【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体封装领域，尤其涉及一种中介板结构的形成方法以及中介板结构。
技术介绍
1、当将电子电路制造在半导体材料(例如，硅)的晶圆上时，该电子电路常常被称为集成电路(ic)。具有此类ic的晶圆一般被切割成众多个个体管芯。管芯可以被封装到ic封装中，ic封装包含一个或多个管芯、以及其他电子部件，例如电阻器、电容器和电感器。
2、有机中介层是一种采用高分子材料制作的高密度布线层，通常置于芯片与基板之间，作为2.5d硅转接板的替代方案，有机中介层可以降低在基板上制造细线宽/窄间距布线的难度，提供一种成本效益较高的解决方案。
3、随着集成电路产业的快速发展，目前，管芯和有机中介层构成的中介板结构的性能仍有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种中介板结构的形成方法以及中介板结构，提高了中介板结构的性能。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种中介板结构的形成方法，包括：提供无机中介层；在所述无机中介层中形成沟槽；在所述沟槽中设置桥接芯片；形成覆盖所述桥接芯片和无机中介层的密封层。
3、相应的，本专利技术实施例还提供一种中介板结构，包括：无机中介层；沟槽，位于所述无机中介层中；桥接芯片，位于所述沟槽中；密封层，覆盖所述桥接芯片和无机中介层。
4、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
5、本专利技术实施例提供的中介板结构的形成方法中，提供无机中介层，在所述无
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1.一种中介板结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，在形成所述沟槽的步骤中，所述沟槽贯穿所述无机中介层；
3.如权利要求1所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽中放置桥接芯片的步骤中，所述桥接芯片与所述沟槽的侧壁之间具有空隙；
4.如权利要求1所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，所述提供无机中介层的步骤中，所述无机中介层包括第一面以及与其相背的第二面；
5.如权利要求4所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，在所述第一面和第二面上形成所述密封层之后，在所述第一面和第二面的密封层上形成所述再布线结构，且在所述第一面和第二面的密封层上形成所述再布线结构之后，在所述第一面和第二面的再布线结构上形成导电凸块；
6.如权利要求4所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，覆盖所述第一面的密封层和覆盖所述第二面的密封层在同一步骤中形成。
7.如权利要求4所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，所述提供无机中介层的步骤中，所述无机中介层中形成有贯穿所述无机中
8.如权利要求7所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽中设置桥接芯片的步骤中，所述桥接芯片表面具有裸露的连接端子，所述连接端子的表面朝向所述第一面或者所述第二面；
9.如权利要求8所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二互连通孔结构的步骤包括：在所述密封层中形成开口，其中，当所述开口形成在设有所述连接端子的一侧时，所述开口露出所述连接端子和第一互连通孔结构，或者，当所述开口形成在未设有所述连接端子的一侧时，所述开口露出所述第一互连通孔结构；
10.如权利要求8所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，所述桥接芯片的连接端子包括位于所述桥接芯片的正面的焊垫；
11.如权利要求4～10中任一项所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，形成所述再布线结构的步骤包括：在所述密封层上形成金属线路以及覆盖所述金属线路的第一介质层，所述第一介质层和金属线路构成再布线结构。
12.如权利要求4～10中任一项所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，在所述再布线结构上形成导电凸块的步骤包括：在所述再布线结构上形成第二介质层；在所述第二介质层中形成与所述再布线结构电连接的第一导电层；在所述第一导电层上形成第二导电层，所述第一导电层电连接第二导电层，所述第一导电层和第二导电层构成导电凸块。
13.如权利要求4～10中任一项所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，形成所述密封层的步骤包括：进行膜层形成处理以形成初始密封层；对所述初始密封层进行平坦化处理，将剩余的所述初始密封层作为所述密封层。
14.如权利要求13所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，所述平坦化处理工艺包括飞切工艺、磨削工艺和化学机械研磨工艺中的一种或多种。
15.如权利要求1～10中任一项所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，所述无机中介层的材料包括玻璃、氮化铝和陶瓷中的一种或多种。
16.一种中介板结构，其特征在于，包括：
17.如权利要求16所述的中介板结构，其特征在于，所述沟槽贯穿所述无机中介层，且所述沟槽底部的密封层的表面作为承载面；
18.如权利要求16所述的中介板结构，其特征在于，所述桥接芯片与所述沟槽的侧壁之间具有空隙；
19.如权利要求16所述的中介板结构，其特征在于，所述无机中介层包括第一面以及与其相背的第二面；
20.如权利要求19所述的中介板结构，其特征在于，所述无机中介层中设置有贯穿所述无机中介层的第一互连通孔结构；
21.如权利要求19所述的中介板结构，其特征在于，所述桥接芯片表面具有裸露的连接端子，所述连接端子的表面朝向所述第一面或者所述第二面；
22.如权利要求21所述的中介板结构，其特征在于，所述桥接芯片的连接端子包括位于所述桥接芯片的正面的焊垫；
23.如权利要求19～22中任一项所述的中介板结构，其特征在于，所述再布线结构包括：第一介质层，设置于所述第一面和第二面的密封层上；金属线路，位于所述第一介质层中，所述第一介质层和金属线路构成再布线结构。
24.如权利要求19～22中任一项所述的中介板结构，其特征在于，所述中介板结构还包括：第二介质层，位于所述第一面和第二面的再布线结构上；
25.如权利要求16～22中任一项所述的中介板结构，其特征在于，所述无机中介层的材料包括玻璃、氮化铝和陶瓷中的一种或多种。...
【技术特征摘要】
1.一种中介板结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，在形成所述沟槽的步骤中，所述沟槽贯穿所述无机中介层；
3.如权利要求1所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽中放置桥接芯片的步骤中，所述桥接芯片与所述沟槽的侧壁之间具有空隙；
4.如权利要求1所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，所述提供无机中介层的步骤中，所述无机中介层包括第一面以及与其相背的第二面；
5.如权利要求4所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，在所述第一面和第二面上形成所述密封层之后，在所述第一面和第二面的密封层上形成所述再布线结构，且在所述第一面和第二面的密封层上形成所述再布线结构之后，在所述第一面和第二面的再布线结构上形成导电凸块；
6.如权利要求4所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，覆盖所述第一面的密封层和覆盖所述第二面的密封层在同一步骤中形成。
7.如权利要求4所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，所述提供无机中介层的步骤中，所述无机中介层中形成有贯穿所述无机中介层的第一互连通孔结构；
8.如权利要求7所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽中设置桥接芯片的步骤中，所述桥接芯片表面具有裸露的连接端子，所述连接端子的表面朝向所述第一面或者所述第二面；
9.如权利要求8所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二互连通孔结构的步骤包括：在所述密封层中形成开口，其中，当所述开口形成在设有所述连接端子的一侧时，所述开口露出所述连接端子和第一互连通孔结构，或者，当所述开口形成在未设有所述连接端子的一侧时，所述开口露出所述第一互连通孔结构；
10.如权利要求8所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，所述桥接芯片的连接端子包括位于所述桥接芯片的正面的焊垫；
11.如权利要求4～10中任一项所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，形成所述再布线结构的步骤包括：在所述密封层上形成金属线路以及覆盖所述金属线路的第一介质层，所述第一介质层和金属线路构成再布线结构。
12.如权利要求4～10中任一项所述的中介板结构的形成方法，其特征在于，在所述再布线结构上形成导电凸块的步骤包括：在所述再布...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨程，
申请(专利权)人：长电科技管理有限公司，
类型：发明
国别省市：
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