扫氨气。
15、在一实施例中，将所述射频电源的电离时间控制为1600秒～3200秒，将通入所述氨气的气体流量控制为7000sccm～13000sccm。
16、在一实施例中，对所述石墨舟整体饱和沉积处理包括：
17、对电离预处理后的所述石墨舟整体饱和沉积第一层薄膜；
18、对饱和沉积第一层薄膜的所述石墨舟整体饱和沉积第二层薄膜，所述第二层薄膜的折射率小于所述第一层薄膜的折射率。
19、在一实施例中，所述第一层薄膜的材质和所述第二层薄膜的材质均为氮化硅。
20、在一实施例中，所述对电离预处理后的所述石墨舟整体饱和沉积第一层薄膜包括：
21、将所述石墨舟置于所述管式等离子体化学气相沉积设备中整体饱和沉积所述第一层薄膜，其中，所述管式等离子体化学气相沉积设备中的炉内温度为450℃～500℃，向炉内通入气体流量为900sccm～1900sccm的硅烷和气体流量为8000sccm～14000sccm的氨气，并打开射频电源，对所述石墨舟整体饱和沉积处理形成氮化硅薄膜。
22、在一实施例中，所述对饱和沉积第一层薄膜的所述石墨舟整体饱和沉积第二层薄膜包括：
23、将所述石墨舟置于所述管式等离子体化学气相沉积设备中饱和沉积所述第二层薄膜，其中，所述管式等离子体化学气相沉积设备中的炉内温度为450℃～500℃，向炉内通入气体流量为700sccm～1700sccm的硅烷和气体流量为8000sccm～14000sccm氨气，并打开射频电源，对所述石墨舟整体饱和沉积处理形成氮化硅薄膜。
24、本申请的石墨舟的饱和方法中，研究人员通过第一次吹扫和第二吹扫能够分别溢出石墨舟中内部的酸气和湿气，然后再通过电离的方式能够再次溢出石墨舟内部的酸气和湿气以及分解石墨舟表面的污染物。通过这种工艺方式，能够去除石墨舟内部的湿气和酸气以及石墨舟表面残留的污染物，以此避免石墨舟在承载硅片时，这些残留物污染硅片，较好地解决首次进行镀膜制备得到的太阳能电池片在进行el(e l ectro l uminescence)测试会出现边缘发黑的问题，以此提高太阳能电池片的品质。。
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1.一种石墨舟的饱和方法，所述石墨舟应用于管式等离子体化学气相沉积设备，其特征在于，所述石墨舟的饱和方法包括：
2.根据权利要求1所述的石墨舟的饱和方法，其特征在于：所述惰性气体为氮气。
3.根据权利要求1所述的石墨舟的饱和方法，其特征在于：所述对酸洗以及烘干处理后的所述石墨舟整体采用惰性气体进行第一次吹扫处理包括：
4.根据权利要求1所述的石墨舟的饱和方法，其特征在于：所述对第一次吹扫处理后的所述石墨舟整体采用所述惰性气体进行第二次吹扫处理包括：
5.根据权利要求1所述的石墨舟的饱和方法，其特征在于：所述对所述第二次吹扫处理后的所述石墨舟整体进行电离预处理包括：
6.根据权利要求5所述的石墨舟的饱和方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的石墨舟的饱和方法，其特征在于：对所述石墨舟整体饱和沉积处理包括：
8.根据权利要求7所述的石墨舟的饱和方法，其特征在于：所述第一层薄膜的材质和所述第二层薄膜的材质均为氮化硅。
9.根据权利要求8所述的石墨舟的饱和方法，其特征在于：所述对电离预处理
10.根据权利要求8所述的石墨舟的饱和方法，其特征在于：所述对饱和沉积第一层薄膜的所述石墨舟整体饱和沉积第二层薄膜包括：
...【技术特征摘要】
1.一种石墨舟的饱和方法，所述石墨舟应用于管式等离子体化学气相沉积设备，其特征在于，所述石墨舟的饱和方法包括：
2.根据权利要求1所述的石墨舟的饱和方法，其特征在于：所述惰性气体为氮气。
3.根据权利要求1所述的石墨舟的饱和方法，其特征在于：所述对酸洗以及烘干处理后的所述石墨舟整体采用惰性气体进行第一次吹扫处理包括：
4.根据权利要求1所述的石墨舟的饱和方法，其特征在于：所述对第一次吹扫处理后的所述石墨舟整体采用所述惰性气体进行第二次吹扫处理包括：
5.根据权利要求1所述的石墨舟的饱和方法，其特征在于：所述对所述第二次吹扫处理后的所...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯满涛，孟小玮，张豪伟，王波，马亚哲，
申请(专利权)人：晶澳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：
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