【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及树脂组合物及其制造方法。进而，本专利技术涉及由该树脂组合物得到的固化物、树脂片及其制造方法、电路基板和感应器基板。
技术介绍
1、随着近年来的电子设备的小型轻量化和便携式设备的普及，开关电源电路的小型化和高性能化正在推进。开关电源电路通常具备感应器(专利文献1～3)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2017-69523号公报；
5、专利文献2：国际公开第2006/54749号；
6、专利文献3：日本特开2019-192920号公报。
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、为了使开关电源小型化，要求感应器的小型化(专利文献1)。此时，如果提高开关频率，则有利于感应器的小型化。然而，用于形成感应器的磁性材料通常在高频段由磁粉内部的涡流损耗引起的磁损耗变大，结果开关电源的效率降低(专利文献2)。另外，在金属磁粉的尺寸大的情况下，在金属磁粉内部的涡流损耗变大。因此，在50mhz至100mhz这样的高速开关操作中，损耗大，难以应对高频(专利文献3)。
3、在这样的背景下，最近期待可在比以往相对低的10mhz左右的低频段操作的感应器。因此，为了同时达成感应器的高功能化和小型化，要求在低频段可达成高相对磁导率和低磁损耗的磁性材料。
4、另外，树脂组合物可在其使用时进行涂布。例如，在制造具备包含树脂组合物的树脂组合物层的树脂片的情况下，有时在支撑体上涂布树
5、本专利技术是鉴于上述课题而完成的专利技术，目的在于提供：能够得到在低频段可达成高相对磁导率和低磁损耗的固化物、并且涂布性优异的树脂组合物及其制造方法；上述树脂组合物的固化物；包含上述树脂组合物的树脂片及其制造方法；以及包含上述树脂组合物的固化物的电路基板和感应器基板。
6、用于解决课题的手段
7、本专利技术人为了解决上述的课题进行了深入研究。其结果，本专利技术人发现了：包含具有特定范围的粒径的纳米晶磁粉、具有其它特定范围的粒径的磁粉和热固性树脂的树脂组合物能够解决上述的课题。另外，本专利技术人发现了：包含具有特定范围的平均粒径的纳米晶磁粉、具有其它特定范围的平均粒径的磁粉和热固性树脂的树脂组合物能够解决上述的课题。本专利技术是根据这些见解而完成的专利技术。
8、即，本专利技术包含下述的内容。
9、[1]树脂组合物，其包含下述的成分：
10、(a)具有5.5μm以上且20μm以下的粒径的纳米晶磁粉；
11、(b)具有2μm以下的粒径的磁粉；以及
12、(d)热固性树脂，
13、其中，相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，(a)成分的量为23体积％以上且60体积％以下，
14、相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，(b)成分的量为5体积％以上且30体积％以下。
15、[2][1]所述的树脂组合物，其中，(a)成分与(b)成分的体积比((a)成分/(b)成分)为1以上且12以下。
16、[3][1]或[2]所述的树脂组合物，其进一步包含(c)磁粉，
17、其中，(c)磁粉为具有大于2μm且20μm以下的粒径的除上述(a)成分以外的磁粉。
18、[4][1]～[3]中任一项所述的树脂组合物，其中，(d)成分包含环氧树脂。
19、[5][1]～[4]中任一项所述的树脂组合物，其进一步包含(e)固化促进剂。
20、[6][1]～[5]中任一项所述的树脂组合物的制造方法，其包括混合下述的成分：
21、(a)具有5.5μm以上且20μm以下的平均粒径的纳米晶磁粉；
22、(b)具有2μm以下的平均粒径的磁粉；以及
23、(d)热固性树脂。
24、[7]树脂组合物的制造方法，其包括混合下述的成分：
25、(a)具有5.5μm以上且20μm以下的平均粒径的纳米晶磁粉；
26、(b)具有2μm以下的平均粒径的磁粉；以及
27、(d)热固性树脂。
28、[8][6]或[7]所述的树脂组合物的制造方法，其中，相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，(a)成分的量为30体积％以上且80体积％以下。
29、[9][6]～[8]中任一项所述的树脂组合物的制造方法，其中，(a)成分的10％粒径d10大于2μm。
30、[10][6]～[9]中任一项所述的树脂组合物的制造方法，其中，相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，(b)成分的量为5体积％以上且50体积％以下。
31、[11][6]～[10]中任一项所述的树脂组合物的制造方法，其中，(b)成分的90％粒径d90小于5.5μm。
