【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种驱动背板和显示面板。
技术介绍
1、随着显示技术的不断发展，人们对显示产品的分辨率、功耗和画质的要求越来越高。为了满足这些要求，目前经常采用低温多晶氧化物（low temperaturepolycrystalline oxide，ltpo）技术，来制作显示产品的驱动背板中的像素驱动电路。低温多晶硅氧化物技术结合了低温多晶硅（low temperature poly silicon，ltps）的高迁移率和氧化物半导体，如铟镓锌氧化物（indium gallium zinc oxide，igzo）的低漏电流的优势，具有高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率、低功耗以及支持1hz至120hz刷新率的优势。
2、然而，低温多晶氧化物驱动背板中需要制备两种薄膜晶体管（thin filmtransistor，tft）器件，膜层较多，导致工艺复杂，制备效率较低，且制作成本高。
技术实现思路
1、本申请提供一种驱动背板和显示面板，以缓解低温多晶氧化物驱动背板存在的膜层较多，工艺复杂，制备效率较低，且制作成本高的技术问题。
2、为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
3、本申请实施例提供一种驱动背板，其包括显示区以及位于所述显示区一侧的非显示区，所述显示区内设置有阵列排布的多个子像素，每个所述子像素包括多晶硅晶体管、氧化物晶体管以及存储电容；所述驱动背板还包括：
4、衬底；
5、第一半导体层，设置于所述衬底的
6、第一导电层，设置于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第一导电层包括所述多晶硅晶体管的栅极；
7、第二半导体层，设置于所述第一导电层远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层包括存储电容的第一极板以及所述氧化物晶体管的有源部，所述存储电容第一极板与所述多晶硅晶体管的栅极对应设置；
8、第二导电层，设置于所述第二半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二导电层包括所述氧化物晶体管的栅极；
9、第三导电层，所述第三导电层设置于所述第二导电层远离所述衬底的一侧，所述第三导电层包括所述多晶硅晶体管的源极和漏极、所述氧化物晶体管的源极和漏极；
10、其中，所述非显示区包括靠近所述显示区设置的扇出区，所述扇出区内设置有交替排布的第一扇出走线和第二扇出走线，所述第一扇出走线位于所述第一导电层和所述第二导电层中的至少一层，所述第二扇出走线位于所述第二导电层和所述第三导电层中的至少一层，所述第一扇出走线和所述第二扇出走线位于不同层，且所述第一扇出走线和所述第二扇出走线的阻抗相同。
11、在本申请实施例提供的驱动背板中，所述第一扇出走线位于所述第一导电层，所述第二扇出走线位于所述第二导电层，所述第一扇出走线的长度与其横截面积的比值为第一比值，所述第二扇出走线的长度与其横截面积的比值为第二比值，所述第二比值等于所述第一比值。
12、在本申请实施例提供的驱动背板中，所述第二扇出走线包括阻挡部以及位于所述阻挡部远离所述衬底一侧的导电部，所述导电部的厚度与所述第一扇出走线的厚度相同。
13、在本申请实施例提供的驱动背板中，所述导电部的材料包括钼，所述阻挡部的材料包括钛，所述第一扇出走线的材料与所述导电部的材料相同。
14、在本申请实施例提供的驱动背板中，所述第一扇出走线包括位于所述第一导电层的第一子走线以及位于所述第二导电层的第二子走线，所述第一子走线和所述第二子走线并联连接，所述第二扇出走线位于所述第三导电层。
15、在本申请实施例提供的驱动背板中，所述第一子走线在所述衬底上的正投影与所述第二子走线在所述衬底上的正投影重叠。
16、在本申请实施例提供的驱动背板中，所述第一扇出走线在所述衬底上的正投影与所述第二扇出走线在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
17、在本申请实施例提供的驱动背板中，所述驱动背板还包括设置于所述衬底与所述第一半导体层之间的第四导电层，所述第四导电层包括对应所述有源部设置的第一遮光部、以及对应所述有源部设置的第二遮光部。
18、在本申请实施例提供的驱动背板中，所述第二遮光部与所述氧化物晶体管栅极电连接。
19、在本申请实施例提供的驱动背板中，所述第一扇出走线和所述第二扇出走线均沿第一方向延伸，所述第一扇出走线和所述第二扇出走线在第一方向上交错排布；所述驱动背板还包括设置于所述显示区内的挖孔区，所述第一导电层还包括位于所述显示区内的第一绕线，所述第二导电层还包括位于所述显示区内的第二绕线，所述第一绕线和所述第二绕线均沿所述第一方向延伸；
20、所述驱动背板还包括第一绕线组和第二绕线组，所述第一绕线组配置为配合所述第二绕线组包围所述挖孔区，所述第一绕线组和所述第二绕线组均包括多个在第二方向上交替设置的所述第一绕线和所述第二绕线，其中，所述第一方向和所述第二方向不同，所述第二方向与所述第一方向之间的夹角大于0度且小于或者等于90度。
21、在本申请实施例提供的驱动背板中，所述第一绕线在所述衬底上的正投影与所述第二绕线在所述衬底上的正投影之间具有间隙。
22、在本申请实施例提供的驱动背板中，每个所述子像素还包括：
23、开关晶体管，所述开关晶体管的栅极与第一扫描信号线连接，所述开关晶体管的第一电极与数据线连接；
24、驱动晶体管，所述驱动晶体管的第一电极与所述开关晶体管的第二电极连接于第一节点；
25、补偿晶体管，所述补偿晶体管的栅极与第二扫描信号线连接，所述补偿晶体管的第一电极与所述驱动晶体管的栅极连接于第二节点，所述补偿晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第二电极连接；
26、第一初始化晶体管，所述第一初始化晶体管的栅极与第三扫描信号线连接，所述第一初始化晶体管的第一电极与第一初始化信号线连接，所述第一初始化晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的栅极连接于第二节点；
