【技术实现步骤摘要】
本申请属于开关电源电路领域，尤其涉及一种浪涌抑制电路及电子设备。
技术介绍
1、通常开关电源为实现电磁兼容，一般在输入端均会放置较大的滤波电容。然而，由于电容容量较大，所以上电速率越快，则会在上电瞬间形成很大的浪涌电流，会导致一系列故障发生，比如保险丝熔断、控制失效和系统无法正常上电工作等问题，因此需要对输入端的浪涌电流进行抑制。
2、相关技术中通过在输入端串联p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effetct transistor，mosfet)，利用mosfet的开关特性对浪涌电流进行抑制。
3、但是，串联的p沟道mosfet器件只能通过电源开启，与其他系统或器件同时启动，这样容易造成电源电压不稳定，进而造成系统异常。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种浪涌抑制电路及电子设备，能够实现精确地延迟浪涌抑制子电路的启动时间，避免由于多个器件同时启动造成的电源电压不稳定的状态。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种浪涌抑制电路，浪涌抑制电路包括：延迟子电路，延迟子电路与电源模块电连接，延迟子电路用于延迟一定时长后输出第一电平信号；浪涌抑制子电路，浪涌抑制子电路电连接于延迟子电路和负载之间，浪涌抑制子电路响应于第一电平信号开启，并对负载产生的浪涌电流进行抑制。
3、根据本申请第一方面的实施方式，延迟子电路包括：第一电阻，第一电阻的第一端与电源模块的正极电连接；第一电容，第
4、根据本申请第一方面的实施方式，浪涌抑制电路还包括：防反接模块，防反接模块电连接于浪涌抑制子电路和负载之间，防反接模块用于在电源模块反接时截止。
5、根据本申请第一方面的实施方式，防反接模块包括：第一晶体管，第一晶体管的漏极与浪涌抑制子电路的第二端电连接，第一晶体管的源极与负载的第一端电连接；第四电阻，第四电阻的第一端与第一晶体管的栅极电连接，第四电阻的第二端与负载的第二端及电源模块的负极电连接。
6、根据本申请第一方面的实施方式，防反接模块还包括：稳压二极管，稳压二极管的第一端与第一晶体管的源极电连接，稳压二极管的第二端与第一晶体管的栅极及第四电阻的第一端电连接。
7、根据本申请第一方面的实施方式，防反接模块包括：二极管，二极管的阳极与电源模块的正极电连接，二极管的阴极与负载的第一端电连接。
8、根据本申请第一方面的实施方式，浪涌抑制子电路包括：第二晶体管，第二晶体管的源极与电源模块的正极电连接，第二晶体管的漏极与负载电连接；第五电阻，第五电阻的第一端与第二晶体管的栅极电连接；第二电容，第二电容的第一端与第二晶体管的源极电连接；第六电阻，第六电阻的第一端与第二电容的第二端电连接；三极管，三极管的控制端与延迟子电路的第二端电连接，用于接收第一电平信号，三极管的第一端与第六电阻的第二端电连接，三极管的第二端与电源模块的负极电连接。
9、根据本申请第一方面的实施方式，浪涌抑制子电路还包括：第七电阻，第七电阻的第一端与第二晶体管的源极电连接，第七电阻的第二端与第二电容的第二端及第六电阻的第一端电连接。
10、根据本申请第一方面的实施方式，浪涌抑制子电路还包括：第一开关，第一开关的第一端与延迟子电路的第二端电连接，第一开关的第二端与三极管的控制端电连接。
11、第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，电子设备包括如第一方面中任一项的浪涌抑制电路。
12、本申请实施例的浪涌抑制电路及电子设备，浪涌抑制电路通过延迟子电路延迟一定时长后输出第一电平信号，并使浪涌抑制子电路响应于第一电平信号开启，并对负载产生的浪涌电流进行抑制。这样使得在电源模块启动后，浪涌抑制子电路在延迟一定时间后才开启。如此，避免了电源模块启动时，多个器件同时启动，造成的电源电压不稳定的状态，也实现了对浪涌电流的抑制。
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1.一种浪涌抑制电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述延迟子电路包括：
3.根据权利要求1或2所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌抑制电路还包括：
4.根据权利要求3所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述防反接模块包括：
5.根据权利要求4所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述防反接模块还包括：
6.根据权利要求3所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述防反接模块包括：
7.根据权利要求1或2所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌抑制子电路包括：
8.根据权利要求7所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌抑制子电路还包括：
9.根据权利要求7所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌抑制子电路还包括：
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的浪涌抑制电路。
【技术特征摘要】
1.一种浪涌抑制电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述延迟子电路包括：
3.根据权利要求1或2所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌抑制电路还包括：
4.根据权利要求3所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述防反接模块包括：
5.根据权利要求4所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述防反接模块还包括：
6.根据权利要求3...
【专利技术属性】
技术研发人员：李寿全，张彦飞，刘梦新，温霄霞，
申请(专利权)人：北京中科新微特科技开发股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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