32、[12][6]～[11]中任一项所述的树脂组合物的制造方法，其包括进一步混合(c)磁粉，
33、其中，(c)磁粉具有大于2μm且20μm以下、并且小于(a)成分的平均粒径的平均粒径。
34、[13][12]所述的树脂组合物的制造方法，其中，相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，(c)磁粉的量为34体积％以下。
35、[14][1]～[5]中任一项所述的树脂组合物的固化物。
36、[15]树脂片，其具备：支撑体和形成于该支撑体上的树脂组合物层，
37、其中，树脂组合物层包含[1]～[5]中任一项所述的树脂组合物。
38、[16]树脂片的制造方法，其包括下述的工序：
39、通过[6]～[13]中任一项所述的制造方法来制造树脂组合物的工序；以及
40、将树脂组合物涂布于支撑体上的工序。
41、[17]电路基板，其包含[1]～[5]中任一项所述的树脂组合物的固化物。
42、[18][17]所述的电路基板，其包含：形成有通孔的基板和填充在上述通孔中的树脂组合物的固化物。
43、[19]感应器基板，其包含[17]或[18]所述的电路基板。
44、专利技术效果
45、根据本专利技术，可提供：能够得到在低频段可达成高相对磁导率和低磁损耗的固化物、并且涂布性优异的树脂组合物及其制造方法；上述树脂组合物的固化物；包含上述树脂组合物的树脂片及其制造方法；以及包含上述树脂组合物的固化物的电路基板和感应器基板。
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1.树脂组合物，其包含下述的成分：
2.权利要求1所述的树脂组合物，其中，(A)成分与(B)成分的体积比((A)成分/(B)成分)为1以上且12以下。
3.权利要求1所述的树脂组合物，其进一步包含(C)磁粉，
4.权利要求1所述的树脂组合物，其中，(D)成分包含环氧树脂。
5.权利要求1所述的树脂组合物，其进一步包含(E)固化促进剂。
6.权利要求1所述的树脂组合物的制造方法，其包括混合下述的成分：
7.树脂组合物的制造方法，其包括混合下述的成分：
8.权利要求6或7所述的树脂组合物的制造方法，其中，相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，(a)成分的量为30体积％以上且80体积％以下。
9.权利要求6或7所述的树脂组合物的制造方法，其中，(a)成分的10％粒径D10大于2μm。
10.权利要求6或7所述的树脂组合物的制造方法，其中，相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，(b)成分的量为5体积％以上且50体积％以下。
11.权利要求6或7所述的树脂组合
12.权利要求6或7所述的树脂组合物的制造方法，其包括进一步混合(c)磁粉，
13.权利要求12所述的树脂组合物的制造方法，其中，相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，(c)磁粉的量为34体积％以下。
14.权利要求1～5中任一项所述的树脂组合物的固化物。
15.树脂片，其具备：支撑体和形成于该支撑体上的树脂组合物层，
16.树脂片的制造方法，其包括下述的工序：
17.电路基板，其包含权利要求1～5中任一项所述的树脂组合物的固化物。
18.权利要求17所述的电路基板，其包含：形成有通孔的基板和填充在上述通孔中的树脂组合物的固化物。
19.感应器基板，其包含权利要求17所述的电路基板。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.树脂组合物，其包含下述的成分：
2.权利要求1所述的树脂组合物，其中，(a)成分与(b)成分的体积比((a)成分/(b)成分)为1以上且12以下。
3.权利要求1所述的树脂组合物，其进一步包含(c)磁粉，
4.权利要求1所述的树脂组合物，其中，(d)成分包含环氧树脂。
5.权利要求1所述的树脂组合物，其进一步包含(e)固化促进剂。
6.权利要求1所述的树脂组合物的制造方法，其包括混合下述的成分：
7.树脂组合物的制造方法，其包括混合下述的成分：
8.权利要求6或7所述的树脂组合物的制造方法，其中，相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，(a)成分的量为30体积％以上且80体积％以下。
9.权利要求6或7所述的树脂组合物的制造方法，其中，(a)成分的10％粒径d10大于2μm。
10.权利要求6或7所述的树脂组合物的制造方法，其中，相对于100体积％的...
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