System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种一体成型式电感及其制造方法技术_技高网

一种一体成型式电感及其制造方法技术

技术编号:43115424 阅读:8 留言:0更新日期:2024-10-26 09:54
本申请提出一种一体成型式电感及其制造方法。该一体成型式电感包括:绕组,包括导体圈、第一引出端子和第二引出端子,导体圈通过条状的导体围绕容置区逐圈卷绕而成,第一引出端子和第二引出端子分别与导体沿卷绕方向的两端电连接;磁中柱,设置于导体圈的容置区内;磁主体,为一体成型结构件,绕组和磁中柱被包覆于磁主体内,第一引出端子和第二引出端子分别从磁主体内延伸至磁主体外。本申请可以增大绕组线圈内的磁通路面积,延缓此位置达到磁饱和,提升产品性能,例如磁饱和电流可增大10%以上以允许通过更大的电流、电流响应较好、磁通损耗较低。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及磁性元件,具体涉及一种一体成型式电感及其制造方法


技术介绍

1、随着科技的迅速发展,特别是多功能设备的出现,对于整个被动器件的需求量越来越大,作为被动元件之一的磁性元件也被广泛应用,大电流、高频率、高可靠性等需求不断升级,为满足于此,磁性元件的应用越来越广泛。以电感为例,至少包括磁体与绕组,绕组由导体制成,电流流经绕组而产生磁场,是磁性元件的核心零件。现有绕组由漆包线作为导体并螺旋卷绕而成,绕组的线圈本体埋入金属磁性粉末内部并通过压铸或注塑而成所述磁体。通过这种方式制得的电感,一般称为一体成型式电感,具有屏蔽性好、抗干扰能力强、功率密度高、啸叫声小的特点,目前越来越受客户青睐。但是,在现有的一体成型式电感中,绕组的线圈内空间较小,磁体难以延伸至绕组的线圈内或者仅有很少一部分延伸至线圈内,导致绕组线圈内的磁通路面积较小,在磁体密度一致的条件下,此位置最容易达到磁饱和,影响产品性能的进一步提升。


技术实现思路

1、鉴于此,本申请提供一种一体成型式电感及其制造方法,可以改善现有绕组线圈内的磁通路面积较小导致此位置容易达到磁饱和的问题。

2、本申请提供的一种一体成型式电感,包括:

3、绕组,包括导体圈、第一引出端子和第二引出端子,所述导体圈通过条状的导体围绕一容置区逐圈卷绕而成,所述第一引出端子和第二引出端子分别与所述导体沿卷绕方向的两端电连接;

4、磁中柱,设置于所述导体圈的容置区内;

5、磁主体,所述磁主体为一体成型结构件,所述绕组和所述磁中柱被包覆于所述磁主体内,所述第一引出端子和所述第二引出端子分别从所述磁主体之内延伸至所述磁主体之外。

6、可选的,所述导体圈的厚度等于所述导体的宽度。

7、可选的,所述磁中柱和所述导体圈的内圈之间采用胶粘接固定。

8、可选的,所述磁主体的密度为ρ1,所述磁中柱的密度为ρ2,满足ρ2=k*ρ1,1.05≤k≤1.15。

9、本申请提供的一种一体成型式电感的制造方法,包括:

10、提供一条状的导体,并将第一引出端子和第二引出端子电连接于所述导体的两端、且电连接于所述导体的背向设置的两个面;

11、将所述导体围绕一容置区逐圈卷绕而成一导体圈;

12、第一次弯折所述第一引出端子和第二引出端子以形成绕组;

13、提供一磁中柱,并将所述磁中柱设置于所述导体圈的容置区内;

14、形成一体成型结构件的磁主体,以将所述绕组和所述磁中柱包覆于所述磁主体内,所述第一引出端子和所述第二引出端子分别从所述磁主体之内延伸至所述磁主体之外。

15、可选的,所述方法还包括:

16、将所述磁中柱和所述导体圈的内圈之间采用胶粘接固定。

17、可选的,第一次弯折后的第一引出端子包括第一主体部,以及由所述第一主体部朝向所述导体圈的外圈弯折而成的第一延伸部,所述第一主体部与所述导体圈的内圈电连接;第一次弯折后的第二引出端子包括第二主体部,以及由所述第二主体部背向所述导体圈弯折而成的第二延伸部,所述第二主体部与所述导体圈的外圈电连接;

18、所述第一引出端子的第一延伸部和所述第二引出端子的第二延伸部分别从所述磁主体之内延伸至所述磁主体之外。

19、可选的,在形成一体成型结构件的磁主体之后,所述方法还包括:

