【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板。
技术介绍
1、伴随着近年来的便携用电子设备等的高功能化，为了进行大量信息的高速处理，信号的高频化不断发展，要求适于5g、毫米波、基站天线等高频用途的印刷电路板。对于这样的高频用印刷电路板，为了能够不使品质降低地传输高频信号，期望传输损耗的降低。印刷电路板具备被加工成布线图案的铜箔和绝缘树脂基材，传输损耗主要由铜箔引起的导体损耗和绝缘树脂基材引起的电介体损耗构成。因此，为了降低绝缘树脂基材引起的电介体损耗，只要能够使用低介电常数的热塑性树脂，就很方便。然而，以氟树脂、液晶聚合物(lcp)为代表的低介电常数的热塑性树脂与热固性树脂不同，化学活性低，因此与铜箔的密合力低。
2、因此，提出了改善铜箔与热塑性树脂的密合性的技术。例如，专利文献1(国际公开第2016/174998号)中公开了一种铜箔，其具备粗糙化处理面，该粗糙化处理面具有0.6μm以上且1.7μm以下的十点平均粗糙度rzjis，并且粗糙化颗粒的高度的频率分布中的半峰宽为0.9μm以下。根据上述铜箔，即使对于液晶聚合物薄膜这样的无法期待化学密合的绝缘树脂基材，也能够呈现高的剥离强度。
3、另一方面，导体损耗有可能因越是高频越显著出现的铜箔的表皮效应而增大。因此，为了抑制高频用途中的传输损耗，为了降低铜箔的表皮效应，要求粗糙化颗粒的微细化。作为具有上述微细的粗糙化颗粒的铜箔，例如，专利文献2(国际公开第2014/133164号)中公开了一种表面处理铜箔，其具备附着粒径10nm以上且25
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：国际公开第2016/174998号
7、专利文献2：国际公开第2014/133164号
技术实现思路
1、对于高频用途的铜箔，如上所述要求将粗糙化颗粒微细化，但是这种铜箔与树脂(特别是热塑性树脂)的密合性容易降低。关于这一点，从兼顾与热塑性树脂的高密合性和优异的高频特性的观点出发，现有的铜箔未必充分，存在改善的余地。
2、本专利技术人等此次得到了如下见解：在粗糙化处理铜箔的表面，通过将偏斜度ssk和峰顶密度sds分别控制在规定的范围内，能够兼顾与热塑性树脂的高密合性和优异的高频特性。
3、因此，本专利技术的目的在于，提供能够兼顾与热塑性树脂的高密合性和优异的高频特性的粗糙化处理铜箔。
4、根据本专利技术，提供以下的方式。
5、[方式1]
6、一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，
7、前述粗糙化处理面的偏斜度ssk大于0.35，并且峰顶密度sds为1.57μm-2以上且2.64μm-2以下，
8、前述ssk是依据jis b0681-2：2018在不进行基于s滤波器的截止且基于l滤波器的截止波长为1.0μm的条件下测定的值，
9、前述sds是依据eur15178n在不进行基于s滤波器和l滤波器的截止的条件下测定的值。
10、[方式2]
11、根据方式1所述的粗糙化处理铜箔，其中，前述粗糙化处理面具有多个粗糙化颗粒，每1μm2的前述粗糙化颗粒的体积为0.11μm3以上且0.25μm3以下，
12、前述每1μm2的粗糙化颗粒的体积是使用fib-sem对前述粗糙化处理面得到图像、并对该图像进行三维解析而算出的值。
13、[方式3]
14、根据方式1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，前述粗糙化处理面的峭度sku为2.70以上且4.90以下，
15、前述sku是依据jis b0681-2：2018在不进行基于s滤波器和l滤波器的截止的条件下测定的值。
16、[方式4]
17、根据方式1～3中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，前述粗糙化处理面的分离突出峰部与中心部的负载面积率smr1为11.2％以上，
18、前述smr1是依据jis b0681-2：2018在不进行基于s滤波器的截止且基于l滤波器的截止波长为1.0μm的条件下测定的值。
19、[方式5]
20、根据方式1～4中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，在前述粗糙化处理面还具备防锈处理层和/或硅烷偶联剂层。
21、[方式6]
22、一种带载体的铜箔，其具备：载体、设置于该载体上的剥离层、和以前述粗糙化处理面为外侧而设置于该剥离层上的方式1～5中任一项所述的粗糙化处理铜箔。
23、[方式7]
24、一种覆铜层叠板，其具备方式1～5中任一项所述的粗糙化处理铜箔。
25、[方式8]
26、一种印刷电路板，其具备方式1～5中任一项所述的粗糙化处理铜箔。
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1.一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，
2.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面具有多个粗糙化颗粒，每1μm2的所述粗糙化颗粒的体积为0.11μm3以上且0.25μm3以下，
3.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的峭度Sku为2.70以上且4.90以下，
4.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的分离突出峰部与中心部的负载面积率Smr1为11.2％以上，
5.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，在所述粗糙化处理面还具备防锈处理层和/或硅烷偶联剂层。
6.一种带载体的铜箔，其具备：载体、设置于该载体上的剥离层、和以所述粗糙化处理面为外侧而设置于该剥离层上的权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔。
7.一种覆铜层叠板，其具备权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔。
8.一种印刷电路板，其具备权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，
2.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面具有多个粗糙化颗粒，每1μm2的所述粗糙化颗粒的体积为0.11μm3以上且0.25μm3以下，
3.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的峭度sku为2.70以上且4.90以下，
4.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的分离突出峰部与中心部的负载面...
【专利技术属性】
技术研发人员：中岛大辅，栗原中川美穗，田坂知里，川口彰太，今瑛惠，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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