27、第一发光控制晶体管，所述第一发光控制晶体管的栅极与发光控制信号线连接，所述第一发光控制晶体管的第一电极与高电位电源线连接，所述第一发光控制晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第一电极连接于第一节点；
28、第二发光控制晶体管，所述第二发光控制晶体管的栅极与所述发光控制信号线连接，所述第二发光控制晶体管的第一电极与所述驱动晶体管的第二电极连接于第三节点；
29、第二初始化晶体管，所述第二初始化晶体管的栅极与第四扫描信号线连接，所述第二初始化晶体管的第一电极与第二初始化信号线连接，所述第二初始化晶体管的第二电极与所述第二发光控制晶体管的第二电极连接于第四节点；
30、第三初始化晶体管，所述第三初始化晶体管的栅极与所述第四扫描信号线连接，所述第三初始化晶体管的第一电极与第三初始化信号线连接，所述第三初始化晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第一电本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种驱动背板，其特征在于，包括显示区以及位于所述显示区一侧的非显示区，所述显示区内设置有阵列排布的多个子像素，每个所述子像素包括多晶硅晶体管、氧化物晶体管以及存储电容；所述驱动背板还包括：
2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一扇出走线位于所述第一导电层，所述第二扇出走线位于所述第二导电层，所述第一扇出走线的长度与其横截面积的比值为第一比值，所述第二扇出走线的长度与其横截面积的比值为第二比值，所述第二比值等于所述第一比值。
3.根据权利要求2所述的驱动背板，其特征在于，所述第二扇出走线包括阻挡部以及位于所述阻挡部远离所述衬底一侧的导电部，所述导电部的厚度与所述第一扇出走线的厚度相同。
4.根据权利要求3所述的驱动背板，其特征在于，所述导电部的材料包括钼，所述阻挡部的材料包括钛，所述第一扇出走线的材料与所述导电部的材料相同。
5.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一扇出走线包括位于所述第一导电层的第一子走线以及位于所述第二导电层的第二子走线，所述第一子走线和所述第二子走线并联连接，所述第二扇出走线位于
6.根据权利要求5所述的驱动背板，其特征在于，所述第一子走线在所述衬底上的正投影与所述第二子走线在所述衬底上的正投影重叠。
7.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一扇出走线在所述衬底上的正投影与所述第二扇出走线在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
8.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动背板还包括设置于所述衬底与所述第一半导体层之间的第四导电层，所述第四导电层包括对应所述多晶硅晶体管的有源部设置的第一遮光部、以及对应所述氧化物晶体管的有源部设置的第二遮光部。
9.根据权利要求8所述的驱动背板，其特征在于，所述第二遮光部与所述氧化物晶体管的栅极电连接。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的驱动背板，其特征在于，所述第一扇出走线和所述第二扇出走线在第一方向上交错排布；
11.根据权利要求10所述的驱动背板，其特征在于，所述第一绕线在所述衬底上的正投影与所述第二绕线在所述衬底上的正投影之间具有间隙。
12.根据权利要求10所述的驱动背板，其特征在于，每个所述子像素还包括：
13.根据权利要求12所述的驱动背板，其特征在于，所述第一绕线和所述第二绕线可以分别为所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线、所述第三扫描信号线、所述第四扫描信号线、所述发光控制信号线、所述第一初始化信号线、所述第二初始化信号线、所述第三初始化信号线中的至少一种。
14.根据权利要求12所述的驱动背板，其特征在于，所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极对应设置。
15.一种显示面板，其特征在于，包括发光器件以及如权利要求1至14中任一项所述的驱动背板，所述发光器件设置于所述驱动背板上。
...【技术特征摘要】
1.一种驱动背板，其特征在于，包括显示区以及位于所述显示区一侧的非显示区，所述显示区内设置有阵列排布的多个子像素，每个所述子像素包括多晶硅晶体管、氧化物晶体管以及存储电容；所述驱动背板还包括：
2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一扇出走线位于所述第一导电层，所述第二扇出走线位于所述第二导电层，所述第一扇出走线的长度与其横截面积的比值为第一比值，所述第二扇出走线的长度与其横截面积的比值为第二比值，所述第二比值等于所述第一比值。
3.根据权利要求2所述的驱动背板，其特征在于，所述第二扇出走线包括阻挡部以及位于所述阻挡部远离所述衬底一侧的导电部，所述导电部的厚度与所述第一扇出走线的厚度相同。
4.根据权利要求3所述的驱动背板，其特征在于，所述导电部的材料包括钼，所述阻挡部的材料包括钛，所述第一扇出走线的材料与所述导电部的材料相同。
5.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一扇出走线包括位于所述第一导电层的第一子走线以及位于所述第二导电层的第二子走线，所述第一子走线和所述第二子走线并联连接，所述第二扇出走线位于所述第三导电层。
6.根据权利要求5所述的驱动背板，其特征在于，所述第一子走线在所述衬底上的正投影与所述第二子走线在所述衬底上的正投影重叠。
7.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一扇出走线在所述衬底上的正投影与所述第二扇出走线在所述衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚吉祥，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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