20、第二次弯折所述第一引出端子和第二引出端子,以将所述第一延伸部弯折为第一子延伸部和第二子延伸部、所述第二延伸部弯折为第三子延伸部和第四子延伸部,所述第一子延伸部与所述第一主体部连接并平行于所述导体圈且延伸至所述磁主体的第一侧面,所述第二子延伸部沿所述导体圈的厚度方向延伸并平行于所述磁主体的第一侧面,所述第三子延伸部与所述第二主体部连接并平行于所述导体圈且延伸至所述磁主体的第二侧面,所述第四子延伸部沿所述导体圈的厚度方向延伸并平行于所述磁主体的第二侧面,所述磁主体的第一侧面与第二侧面相对设置。

21、可选的,所述第二次弯折所述第一引出端子和第二引出端子,还包括:

22、将所述第一引出端子弯折为具有与所述第二子延伸部连接的第五子延伸部,将所述第二引出端子弯折具有为与所述第四子延伸部连接的第六子延伸部;其中,所述第五子延伸部平行设置于所述磁主体的第三侧面,所述第六子延伸部平行设置于所述磁主体的第三侧面,所述第一侧面和第二侧面垂直连接于所述第三侧面的相对两侧;或者,所述第五子延伸部平行设置于所述磁主体的第四侧面,所述第六子延伸部平行设置于所述磁主体的第四侧面,所述第四侧面与第三侧面相对设置,所述第一侧面和第二侧面垂直连接于所述第四侧面的相对两侧。

23、可选的,所述磁主体的第三侧面或第四侧面设置有第一凹陷区和第二凹陷区;所述第二次弯折所述第一引出端子和第二引出端子,还包括:

24、将所述第五子延伸部设置于所述第一凹陷区内,将所述第六延伸部设置于所述第二凹陷区内。

25、可选的,所述第一凹陷区和所述第二凹陷区相对设置且对齐。

26、如上所述,在本申请的一体成型式电感中,磁中柱设置于绕组的导体圈的容置区内,相当于绕组线圈内也设置有磁体,可以增大绕组线圈内的磁通路面积,从而延缓此位置达到磁饱和,提升产品性能,例如磁饱和电流可以增大10%以上以允许通过更大的电流、电流响应较好、磁通损耗较低。

27、另外,绕组的导体圈由条状的导体逐圈卷绕而成,圈与圈之间导体接触面积较大且空隙少,结构紧凑,导体圈的结构强度较高,在例如模压成型制备磁性元件时各圈导体不易走位,不仅可以较好的控制绕组线圈内的磁通路面积,而且可以将绕组侧面与磁主体邻近表面之间的距离偏差控制在较小范围内,有利于降低dcr、提高电感量,改善电感的指标性能;并且,绕组的空间利用率较高,导体的截面积大,不仅易于实现自动化生产,还可满足小空间大电流的应用需求;同时,各圈导体不易走位,可以降低圈与圈之间绝缘不良的风险。

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【技术保护点】

1.一种一体成型式电感,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一体成型式电感,其特征在于,所述磁中柱和所述导体圈的内圈之间采用胶粘接固定。

3.根据权利要求1或2所述的一体成型式电感,其特征在于,所述磁主体的密度为ρ1,所述磁中柱的密度为ρ2,满足ρ2=k*ρ1,1.05≤k≤1.15。

4.一种一体成型式电感的制造方法,其特征在于,包括:

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,还包括:

6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于,第一次弯折后的第一引出端子包括第一主体部,以及由所述第一主体部朝向所述导体圈的外圈弯折而成的第一延伸部,所述第一主体部与所述导体圈的内圈电连接;第一次弯折后的第二引出端子包括第二主体部,以及由所述第二主体部背向所述导体圈弯折而成的第二延伸部,所述第二主体部与所述导体圈的外圈电连接;

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在形成一体成型结构件的磁主体之后,所述方法还包括:

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述第二次弯折所述第一引出端子和第二引出端子,还包括:

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述磁主体的第三侧面或第四侧面设置有第一凹陷区和第二凹陷区;

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述第一凹陷区和所述第二凹陷区相对设置且对齐。

...

【技术特征摘要】

1.一种一体成型式电感,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一体成型式电感,其特征在于,所述磁中柱和所述导体圈的内圈之间采用胶粘接固定。

3.根据权利要求1或2所述的一体成型式电感,其特征在于,所述磁主体的密度为ρ1,所述磁中柱的密度为ρ2,满足ρ2=k*ρ1,1.05≤k≤1.15。

4.一种一体成型式电感的制造方法,其特征在于,包括:

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,还包括:

6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于,第一次弯折后的第一引出端子包括第一主体部,以及由所述第一主体部朝向所述导体圈的外圈弯折而成的第一延伸部,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李耀光赵基界
申请(专利权)人:深圳顺络汽车电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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